集成电路范文10篇

集成电路范文篇1

关键词：微波混合集成电路；三维集成；球栅阵列；电路设计

混合集成电路结合了薄膜集成技术与半导体技术的各自特点，具有电路精度高、设计灵活、便于调试、应用频率范围宽、性能好、可靠性高等优点［1］，在微波器件、模块组件和微系统等领域有广泛的应用。在频率低端，微波混合集成电路比单片集成电路具有更多的优势，可集成体积较大的分立元件或器件，而且便于电路调试。随着电路集成度越来越高，微波混合集成电路中也要集成更多的元器件来扩展功能，但很多元器件随着频率的降低，其量值或体积显著增大，如片式元件、磁性元件、滤波元器件等［2］，增加了电路的设计局限和调试难度，在集成度和体积方面带来了很多限制。本文采用多层薄膜陶瓷基板，利用球栅阵列（Ballgridarray，BGA）技术和三维集成工艺，实现多个陶瓷基板的立体组装，把体积较大或需要调试的分立元器件放在上层基板，通过锡球与下层基板的电路进行连接。这样不仅可以解决电路集成度的限制，降低设计难度，还便于后期调试，提高微波混合集成电路产品的可测性和成品率。

1三维混合集成电路结构

微波混合集成电路设计中，要用到很多种类和不同形式的分立元器件，利用其在性能、精度、成本、周期等方面的优势，以保证混合集成电路性能。主要的无源元件包括阻容元件、感性元件、控制元器件等；有源器件包括半导体器件、集成电路等［3］。封装形式主要有引脚、引线、表贴、球栅阵列等［4］。其中，有些元器件的体积较大，占据了电路基板的大部分空间，在装配工艺上也存在兼容性问题。同时，部分元件需要装配后进行调试，以调整量值精度，但调试过程中因空间受限，调试难度较大，很容易损坏其他元器件。针对以上问题，本文提出一种基于混合集成电路工艺的三维集成设计方式。如图1所示，模型中主要包含两个电路基板，BGA焊球、各种元器件以及连接线。其中，电路基板为多层薄膜陶瓷基板，采用苯并环丁烯（Benzocyclobutene，BCB）介质实现多层布线；BGA焊球在两个基板之间，起到支撑、信号互联、屏蔽隔离、散热等作用。射频器件以及体积较小的元器件，如芯片、贴装元件等装配到下层基板上，采用贴装或键合等方式与电路连接；无源、体积较大且需要调试的元器件，安装在上层基板上，通过BGA焊球和基板通孔实现与下层电路的信号连接。

2三维集成电路的主要工艺分析

三维集成电路中主要包含BGA应用设计、多层薄膜陶瓷基板设计、电路三维集成组装和电路调试等几个方面。2.1BGA应用设计。球栅阵列（BGA）技术是三维集成工艺中一种先进的互联形式，它具有互联密度高、一致性好、间距小、射频特性优、成本低等突出优点［5］，可在PCB基板、陶瓷基板、LTCC、HTCC以及硅基板中灵活应用。在多层薄膜陶瓷基板上，采用植球工艺对BGA进行焊接装配，同时利用阻焊层对电路图形进行保护。焊球可选择塌落型和非塌落型，根据应力匹配、器件高度以及可靠性等情况来进行设计。焊球直径可选择0.2~0.9mm，间距一般为焊球直径的1.6倍或以上。BGA焊球可垂直传输电源、控制、微波等信号，同时，焊球可连接上层和下层基板的参考地面，起到信号共地作用。在设计焊球排布时，要提高焊球的布局密度，除了放置器件和布线的位置外，其余空间尽量布满焊球，以提高互联可靠性。2.2多层薄膜陶瓷基板设计。陶瓷基板采用99.6%的氧化铝陶瓷基板，基于BCB介质和薄膜电路制作工艺实现多层薄膜基板布线。陶瓷基板厚度选择为0.508mm（20mil），基板打孔后采用填充孔工艺，利用填孔银浆进行实心填孔［6］，通孔直径至少0.3mm，否则影响填孔质量的均匀性。完成填孔制作后，采用平坦化工艺处理，使基板减薄至0.381mm（15mil）左右，然后采用溅射、光刻，电镀等工艺进行第一层图形的制作，在第一层图形上旋涂BCB介质和采用固化工艺制作介质层。再重复光刻、溅射、电镀等工艺制作第二层图形［7⁃8］。薄膜多层布线结构分为3层：第1层为3μm厚金导体层，TaN电阻应用于此层；第2层为7~12μm厚BCB介质层；第3层为3μm厚金导体层，在该层制作3μm厚阻焊层，并采用聚酰亚胺树脂（PI）作为阻焊膜介质。基板填充孔与植球焊盘采用了错位设计方式，以提高工艺可靠性。采用BCB介质制作多层基板主要因为其具有介电常数低、损耗小、微米级线条、金属化孔加工能力、图形精度高等特点，非常适用于混合集成电路中高密度布线设计。但是在微波产品设计中，增加布线层数会提高工艺加工难度，使成品率降低，故在复杂微波模块设计中，2~4层布线层数是较为合。适的设计方案，也可通过采用多功能芯片和合理布局降低设计复杂度。2.3电路三维集成组装电路的三维组装流程如图2所示。先完成下层基板上的器件装配，把芯片类和小型贴装类器件采用胶粘方式固定在对应焊盘上，再进行键合连接和初步测试；对上层基板进行BGA植球，再采用倒装焊工艺使上层基板和下层基板堆叠固定，装配上层基板的元器件；最后把多层电路装配到对应封装中，键合连接到封装的引脚或端口，进行调试和测试。2.4电路调试混合集成电路可以通过两种方式对电路性能进行调试：一是基于薄膜电路工艺，在陶瓷基板上设计匹配图形，利用键合方式进行选择，从而实现电路性能的调整；二是参数选择，利用键合方式，可对薄膜电阻、单层电容、平面电感等进行参数调整，可实现直流偏置、容值感值等改变。同时还可对元件进行结构调整，如空心电感、磁环电感等，可通过对漆包线松紧程度的调整，改善感值精度。利用所提出的三维集成设计方案，使一些体积较大和需要后期调整与调试的器件置于上层基板。可以分散调试点，提高可测性，降低调试时损坏其他器件的概率，提高产品的成品率。

3三维集成混合集成电路的设计

3.1工作频率。工作频率主要受限于信号的传输损耗，影响传输损耗的因素主要有基板传输损耗、垂直互联方式及封装形式。薄膜氧化铝陶瓷基板，影响传输损耗的主要是导体损耗［9］，而介质损耗和辐射损耗与其他微波基板基本一致。受限于工艺条件等因素，薄膜陶瓷基板的导体损耗稍大，在12GHz附近，薄膜陶瓷基板的导体主损耗和导体表面损耗合计约0.04dB/mm。BGA形式的垂直互联传输结构，应用频率可从低频一直到毫米波频段［10⁃11］。低频传输时一般采用单焊球形式，如图3（a）所示；高频传输时可采用类同轴布局形式，如图3（b）所示。在薄膜陶瓷基板上，对图3（b）类同轴形式的BGA垂直互联结构进行仿真和实测，传输损耗的仿真和测试结果如图4所示。在12GHz处，传输损耗的仿真值为0.1dB，实测值约为0.3dB。实测值比仿真值略大，主要原因是在频率高端，陶瓷基板的导体主损耗和导体表面损耗比仿真模型略高，同时考虑测试误差，过渡损耗的实测值比仿真值稍大。微波混合集成电路封装主要采用金属、陶瓷、热固性塑料等，封装形式主要有引线式、插针式、无引线表贴、BGA表贴等。同时综合考虑混合集成电路产品的应用、成本等因素，采用三维集成设计的混合集成电路适合工作频率在12GHz以内。3.2电磁屏蔽。利用BGA体积小、密度高、阵列分布的特点，可以在上下层基板之间形成屏蔽腔设计，能显著提升混合集成电路的电磁兼容。在上下基板之间，制作两排具有一定间距的焊球列阵，焊球与基板的地平面连接。当焊球间距足够近时，可以起到和金属壁相似的电磁屏蔽作用，把电磁波限制在一定空间区域内进行传播。采用BGA设计的屏蔽腔和隔离墙如图5所示。对图5中设计的屏蔽腔的隔离度进行仿真和实测对比，隔离腔采用直径0.5mm焊球，间距为0.8mm。由图6可知，隔离度仿真值不小于40dB，实测结果约35dB，表明可以实现较好的隔离性能。在测试过程中，考虑到存在信号的空间泄露，测试隔离度值小于仿真结果。3.3机械振动可靠性设计。采用BGA技术集成的三维混合集成电路结构的抗机械振动能力是衡量可靠性的重要指标。采用完整有限元模型分析方法［12⁃13］，可以得出基板的顶角位置和四周位置，一般是焊球的最大应变点，所以在设计电路BGA分布时，应参考以下方法：（1）基板顶角位置增加焊球数量或增加局部焊球密度；（2）顶角或基板四周位置不要设计微波信号传输焊点；（3）选择厚度较大的基板，可提高抗振性；（4）满足器件安装的前提下，焊球高度尽量小。可以选择直径较小的焊球，或通过焊盘尺寸控制焊球高度，提高抗振性。分布，不可靠位置位于顶角附件靠内一侧，最大应变值为9.03×10-4，以此可以预计该焊球的分布结构在振动试验过程中是安全可靠的。3.4散热设计。陶瓷基板的高效散热，是解决三维集成电路中可靠性和使用寿命的关键技术。在陶瓷基板上采用填充孔设计，填充材料为填孔银浆，银浆导热率约为58.7W/mK。银浆材料一般在LTCC等生瓷材料制作时作为填孔浆料应用。在陶瓷基板中使用银浆，可为陶瓷基板提供高热导率的散热途径，同时是一种成本较低的解决方案。对无孔基板、电镀通孔基板和填充孔基板分别进行结温测试，考察散热性能。采用薄膜电阻作为热源，用AuSn焊料焊接到不同试验基板表面，电阻两端加载0.38A直流电，环境温度设置为70℃，测试结果如表1所示。图8为70℃环境下，测试电阻焊接到采用填充孔设计的陶瓷基板上的结温测试情况。由测试结果可知，采用填充孔基板的电阻结温最高值为134.44℃，平均值为133.5℃，比无孔基板低10℃，比电镀通孔基板低22.5℃，实现了较好的散热特性。高可靠性是混合集成电路三维集成设计中的重要环节。采用BGA实现的多层薄膜陶瓷基板三维堆叠结构，在设计中，应综合考虑工艺流程、图形布局、BGA分布规律、焊球密度、基板厚度、封装匹配性等因素，这些因素对提高三维混合集成电路的应用和可靠性具有重要的作用。

4结果与分析

采用陶瓷基板设计的三维集成电路，适用于多种封装结构中。封装工艺一般采用粘接、焊接、金丝键合等方式进行固定和连接。图9（a）为采用表贴陶瓷封装的混合集成电路实物图，该产品为C波段混频放大器，包含放大、混频、数控衰减、滤波等功能，电路原理图如图10所示。各芯片采用胶粘方式固定在薄膜陶瓷基板上，利用BCB薄膜多层布线，实现电源、控制等信号线高密度布局以及交叉跨线，同时利用BCB薄膜工艺设计高精度电感，实现馈电或匹配等功能。经测试，电路增益达到58dB，动态控制范围62dB，模块体积仅为18.0mm×13.8mm×4.5mm。同时，三维集成的陶瓷基板电路还可以作为零件，直接装配到器件、模块、组件、系统中与其他功能电路进行组合互连［14］，如图9（b）所示为3层陶瓷基板堆叠的混合集成电路实物。采用HTCC封装和陶瓷基板，利用三维集成设计实现X波段低噪声接收前端。HTCC基板集成低噪放、滤波和增益控制等芯片电路；陶瓷基板上集成混频、中频放大和滤波等芯片电路。在X波段，接收噪声系数小于1.5dB，总增益大于30dB。图11为X波段接收模块实物图，产品体积18mm×14mm×6mm，采用三维集成设计后体积仅为原产品的50%。通过产品设计和测试数据分析，三维集成设计方法可提升混合集成电路的集成度和微型化，同时在高频段也可实现较好的电路性能。

5结论

集成电路范文篇2

微电子学是电子学的分支学科，主要致力于电子产品的微型化，达到提升电子产品应用便利和应用空间的目的。微电子学还属于一门综合性较强学科类型，具体的微电子研究中，会用到相关物理学、量子力学和材料工艺等知识。微电子学研究中，切实将集成电路纳入到研究体系中。此外，微电子学还对集成电子器件和集成超导器件等展开研究和解读。微电子学的发展目标是低能耗、高性能和高集成度等特点。集成电路是通过相关电子元件的组合，形成一个具备相关功能的电路或系，并可以将集成电路视为微电子学之一。集成电路在实际的应用中具有体积小、成本低、能耗小等特点，满足诸多高新技术的基本需求。而且，随着集成电路的相关技术完善，集成电路逐渐成为人们生产生活中不可缺少的重要部分。

2微电子发展状态与趋势分析

2.1发展与现状

从晶体管的研发到微电子技术逐渐成熟经历漫长的演变史，由晶体管的研发→以组件为基础的混合元件（锗集成电路）→半导体场效应晶体管→MOS电路→微电子。这一发展过程中，电路涉及的内容逐渐增多，电路的设计和过程也更加复杂，电路制造成本也逐渐增高，单纯的人工设计逐渐不能满足电路的发展需求，并朝向信息化、高集成和高性能的发展方向。现阶段，国内对微电子的发展创造了良好的发展空间，目前国内微电电子发展特点如下：（1）微电子技术创新取得了具有突破性的进展，且逐渐形成具有较大规模的集成电路设计产业规模。对于集成电路的技术水平在0.8~1.5μm，部分尖端企业的技术水平可以达到0.13μm。（2）微电子产业结构不断优化，随着技术的革新产业结构逐渐生成完整的产业链，上下游关系处理完善。（3）产业规模不断扩大，更多企业参与到微电子学的研究和电路中，有效推动了微电子产业的发展，促使微电子技术得到了进一步的完善和发展。

2.2发展趋势

微电子技术的发展中，将微电子技术与其他技术联合应用，可以衍生出更多新型电子器件，为推动学科完善提供帮助。另外微电子技术与其他产业结合，可以极大的拉动产业的发展，推动国内生产总值的增加。微电子芯片的发展遵循摩尔定律，其CAGR累计平均增长可以达到每年58%。在未来一段时间内，微电子技术将按照提升集团系统的性能和性价比，如下为当前微电子的发展方向。

2.2.1硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）

CMOS电路将成为微电子的主流工艺，主要是借助MOS技术，完成对沟道程度的缩小，达到提升电路的集成度和速度的效果。运用CMOS电路，改善芯片的信号延迟、提升电路的稳定性，再改善电路生产成本，从而使得整个系统得到提升，具有极高研究和应用价值。可以将CMOS电路将成为未来一段时间的主要研究对象，且不断对CMOS电路进行缩小和优化，满足更多设备的需求。

2.2.2集成电路是当前微电子技术的发展重点

微电子芯片是建立在的集成电路的基础上，所以微电子学的研究中，要重视对集成电路研究和分析。为了迎合信息系统的发展趋势，对于集成电路暴露出的延时、可靠性等因素，需要及时的进行处理。在未来一段时间内对于集成电路的研究和转变势在必行。

2.2.3微电子技术与其他技术结合

借助微电子技术与其他技术结合，可以衍生出诸多新型技术类型。当前与微电子技术结合的技术实例较多，积极为社会经济发展奠定基础。例如：微光机电系统和DNA生物芯片，微光机电系统是将微电子技术与光学理论、机械技术等结合，可以发挥三者的综合性能，可以实现光开关、扫描和成像等功能。DNA生物芯片是将微电子技术与生物技术相结合，能有效完成对DNA、RNA和蛋白质等的高通量快速分析。借助微电子技术与其他技术结合衍生的新技术，能够更为有效推动相关产业的发展，为经济发展奠定基础。

3微电子技术的应用解读

微电子学与集成电路的研究不断深入，微电子技术逐渐的应用到人们的日常生活中，对于改变人们的生活品质具有积极的作用。且微电子技术逐渐成为一个国家科学技术水平和综合国力的指标。在实际的微电子技术应用中，借助微电子技术和微加工技术可以完成对微机电系统的构建，在完成信息采集、处理、传递等功能的基础上，还可以自主或是被动的执行相关操作，具有极高的应用价值。对于DNA生物芯片可以用于生物学研究和相关医疗中，效果显著，对改善人类生活具有积极的作用和意义。

4结束语

微电子学与集成电路均为信息技术的基础，其中微电子学中囊括集成电路。在对微电子学和集成电路的解析中，需要对集成电路和微电子技术展开综合解读，分析微电子技术的现状和发展趋势，再结合具体情况对微电子技术的当前应用展开解读，为微电子学与集成电路的创新和完善提供参考，进而推动微电子技术的发展，创造更大的产值，实现国家的持续健康发展。

作者:胥亦实 单位:吉林大学

参考文献

[1]张明文.当前微电子学与集成电路分析[J].无线互联科技,2016(17):15-16.

[2]方圆,徐小田.集成电路技术和产业发展现状与趋势[J].微电子学,2014(01):81-84.

集成电路范文篇3

关键词：集成电路；市场状况；设计业；政策导向

自从1950年第一个晶体管的诞生，不到十年的时间就出现了第一块集成电路，从此在人类的市场上走向了集成电路的热潮。如今集成电路发展迅速，集成电路的市场也迅速扩大，它正在潜移默化地改变人们的生产方式。集成电路的发展，它在经济和政治的多个方面具有多种战略意义，甚至可以作为一个国家的支柱产业来支持未来的发展。

1中国集成电路的基本情况

1.1市场状况。最近几年世界上经济的变化对集成电路产业的发展来说，既充满挑战又充满着许多机遇[1-4]。第一个方面世界的金融危机处于低谷时期；第二个方面政府和企业抵制全球半导体。这是导致集成电路的危机，那么我们怎样保持产业的发展推动产业逆势而上呢，这就需要看中国集成电路的产业如何对待世界金融危机。大数据统计，中国集成电路在2005年以来迅速降低，后四年又缓慢降低。其原因在于受金融危机影响的发达国家影响了中国集成电路的消费者。1.2发展状况。在世界经济的不断发展下，中国集成电路产业在2010年也取得了增长，这是自集成电路产业开展以来第一次迅速的增长。据可靠的数据表示，2010年国内集成电路的交易额为1000多亿，相比于之前可谓是爆发性的增长。很多相关的工程也因此在2010年全面启动，我国也启动了集成电路设计专项的计划，支持有实力的企业。进一步强化集成电路，推动中国品牌的战略目的，提升企业的整体能力。尤为重要的是在2010年的节点上，中国的集成电路在世界上是一个重要的里程碑，中国以很快的姿态走出了世界的金融危机，站在一个全新的起点上重点发展集成电路产业重新站在世界的舞台上。

2中国集成电路发展面对的问题

2.1政策导向。中国集成电路设计业的政策方面还缺乏协调，不能很好地体现国家对集成电路的态度。众所周知，集成电路是国家意识突出的一个重要行业，一般很少能达到这种级别。总体上来说，在寻求国家的支持和各种政策优惠的方面缺乏投入，而国家这种差异和代工和销售着两种方式，严重影响了中国集成电路的发展和世界电子信息向中国转移到节奏。中国集成电路行业是资金、技术、市场、产品、人才等综合产业。它的周期性显著，产业链相关密切，在全球化进程当中作为重要的突出产业。所以，中国要完善在集成电路设计的产业政策，实施更好的在世界上，作为国家意志的凸显，同时领导一些国内先进的企业做大做强。2.2市场需求。我国的集成电路产业在十年之间飞速的发展，在世界上也是很难赶超的。可以说我集成电子芯片在我国是一颗发展的新兴产业，尽管我国发展如此之快，但是中国集成电路的生产速度并没有赶上人们对集成电路的需求，中国市场对于集成电路的需求已高达4000多亿元。在五年之间。对集成电路的需求就远远的翻了一番，应该看到中国的集成电路早已经赶超石油到能源的需求。所以我们应该从集成电路的产品工艺和产能等方面做足群众需求，这也是当今我国的集成电路面临着困难以及亟待解决的问题。同时，中国的集成电路设计业技术水平已在世界上占据前列，随着我国兴起的太阳能电池以及半导体，中国的集成电路地位也显著上升。同时也就是说中国的集成电路水平突飞猛进的增长。2.3专业人才。作为高度浓缩的集成电路行业，他同时对人才的需求也远远高于其他行业，我国对于集成电路人才的基本情况可谓是遭遇瓶颈。我国的集成电路经济迅速的增长对人才的依赖非常大。主要的表现是人才的数量不足。我国的集成电路产业在国家的扶持下。国内对集成电路产业极为重视。各个层次的人才在数量上在经历上都比从前大大加强。但是这一类人却占少数也就是说中国的集成电路人才的需求远远不够。2010年，中国的集成电路产业将达到30万人以上。2019年预计要达到百万人以上。而目前集成电路高学历的毕业生只有寥寥的数万人。毕业生对于这方面的人才供不应求。缺乏主要还表现在缺乏高层人才。随着国内集成电路产业的壮大，水平也不断提高，同样对中国集成电路的设计也有异常的重要性，一个好的高层次的中国集成电路的工作人员，他需要长期积累和对工作的专注，需要用时间和成绩来作为一个从入门到熟练的过程。通常走过这几个过程大约需要五年的时间，才能更深的理解中国集成电路。由此我们可以看见，中国集成电路设计的人才缺口是一直存在的。而这人才缺口也导致中国集成电路发展瓶颈，所以我认为中国集成电路的人才应该还要从高等教育开始，从大学作为培养集成电路人才的摇篮，以适应社会的发展，更好地发展中国集成电路产业。

3中国集成电路跨越式发展的机遇

3.1市场转向。新时期我国集成电路高速发展，对于集成电路市场存在供不应求的现象。许多集成电路产品有较高的市场需求量，但市场上能提供的产品却少之又少。这存在一个很大的缺口和漏洞，集成电路市场上很大一部分产品都不是自行生产而是依赖于进口外国的产品来进行销售。这种依赖于进口再加上进口产品的关税和运费等其他相关的费用，使成本大大提高。我国本国自行研发和生产的集成电路产品却只能满足一部分市场的需要而无法弥补整个集成电路市场上的一大空缺。我国实行社会主义市场经济政策，我国集成电路的跨越式发展有很大的机遇，可以拉动我国市场转型，从而引导市场转向。我国集成电路市场存在很大的市场缺口如贸易逆差等，如果回转这一问题，将对我国集成电路市场产生重大的影响。我国集成电路市场却存在着大量的潜在的市场需求，若进行发展减少进口，提高我国国内的集成电路产品的生产量。将会使集成电路产品成本降低，市场需求同时得到满足。从而拉动市场转型推动经济的快速发展。3.2发挥优势。根据2018年市场调查需求显示，中国集成电路产业存在着许多的优势。但在存在机遇和优势的同时也面临着许多的困难和挑战。需要我们去克服并攻克难关。在南京召开的“第16届中国集成电路技术与应用研讨会暨南京国际集成电路技术达摩论坛”对集成电路产业进行了分析和概括，并对其进行科学的解释和系统的解答。中国集成电路产业规模呈现出高速增长的一大趋势。据相关资料信息等调查显示，中国集成电路产业在近几年内呈现出高速发展的大趋势。中国集成电路市场的产业规模大大高于其他国家。甚至将一些发达国家抛在后面。集成电路产业的产值和资金正在高速度的增长，在近几年呈现高速发展的一大趋势。中国集成电路产业市场的结构和分配也更加合理化，集成电路产业对其人员管理，信息技术，产业结构进行了更加系统化规范化的管理，呈现出更加平衡的状态。中国集成电路产业的企业的实力和影响力正在不断增强，在高速发展的中国科技经济实力上，中国集成电路产业不甘落后，呈现飞速发展显著提高的效果。科技水平的提高带动此集成电路产业实力的增强存在较大的优势。

4结语

中国集成电路的跨越式发展首先要确定市场中是建设渠道结合自身的优势和定位并结合市场做分析。充分利用资源，解决中国集成电路人才瓶颈，要多挖掘人才培养人才。在政府的带动下。加强资本体系的深层次规划和中国集成电路产业相对接，努力发展集成电路产业占据国际的市场。

参考文献

[1]魏少军.中国集成电路设计业2019年市场状况及思考[J].电子产品世界,2019,26(12):19-23.

[2]魏少军.面对中国发展集成电路产业的挑战[J].集成电路应用,2016(09):4-9.

[3]于宗光,黄伟.中国集成电路设计产业的发展趋势[J].半导体技术,2014,39(10):721-727.

集成电路范文篇4

第一条:本办法所称集成电路产品，是指通过特定加工将电器元件集成在一块单晶片或陶瓷基片上，执行特定电路或系统功能的产品（包括单晶硅片，即呈单晶状态的半导体硅材料）。

本办法是为集成电路产品的生产企业享受优惠政策制定的审定办法和认定程序。

第二条:根据上级规定和授权范围，*市科学技术局会同*市国家税务局负责管理全市集成电路产品的认定工作：

（一）审定、授权我市的集成电路产品认定机构；

（二）监督检查我市集成电路产品的认定工作，审核批准认定结果；

（三）公布我市集成电路产品认定目录；

（四）受理对认定结果、年审结果以及有关认定决定的异议申诉。

第三条:经研究，*市集成电路产品认定由*市科技局负责受理，并委托*市集成电路设计创业服务中心具体负责实施集成电路产品认定和年审工作。

第四条:为保证认定工作的权威性和公正性，*市集成电路设计创业服务中心应组建专门的认定专家委员会，其成员应以集成电路行业的专家为主，并得到市科技局与市国税局的认可。专家委员会负责审查企业的认定申请，提出认定意见。专家委员会对认定意见实行投票表决制，三分之二以上多数通过有效。

第五条:认定机构在认定工作中要遵循公平、公正、科学、高效的原则，并为申请企业保守商业秘密。

第六条：申请认定集成电路产品应符合下列条件:

（一）符合国家对有关集成电路产品的基本规定；

（二）自产的集成电路产品（包括晶圆片、芯片）；

（三）不包括销售和受托封装的产品。

第七条:申请集成电路产品认定应当提供下列材料:

（一）集成电路产品认定申报表；

（二）企业营业执照副本和税务登记证副本（复印件）；

（三）表明型号标识和产品外部特征的实物图片（指成品电路）；

（四）所使用的设计软件、产品的生产流程、产品特点、技术含量、产品用途等说明材料；

（五）其他需要出具的有关资料。

企业自主设计而在境内确实无法生产需委托境外加工的集成电路产品，还需提供下列材料:

（一）产品知识产权的相关材料；

（二）在国内无法加工的情况说明；

（三）境外委托加工合同副本。

第八条：企业申请集成电路产品认定时，提交的材料必须完整准确、真实有效。申报材料要求报送一式三份，并同时报送电子文档。

第九条：认定机构收到申报材料后首先进行形式审查，如在形式审查中发现申报材料不够完备应及时通知原申请单位补报有关材料。

经形式审查合格的资料统一整理后交认定专家委员会进行评审。认定机构根据评审结果形成认定意见，上报市科技局与市国税局核准。核准后的认定结果向社会公布并接受监督。

第十条：对经过认定的集成电路产品实行年审制度。企业应在年审通知规定的时限内报送年审材料。认定机构负责对企业报送的年审材料进行审查，审查结果报市科技局与市国税局核准。放弃年审或年审不合格的集成电路产品其认定资格自下一年度起取消。

第十一条：企业对认定结果、年审结果以及认定机构作出的其它决定有异议的，可在收到通知或公告后的60日内，通过原申报渠道提出申诉，并提交异议申诉材料。有关机关应在收到申诉材料的60日内作出处理决定。

第十二条：经认定的集成电路产品，企业凭市科技局与市国税局的认定批准文件，向所在地主管国税机关办理享受优惠政策的手续。

第十三条：认定机构可以向申请集成电路产品认定的企业收取适当的认定审查费，但应当以不盈利为原则。收取的费用主要用于资料整理、专家评审等必要的开支，实行单独核算管理并接受认定工作管理机关的监督。具体预算和收费标准报市科技局会同市国税局批准后实施。

集成电路范文篇5

【关键词】数字集成电路；Vhdl；应用

Vhdl最早出现于上世纪80年代末，主要用于电路设计的一种高级程序语言。目前这种语言是现代的电路设计中的重点，其优势也相对突出。它的出现完善了现代数字电路设计的整体结构，让内部程序和外部程序形成了良好的协调，在技术上实现了创新化，也是未来科技研究的重要方向。笔者也根据自身的工作经验，就如何实现Vhdl的合理应用提出了自己的看法。

1.Vhdl简介

1.1Vhdl的概念。Vhdl即超高速集成电路硬件描述语言，在数字电路设计当中普遍使用。而在中国，通常运用于ASIC、FPGA或是CPLD的设计当中。Vhdl主要描述数字系统的结构和行为，从语法上和传统的计算机高级语言类似。其系统的设计理念涉及到内部功能和算法也包括外部端口，在对设计实体定义外部界面之后，其它设计也可以直接对实体进行调用，这也是Vhdl系统设计的基础。与其它的一些硬件描述语言相比，Vhdl在行为描述能力上更加出众，也是目前设计领域最常见的意见描述语言，从逻辑上保障电子系统的安全运行。而其大量的库函数和语句，在系统设计早期就能对系统可行性进行判断，从而在仿真模拟的基础上来进行完善和优化。即便是设计者对硬件结构不完全掌握的前提下，也不需要对设计目标器件进行管理，也可以进行独立的设计[1]。1.2Vhdl的特点。Vhdl的设计描述功能是多层次化的，既可以对门级电路进行描述，也可以对系统级电路进行描述。描述的方式可以通过结构描述、行为描述和寄存器描述三种方式，必要时还能通过配合协调的方式来进行。此外，在硬件电路模型的设计上，Vhdl也能体现其特点，重点在于给硬件描述提升了自由度，并支持传输延迟，让设计者们能够创建高层次的系统模型，使系统模型能够具备合理的稳定性。图1Vhdl的具体设计流程Vhdl目前是IEEE标准下的硬件描述语言，因此现阶段的大多数EDA工具都能支持Vhdl的使用，且主要的设计来源是Vhdl的源代码，因而其结构化的优势也能让其易修改，且支持同步电路和异步电路的设计[2]。设计人员可以通过逻辑行为来描述电子系统。作为一种标准化的硬件描述语言，其强大的控制能力也能让模块更加具有利用价值，且模块可以通过预先设计的方式来进行存放，在后续的设计环节中也可以进行调用，让设计成果进行交流，使得设计描述转移的过程具备可行性。Vhdl的兼容性和独立性也可以让系统运行完全脱离电子加工设备，并保障系统的合理运行，随时进行数字系统的有效复制。例如图1所展示的设计流程，就是对Vhdl特点的概括。1.3Vhdl的程序结构。1.3.1库库是编译后的数据集合，在库中所存储的内容是结构体描述、实体定义和程序包、在利用Vhdl来进行设计时，库中的内容就可以作为资源被利用，或是作为参考依据，库还可以作为已经编译过的设计文件，便于设计者们进行共享和有用的基础数据[3]。1.3.2程序包。程序包是从本质上来看是命名的声明部分，可以利用包来将过程函数进行逻辑性的安排。程序包由包说明和包体组成，任何可以出现在块声明中的语句，包括函数、类型、变量等都可以在包中使用，并且提供了全程变量。在程序包内说明的数据对实体是透明化的。1.3.3实体实体既包括了大型的数字系统，也包含了小型的与门。实体的性质可以看作是电脑硬件的CPU处理器，并且具备微处理器的特点。实体说明部分通常设计的是输入和输出的端口名称和数据类型。1.3.4结构体。结构体是对设计实体的描述。从其根本性质上来看，可以将其看作是一个功能模块，对整个系统负责，而结构体则是对功能模块内部的一种逻辑描述形式。换而言之，就是功能模块的内部细节和工作原理可以通过结构体来进行具体描述，并将其合理地展示出来[4]。1.3.5配置。配置是对不同层次的实体与结构体关系的一种连接式说明。实体和结构体的连接关系配置中，设计者们可以通过对配置语句的调整来为实体提供不同的结构体匹配方式。例如在仿真设计当中，就可以对不同的结构体来进行测试，选择不同的结构体来达到这一目标。

2.数字集成电路设计中对Vhdl的应用

2.1Vhdl融合进制计算。Vhdl在数字集成电路设计当中首先体现在其融合进制计算的功能之上。目前一般的计算程序除了常见的二进制计算之外，还包括某些场合下的十进制计算方式。但这些计算方式都是在Vhdl语言编程的基础上展开的。而数字化集成电路系统当中，要想实现数据的合理对接，也需要让外部系统和内部电路系统之间形成良好的协调和配合。Vhdl在电路设计系统中的规划作用，也使得其成为了主要的编程语言。2.2Vhdl集中模块工具。由于Vhdl本身是具有高融合性的产物，而当系统运作需要以较快的速度运行时，电路设计硬件系统就应该具备独立的语言运行编码，从而促进模块工具系统的整体融合。通常情况下采用层次性的模块先进行系统规划，然后在通过Vhdl来寻找到事先储存在数据库内的有用信息，为集成电路设计提供数字资源的需要。与此同时，Vhdl对电路设计系统模块进行了规划，在运行结构、电路整体结构和信息传输结构方面进行了重新编排，让电路设计工具可以集中化、系统化地运用，保障了信息的完整性[5]。值得一提的是电路设计阶段的信息数据输入还可以在有效的电路检验工作下开展，并保障电路设计库的自动更新，成为了一套相对完善的运行程序，也是模块工具集中化的体现。目前常用的模块程序包括IBMRISCsystem/6000或是SunSPACstation，HP9000Series700/800，这也是目前现代集成电路设计中的主要技术模式，对于系统的综合运行能力提升具有显著的促进作用。2.3Vhdl融合编程设计。编程设计的综合性融合也是Vhdl在数字集成电路设计中的主要优势。因为Vhdl语言的主要工作内容包括项目的输入、编辑、校验和编程工作。这些不同类型的内容在现代化的数字集成电路设计当中也应该不断地在电路设计结构上做到完善。如果设计者们需要对电路设计外部运行程序进行修改，例如当项目运行语言程序出现问题时，就可以有效地利用其编程设计融合的特点来实现系统的规划。因为Vhdl系统规划的方式是通过内部程序来实现外部数据的输入，在系统规划结构方面实现了智能化和自动化，电路设计结构也能符合实际标准，促进设计的稳定性提升[6]。2.4Vhdl的集成化运行。在传统的电路设计工作当中，无论是设计还是规划环节都具有显著的分散性的特点，重点不明确，而Vhdl的使用可以有效地将分散化管理转变成为集成化的管理体系。通过对Vhdl的基本运行程序来看，其系统结构设计体现出了明显的灵活性和完善程度，系统的运行可以有效降低电路设计成本的运算量，实现一体化的水平提升。如果我们将Vhdl系统看作是一栋高楼，那么高楼的设计施工需要从底层施工过渡到顶层施工。Vhdl系统的底层设计部分是通过将电路内部和外部系统进行联合设计，让数字电路系统处于一体化的模式之下，无论是在规划的合理性还是设计后期的工作效率上都有明显提高。此外，顶层设计可以将大数据进行分析和运行，然后让外部硬件运行的各个部分都能竟然有序，在整体化的连接之下运行，这也是现代数字集成电路设计中的关键。2.5Vhdl融合多个平台。之前提到过Vhdl系统具有很出色的灵活性，而Vhdl在数字集成电路设计当中也能够发挥显著的效果，尤其是融合多个平台的功能上。数字集成电路设计本身具有多样性的平台，可以让电子数据在系统下实现数据传输和延迟传输的功能，并实现电子技术支持下的多样性传输。此外，Vhdl系统的整体结构能够实现融合应用，与现代数字系统的整体结构相适应，从而完善数据多平台传输结构。具体来看，就是实现同步和异步电流的传输，构建智能化的外界系统，并通过源文件来获得系统的设计数据，让语言编码程序和仿真数据实现有效结合。例如通过“File-Project-SetProjecttoCurrentFile”的菜单，就可以对电路设计内部结构进行层次规划，然后让仿真系统建立仿真波形，依据程序的要求来综合利用多平台的资源，体现出融合应用的特点。2.6Vhdl在基本界面设计中的作用。作为电路设计的基本系统语言，数字语言编码正是集成电路设计的基本结构。Vhdl在基本界面的设计方面也具有完善的结构系统，即之前提到过的库、程序包、结构体和配置四个部分。从其基本的工作过程来看，流程是先通过库来建立数据分析集合体，然后在保障电路设计结构具备数据结构的基础上来让程序包进行优化设计，而电路设计系统是通过程序包向实体端口进行输送的。然后根据结构体的电路设计信息来将信息结构转化为电路操作模式，并保障电路结构的输出，让特定结构体与数字电路设计结构体进行融合，形成完善的集成电路设计体系。

3.Vhdl在数字集成电路设计中的具体例子

计数器是数字电路之中的常见应用，包括二进制、十进制等。下文的设计方案是以模为12的加法计数器，端口包括。i(进位)、nrest(置零)、load(加载)、d(数据输入)、Ik(时钟);输出端口设计为co(输出进位)、qh(高位输出)、ql(低位输出)。LIBRARYieee;USEieee.std-logie-1164.ALL;USEieee.std-logie-arith.ALL;USEieee.std-logie-unsigned.ALL;ENTITYcntm12aISPORT(ci:INstd-logiC;nreset:INstd-logic;load:INstd-logic;d:INstd-logie-veetor(7DOWNTO0);clk:INstd-logie;co:OUTstd-logie;qh:outstd-logie-veetor(3DOwNTo0);ql:outstd-logie-veetor(3DOwNTO0));ENDentm12a;ARCHITECTUREbehaveOFcntm12aISSignalqh-int:Std-logie-veetor(3downto0);Signalql-int:Std-logie-veetor(3downto0);BEGINql<=ql-int;Qh<=qh-int;co<=’1’WHEN(qh-int=”0000”ANDql-int=”1011”ANDci=’1’)ELSE’0’;PROCESS(cIk,nreset)BEGINIF(nreset=’0’)THENqh-int<=”0000”;ql-int<=”0000”;ELSIF(clk’eventANDclk=’1’)THENIF(load=’1’)THENqh-int<=d(7DOWNTO4);ql-int(=d(3downto0);ELSIF(ci=’1’)THENIF(ql-int=11)THENql-int<=”0000”;IF(qh-int=0)THENqh-int<=”0000”;ELSEqh-int<=qh-int+1;ENDIF;ELSEql-int<=ql-int+1:ENDIF;ENDIF;ENDIF;ENDPROCESS;ENDbehave;而这一‘12’模只需要在原有的基础上进行修改，就能够实现对任意进制的加法和减法计数器，并且可以作为库文件进行使用，优势显著。

4.结语

通过研究，可以看到Vhdl语言设计从本质上看就是通过软件设计和配置相结合的过程，并且具有显著的电路系统描述和建模能力。在未来的数字集成电路设计当中，Vhdl也可以多层次地对数字系统进行设计，不仅有效缩短工作周期，还能提升设计的灵活性和有效性。本文主要从Vhdl的内涵入手，从其优势进行分析，并探究Vhdl在数字集成电路设计中的体现，配合实例来证明了其在设计过程中的优越性，是未来新技术的发展方向。而Vhdl的出现也说明了现代电子系统设计的高要求。而在实际设计环节中也可以通过抽象的语言来对系统结构进行描述，之后通过细化模块，将Vhdl描述成为门级电路，完善电子系统。

参考文献

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[2]李要球,卢璐.VHDL硬件描述语言在数字电路设计中的应用[J].实验室科学,2011,14(5):97-99.

[3]周华.硬件描述语言VHDL的应用[J].凯里学院学报,2012,30(3):125-126.

[4]赵鸿,彭碧玉,王宏卓.基于VHDL的CRC校验及其在测控通信中的应用[J].通信技术,2010,43(2):29-30.

集成电路范文篇6

第一章政策目标

第一条通过政策引导，鼓励资金、人才等资源投向软件产业和集成电路产业，进一步促进我国信息产业快速发展，力争到*年使我国软件产业研究开发和生产能力达到或接近国际先进水平，并使我国集成电路产业成为世界主要开发和生产基地之一。

第二条鼓励国内企业充分利用国际、国内两种资源，努力开拓两个市场。经过5到10年的努力，国产软件产品能够满足国内市场大部分需求，并有大量出口；国产集成电路产品能够满足国内市场大部分需求，并有一定数量的出口，同时进一步缩小与发达国家在开发和生产技术上的差距。

第二章投融资政策

第三条多方筹措资金，加大对软件产业的投入。

(一)建立软件产业风险投资机制，鼓励对软件产业的风险投资。由国家扶持，成立风险投资公司，设立风险投资基金。初期国家可安排部分种子资金，同时通过社会定向募股和吸收国内外风险投资基金等方式筹措资金。风险投资公司按风险投资的运作规律，以企业化方式运作和管理，其持有的软件企业股份在该软件企业上市交易的当日即进入市场流通，但风险投资公司为该软件企业发起人的，按有关法律规定办理。

(二)“十五”计划中适当安排一部分预算内基本建设资金，用于软件产业和集成电路产业的基础设施建设和产业化项目。在高等院校、科研院所等科研力量集中的地区，建立若干个国家扶持的软件园区。国家计委、财政部、科技部、信息产业部在安排年度计划时，应从其掌握的科技发展资金中各拿出一部分，用于支持基础软件开发，或作为软件产业的孵化开办资金。

第四条为软件企业在国内外上市融资创造条件。

(一)尽快开辟证券市场创业板。软件企业不分所有制性质，凡符合证券市场创业板上市条件的，应优先予以安排。

(二)对具有良好市场前景及人才优势的软件企业，在资产评估中无形资产占净资产的比例可由投资方自行商定。

(三)支持软件企业到境外上市融资。经审核符合境外上市资格的软件企业，均可允许到境外申请上市筹资。

第三章税收政策

第五条国家鼓励在我国境内开发生产软件产品。对增值税一般纳税人销售其自行开发生产的软件产品，*年前按17％的法定税率征收增值税，对实际税负超过3％部分即征即退，由企业用于研究开发软件产品和扩大再生产。

第六条在我国境内设立的软件企业可享受企业所得税优惠政策。新创办软件企业经认定后，自获利年度起，享受企业所得税“两免三减半”的优惠政策。

第七条对国家规划布局内的重点软件企业，当年未享受免税优惠的减按10％的税率征收企业所得税。国家规划布局内的重点软件企业名单由国家计委、信息产业部、外经贸部和国家税务总局共同确定。

第八条对软件企业进口所需的自用设备，以及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件，除列入《外商投资项目不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》的商品外，均可免征关税和进口环节增值税。

第九条软件企业人员薪酬和培训费用可按实际发生额在企业所得税税前列支。

第四章产业技术政策

第十条支持开发重大共性软件和基础软件。国家科技经费重点支持具有基础性、战略性、前瞻性和重大关键共性软件技术的研究与开发，主要包括操作系统、大型数据库管理系统、网络平台、开发平台、信息安全、嵌入式系统、大型应用软件系统等基础软件和共性软件。属于国家支持的上述软件研究开发项目，应以企业为主，产学研结合、通过公开招标方式，择优选定项目承担者。

第十一条支持国内企业、科研院所、高等院校与外国企业联合设立研究与开发中心。

第五章出口政策

第十二条软件出口纳入中国进出口银行业务范围，并享受优惠利率的信贷支持；同时，国家出口信用保险机构应提供出口信用保险。

第十三条软件产品年出口额超过lO0万美元的软件企业，可享有软件自营出口权。

第十四条海关要为软件的生产开发业务提供便捷的服务。在国家扶持的软件园区内为承接国外客户软件设计与服务而建立研究开发中心时，对用于仿真用户环境的设备采取保税措施。

第十五条根据重点软件企业参与国际交往的实际需要，对企业高中级管理人员和高中级技术人员简化出入境审批手续，适当延长有效期。具体办法由外交部会同有关部门另行制定。

第十六条采取适应软件贸易特点的外汇管理办法。根据软件产品交易(含软件外包加工)的特点，对软件产品出口实行不同于其他产品的外贸、海关和外汇管理办法，以适应软件企业从事国际商务活动的需要。

第十七条鼓励软件出口型企业通过GB／T19000—IS09000系列质量保证体系认证和CMM(能力成熟度模型)认证。其认证费用通过中央外贸发展基金适当予以支持。

第六章收入分配政策

第十八条软件企业可依照国家有关法律法规，根据本企业经济效益和社会平均工资，自主决定企业工资总额工资水平。

第十九条建立软件企业科技人员收入分配激励机制，鼓励企业对作出突出贡献的科技人员给予重奖。

第二十条软件企业可允许技术专利和科技成果作价入股，并将该股份给予发明者和贡献者。由本企业形成的科技成果，可根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》规定，将过去3至5年科技成果转化所形成的利润按规定的比例折股分配。群体或个人从企业外带入的专利技术和非专利技术，可直接在企业作价折股分配。

第二十一条在创业板上市的软件企业，如实行企业内部高级管理人员和技术骨干认股权的，应在招股说明书详细披露，并按创业板上市规划的要求向证券交易所提必要的说明材料。上述认股权在公开发行的股份中所占比例由公司董事会决定。

第七章人才吸引与培养政策

第二十二条国家教育部门要根据市场需求进一步扩大软件人才培养规模，并依托高等院校、科研院所建立一批人才培养基地。

(一)发挥国内教育资源的优势，在现有高等院校、中等科学校中扩大软件专业招生规模，多层次培养软件人才。前要尽快扩大硕士、博士、博士后等高级软件人才的培养模，鼓励有条件的高等院校设立软件学院；理工科院校的非计算机专业应设置软件应用课程，培养复合型人才。

(二)成人教育和业余教育(电大等)应设立或加强软件业教学，积极支持企业、科研院所和社会力量开展各种软件技术培训，加强在职员工的知识更新与再教育。在有条件的部门和地区，积极推行现代远程教育。在工程技术人员技术职称评定工作中，应逐步将软件和计算机应用知识纳入考核范围。

(三)由国家外国专家局和教育部共同设立专项基金，支持高层次软件科研人员出国进修，聘请外国软件专家来华讲学和工作。

第二十三条进入国家扶持的软件园区的软件系统分析员和系统工程师，凡具有中级以上技术职称，或有重大发明创造的，由本单位推荐并经有关部门考核合格，应准予本人和配偶及未成年子女在该软件园区所在地落户。

第二十四条实施全球化人才战略，吸引国内外软件技术人员在国内创办软件企业。国内高等院校、科研院所的科技人员创办软件企业，有关部门应给予一定的资金扶持，在人员流动方面也应放宽条件；国外留学生和外籍人员在国内创办软件企业的，享受国家对软件企业的各项优惠政策。

第八章采购政策

第二十五条国家投资的重大工程和重点应用系统，应优先由国内企业承担，在同等性能价格比条件下应优先用国产软件系统。编制工程预算时，应将软件与技术服务作为单独的预算项目，并确保经费到位。

第二十六条企事业单位所购软件，凡购置成本达到固定资产标准或构成无形资产的，可以按固定资产或无形资产进行核算，经税务部门批准，其折旧或摊销年限可以适当缩短，最短可为2年。

第二十七条政府机构购买的软件、涉及国家主权和经济安全的软件，应当采用政府采购的方式进行。

第九章软件企业认定制度

第二十八条软件企业的认定标准由信息产业部会同教育部、科技部、国家税务总局等有关部门制定。

第二十九条软件企业实行年审制度。年审不合格的企业，即取消其软件企业的资格，并不再享受有关优惠政策。

第三十条软件企业的认定和年审的组织工作由经上级信息产业主管部门授权的地(市)级以上软件行业协会或相关协会具体负责。软件企业的名单由行业协会初选，报经同级信息产业主管部门审核，并会签同级税务部门批准后正式公布。

第三十一条信息产业部、国家质量技术监督局负责拟定软件产品国家标准。

第十章知识产权保护

第三十二条国务院著作权行政管理部门要规范和加强软件著作权登记制度，鼓励软件著作权登记，并依据国家律对已经登记的软件予以重点保护。

第三十三条为了保护中外著作权人的合法权益，任何单位在其计算机系统中不得使用未经授权许可的软件产品。

第三十四条加大打击走私和盗版软件的力度，严厉查处组织制作、生产、销售盗版软件的话动。自2000年下半年起，公安部、信息产业部、国家工商局、国家知识产权局、国家版权局和国家税务总局要定期开展联合打击盗版软件的专项斗争。

第十一章行业组织和行业管理

第三十五条各级信息产业主管部门对软件产业实行业管理和监督。

第三十六条信息产业主管部门要充分发挥软件行业协会在市场调查、信息交流、咨询评估行业自律、知识产权保护、资质认定、政策研究等方面的作用，促进软件产业的健康发展。

第三十七条软件行业协会开展活动所需经费主要由协会成员共同承担，经主管部门申请，财政也可适当予以支持。

第三十八条软件行业协会必须按照公开、公正、公平的原则，履行其所承担的软件企业认定职能。

第三十九条将软件产品产值和出口额纳入国家有关统计范围，并在信息产业目录中单独列出。

第十二章集成电路产业政策

第四十条鼓励境内外企业在中国境内设立合资和独资的集成电路生产企业，凡符合条件的，有关部门应按程序紧审批。

第四十一条对增值税一般纳税人销售其自产的集成电路产品(含单晶硅片)，*年前按17％的法定税率征收增值税，对实际税负超过6％的部分即征即退，由企业用于研究开发新的集成电路和扩大再生产。

第四十二条符合下列条件之一的集成电路生产企业，按鼓励外商对能源、交通投资的税收优惠政策执行。

(一)投资额超过80亿元人民币。

(二)集成电路线宽小于0．25um的。

第四十三条符合第四十二条规定的生产企业，海关应为其提供通关便利。具体办法由海关总署制定。

第四十四条符合第四十二条规定的生产企业进口自用生产原材料、消耗品，免征关税和进口环节增值税。由信息产业部会同国家计委、外经贸部、海关总署等有关部门负责，拟定集成电路免税商品目录，报经国务院批准后执行。

第四十五条为规避汇率风险，允许符合第四十二条规定的企业将准备用于在中国境内再投资的税后利润以外币方式存入专用帐户，由外汇管理部门监管。

第四十六条集成电路生产企业的生产性设备的折旧年限最短可为3年。

第四十七条集成电路生产企业引进集成电路技术和成套生产设备，单项进口的集成电路专用设备与仪器，按《外商投资产业指导目录》和《当前国家重点鼓励发展的产业、产品和技术目录》的有关规定办理，免征进口关税和进口环节增值税。

第四十八条境内集成电路设计企业设计的集成电路，如在境内确实无法生产，可在国外生产芯片，其加工合同包括规格、数量)经行业主管部门认定后，进口时按优惠暂定税率征收关税。

第四十九条集成电路企业的认定，由集成电路项目审批部门征求同级税务部门意见后确定。

第五十条集成电路设计产品视同软件产品，受知识产权方面的法律保护。国家鼓励对集成电路设计产品进行评测和登记。

第五十一条集成电路设计业视同软件产业，适用软件产业有关政策。

第十三章附则

集成电路范文篇7

关键词:集成电路,铜互连,电镀,阻挡层

1.双嵌入式铜互连工艺

随着芯片集成度的不断提高,铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术。作为铝的替代物,铜导线可以降低互连阻抗,降低功耗和成本,提高芯片的集成度、器件密度和时钟频率。

由于对铜的刻蚀非常困难,因此铜互连采用双嵌入式工艺,又称双大马士革工艺(DualDamascene),如图1所示,1)首先沉积一层薄的氮化硅(Si3N4)作为扩散阻挡层和刻蚀终止层,2)接着在上面沉积一定厚度的氧化硅(SiO2),3)然后光刻出微通孔(Via),4)对通孔进行部分刻蚀,5)之后再光刻出沟槽(Trench),6)继续刻蚀出完整的通孔和沟槽,7)接着是溅射(PVD)扩散阻挡层(TaN/Ta)和铜种籽层(SeedLayer)。Ta的作用是增强与Cu的黏附性,种籽层是作为电镀时的导电层,8)之后就是铜互连线的电镀工艺,9)最后是退火和化学机械抛光(CMP),对铜镀层进行平坦化处理和清洗。

图1铜互连双嵌入式工艺示意图

电镀是完成铜互连线的主要工艺。集成电路铜电镀工艺通常采用硫酸盐体系的电镀液,镀液由硫酸铜、硫酸和水组成,呈淡蓝色。当电源加在铜(阳极)和硅片(阴极)之间时,溶液中产生电流并形成电场。阳极的铜发生反应转化成铜离子和电子,同时阴极也发生反应,阴极附近的铜离子与电子结合形成镀在硅片表面的铜,铜离子在外加电场的作用下,由阳极向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度损耗,如图2所示。电镀的主要目的是在硅片上沉积一层致密、无孔洞、无缝隙和其它缺陷、分布均匀的铜。

图2集成电路电镀铜工艺示意图

2.电镀铜工艺中有机添加剂的作用

由于铜电镀要求在厚度均匀的整个硅片镀层以及电流密度不均匀的微小局部区域(超填充区)能够同时传输差异很大的电流密度,再加上集成电路特征尺寸不断缩小,和沟槽深宽比增大,沟槽的填充效果和镀层质量很大程度上取决于电镀液的化学性能,有机添加剂是改善电镀液性能非常关键的因素,填充性能与添加剂的成份和浓度密切相关,关于添加剂的研究一直是电镀铜工艺的重点之一[1,2]。目前集成电路铜电镀的添加剂供应商有Enthone、Rohm&Haas等公司,其中Enthone公司的ViaForm系列添加剂目前应用较广泛。ViaForm系列包括三种有机添加剂:加速剂(Accelerator)、抑制剂(Suppressor)和平坦剂(Leverler)。当晶片被浸入电镀槽中时,添加剂立刻吸附在铜种籽层表面,如图3所示。沟槽内首先进行的是均匀性填充,填充反应动力学受抑制剂控制。接着,当加速剂达到临界浓度时,电镀开始从均匀性填充转变成由底部向上的填充。加速剂吸附在铜表面,降低电镀反应的电化学反应势,促进快速沉积反应。当沟槽填充过程完成后,表面吸附的平坦剂开始发挥作用,抑制铜的继续沉积,以减小表面的粗糙度。

加速剂通常是含有硫或及其官能团的有机物,例如聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS),或3-巯基丙烷磺酸(MPSA)。加速剂分子量较小,一般吸附在铜表面和沟槽底部,降低电镀反应的电化学电位和阴极极化,从而使该部位沉积速率加快,实现沟槽的超填充。

抑制剂包括聚乙二醇(PEG)、聚丙烯二醇和聚乙二醇的共聚物,一般是长链聚合物。抑制剂的平均相对分子质量一般大于1000,有效性与相对分子质量有关,扩散系数低,溶解度较小,抑制剂的含量通常远大于加速剂和平坦剂。抑制剂一般大量吸附在沟槽的开口处,抑制这部分的铜沉积,防止出现空洞。在和氯离子的共同作用下,抑制剂通过扩散-淀积在阴极表面上形成一层连续抑制电流的单层膜,通过阻碍铜离子扩散来抑制铜的继续沉积。氯离子的存在,可以增强铜表面抑制剂的吸附作用,这样抑制剂在界面处的浓度就不依赖于它们的质量传输速率和向表面扩散的速率。氯离子在电镀液中的含量虽然只有几十ppm,但对铜的超填充过程非常重要。如果氯浓度过低,会使抑制剂的作用减弱;若氯浓度过高,则会与加速剂在吸附上过度竞争。

平坦剂中一般含有氮原子,通常是含氮的高分子聚合物,粘度较大,因此会依赖质量运输,这样在深而窄的孔内与加速剂、抑制剂的吸附竞争中没有优势,但在平坦和突出的表面,质量传输更有效。沟槽填充完成后,加速剂并不停止工作,继续促进铜的沉积,但吸附了平坦剂的地方电流会受到明显抑制,可以抑制铜过度的沉积。平坦剂通过在较密的细线条上方抑制铜的过度沉积从而获得较好的平坦化效果,保证了较小尺寸的图形不会被提前填满,有效地降低了镀层表面起伏。

在铜电镀过程中,对填充过程产生影响的主要是加速剂、抑制剂和氯离子,填充过程完成后对镀层表面粗糙度产生影响的主要是平坦剂。铜电镀是有机添加剂共同作用的结果,它们之间彼此竞争又相互关联。为实现无空洞和无缺陷电镀,除了改进添加剂的单个性能外,还需要确定几种添加剂同时存在时各添加剂浓度的恰当值,使三者之间互相平衡,才能达到良好的综合性能,得到低电阻率、结构致密和表面粗糙度小的铜镀层。

尽管使用有机添加剂可实现深亚微米尺寸的铜电镀,但往往会有微量的添加剂被包埋在铜镀层中。对于镀层来说,这些杂质可能会提高电阻系数,并且使铜在退火时不太容易形成大金属颗粒。

图3电镀铜表面添加剂作用示意图

A=AcceleratorS=Suppressor

L=LevelerCl=ChlorideIon

电镀过程中添加剂不断地被消耗,为了保证镀层的品质,需要随时监控添加剂的浓度。目前主要使用闭环的循环伏安剥离法(CylicVoltammetricStripping,CVS)来监测电镀液的有机添加剂含量。CVS测量仪器的主要供应商是美国ECI公司。CVS尽管硬件成本低,但它很难反映出几种添加剂组分浓度同时改变的准确情况,高效液相色谱(HighPerformanceLiquidChromatography,HPLC)分析技术有望能替代CVS。

3.脉冲电镀和化学镀

在铜互连中的应用

在目前的集成电路制造中,芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得铜镀层。但直流电镀只有电流/电压一个可变参数,而脉冲电镀则有电流/电压、脉宽、脉间三个主要可变参数,而且还可以改变脉冲信号的波形。相比之下,脉冲电镀对电镀过程有更强的控制能力。最近几年,关于脉冲电镀在集成电路铜互连线中的应用研究越来越受到重视[3,4]。

脉冲电镀铜所依据的电化学原理是利用脉冲张驰增加阴极的活化极化,降低阴极的浓差极化,从而改善镀层的物理化学性能。在直流电镀中,由于金属离子趋近阴极不断被沉积,因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时,接近阴极的金属离子被充分地沉积;当电流关断时,阴极周围的放电离子又重新恢复到初始浓度。这样阴极表面扩散层内的金属离子浓度就得到了及时补充,扩散层周期间隙式形成,从而减薄了扩散层的实际厚度。而且关断时间的存在不仅对阴极附近浓度恢复有好处,还会产生一些对沉积层有利的重结晶、吸脱附等现象。脉冲电镀的主要优点有:降低浓差极化,提高了阴极电流密度和电镀效率,减少氢脆和镀层孔隙;提高镀层纯度,改善镀层物理性能,获得致密的低电阻率金属沉积层。

除了电镀以外,还有一种无需外加电源的沉积方式,这就是化学镀。化学镀不同于电镀,它是利用氧化还原反应使金属离子被还原沉积在基板表面,其主要特点是不需要种籽层,能够在非导体表面沉积,具有设备简单、成本较低等优点。化学镀目前在集成电路铜互连技术中的应用主要有:沉积CoWP等扩散阻挡层和沉积铜种籽层。最近几年关于化学镀铜用于集成电路铜互连线以及沟槽填充的研究亦成为一大热点,有研究报道通过化学镀同样可以得到性能优良的铜镀层[5,6]。但是化学镀铜通常采用甲醛做为还原剂,存在环境污染的问题。

4.铜互连工艺发展趋势

使用原子层沉积(ALD,AtomicLayerDeposition)技术沉积阻挡层和铜的无种籽层电镀是目前铜互连技术的研究热点[7]。

在当前的铜互连工艺中,扩散阻挡层和铜种籽层都是通过PVD工艺制作。但是当芯片的特征尺寸变为45nm或者更小时,扩散阻挡层和铜种籽层的等比例缩小将面临严重困难。首先,种子层必须足够薄,这样才可以避免在高纵宽比结构上沉积铜时出现顶部外悬结构,防止产生空洞;但是它又不能太薄。其次,扩散层如果减薄到一定厚度,将失去对铜扩散的有效阻挡能力。还有,相对于铜导线,阻挡层横截面积占整个导线横截面积的比例变得越来越大。但实际上只有铜才是真正的导体。例如,在65nm工艺时,铜导线的宽度和高度分别为90nm和150nm,两侧则分别为10nm。这意味着横截面为13,500nm2的导线中实际上只有8,400nm2用于导电,效率仅为62.2%[7]。

目前最有可能解决以上问题的方法是ALD和无种籽电镀。使用ALD技术能够在高深宽比结构薄膜沉积时具有100%台阶覆盖率,对沉积薄膜成份和厚度具有出色的控制能力,能获得纯度很高质量很好的薄膜。而且,有研究表明:与PVD阻挡层相比,ALD阻挡层可以降低导线电阻[7]。因此ALD技术很有望会取代PVD技术用于沉积阻挡层。不过ALD目前的缺点是硬件成本高,沉积速度慢,生产效率低。

此外,过渡金属-钌可以实现铜的无种籽电镀,在钌上电镀铜和普通的铜电镀工艺兼容。钌的电阻率(~7μΩ-cm),熔点(~2300℃),即使900℃下也不与铜发生互熔。钌是贵金属,不容易被氧化,但即使被氧化了,生成的氧化钌也是导体。由于钌对铜有一定的阻挡作用,在一定程度上起到阻挡层的作用,因此钌不仅有可能取代扩散阻挡层常用的Ta/TaN两步工艺,而且还可能同时取代电镀种籽层,至少也可以达到减薄阻挡层厚度的目的。况且,使用ALD技术沉积的钌薄膜具有更高的质量和更低的电阻率。但无种籽层电镀同时也为铜电镀工艺带来新的挑战,钌和铜在结构上的差异,使得钌上电镀铜与铜电镀并不等同,在界面生长,沉积模式上还有许多待研究的问题。

5.结语

铜互连是目前超大规模集成电路中的主流互连技术,而电镀铜是铜互连中的关键工艺之一。有机添加剂是铜电镀工艺中的关键因素,各种有机添加剂相互协同作用但又彼此竞争,恰当的添加剂浓度能保证良好的电镀性能。在45nm或更小特征尺寸技术代下,为得到低电阻率、无孔洞和缺陷的致密铜镀层,ALD和无种籽电镀被认为是目前最有可能的解决办法。此外,研究开发性能更高的有机添加剂也是途径之一,而使用新的电镀方式(比如脉冲电镀)也可能提高铜镀层的质量。

参考文献

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[2]MohanS,RajV.Theeffectofadditivesonthepulsedelectrodepositionofcopper[J].TransactionsoftheInstituteofMetalFinishing,2005,83(4):194-198

[3]Y.Lee,Y.-S.Jo,Y.Roh.Formationofnanometer-scalegapsbetweenmetallicelectrodesusingpulse/DCplatingandphotolithography[J].MaterialsScienceandEngineeringC23(2003):833-839

[4]SongTao,DYLi.Tribological,mechanicalandelectrochemicalpropertiesofnanocrystallinecopperdepositsproducedbypulseelectrodeposition[J].Nanotechnology17(2006)65–78

[5]王增林,刘志鹃,姜洪艳等.化学镀技术在超大规模集成电路互连线制造过程的应用[J].电化学,Vol.12No.2May2006:125-133

集成电路范文篇8

1传统模拟电子技术教学

1．1传统模拟电子技术理论教学模式。传统的模拟电子技术理论教学采用教师课堂知识灌输形式，即教师通过板书和PPT的方式在课堂上给学生讲授推导书本中的理论公式，通过已学的知识来推导和验证新的理论和公式［6］。例如在学习第二章“基本放大电路”时，教师是通过图解法和微变等效电路法来推导放大电路的静态工作点和交流电压增压。图1为采用图解法求解的单管共射电路，图中通过虚线把晶体管和电路分开，当输入信号ΔUI为0时，在晶体管的输入回路中既应该满足输入特性曲线，又应满足电路参数，因此:UBE=VBB－iBRb(1)图2为单管共射电路的输入特性曲线，由1式可以确定图中的输入回路负载线，其中斜率为-1/Rb，输入回路负载线与输入特向曲线的交点Q就是电路的静态工作点。图3为单管共射电路的输出特性曲线，与输入回路一样，在输出特性曲线中静态工作点既应在IB=IBQ曲线上，又应满足电路特性:UCE=VCC－iCRC(2)由2式可以确定图3中的负载线，其中负载线的斜率为-1/RC，IB=IBQ与输出特性曲线的交点即为静态工作点Q，其纵坐标值为ICQ，横坐标值为UCEQ。通过图解法可以求出单管共射电路的静态工作点Q，采用微变等效电路法可以求解电路的H参数，计算电路的电压增益、输入电阻和输出电阻等［7］。同样，集成运算放大电路、放大电路的频率响应、波形的发生和信号转换等章节都是采用传统的公式推导法来向学生讲解的。传统的模拟电子技术理论教学虽然可以使学生掌握课本中的基本概念和定理，但是繁杂的64物理概念以及抽象的公式推导过程往往让学生感觉到入门难、理解难、掌握难，仅仅依靠课堂理论灌输的教学模式就成为了一种“空对空”的教学模式［8］。1．2传统模拟电子技术实验教学模式。传统模拟电子技术实验教学主要采用模拟实验箱或模拟实验台模式，即学生通过导线插针在现有的实验箱或实验台上连接各种电子元器件或模块来搭建模拟电路的方式［9］。传统模拟电子技术实验教学模式虽然可以通过现有的模拟实验箱或实验台验证课本理论，较为灵活的设计简单模拟电路。但是，传统的模拟电子技术实验教学模式存在诸多缺点:(1)传统的模拟实验箱或实验台一般采用导线插针方式，在实验过程中容易发生插针折断堵塞插孔情况，影响设备德正常使用。(2)随着机箱设备的老化，设备内部经常出现导线或底座虚断、接触不良等情况，造成实验结果的失真。(3)由于传统实验箱或实验台采用模块集成方式，一般只包含了课内验证实验模块，难以激发学生的发散思维和创新能力。

2面向集成电路设计的模拟电子技术教学

2．1面向集成电路设计的模拟电子技术理论教学模式。面向集成电路设计的模拟电子技术在理论教学上采用“工程向导法”的教学思路，首先由教师结合生活实例提出一个具体的工程问题，让学生知道所学知识可以使用到日常生活中去，进而激发学生的学习热情。然后教师采用传统的教学方式，通过课堂讲授向学生传输工程项目所需的理论知识和定理，与传统理论课堂教学模式相比，面向集成电路设计的课堂理论教学在知识点讲授上按照“知识链”模式，即教师在教学内容安排上不再按照传统知识章节的顺序，而是以工程项目为导向，把做工程项目所需的知识点串在一起讲解。以设计“集成运算放大器”为例，集成运算放大器一般包括:偏置电流产生电路、差分输入放大电路、中间放大电路、功率放大电路四部分模块电路组成［10］。因此教师在课程内容安排上首先讲解偏置电流产生电路和电流复制电路，可以通过电流镜和微电流源的工作原理来讲解。然后讲解差分输入放大电路，通过差分输入放大电路的电路结构以及如何提高电路的共模抑制比为出发点进行讲解。接着讲解单级放大电路和多级放大电路的电压放大原理，最后讲解功率放大电路，主要向学生讲解功率放大电路如何提高电路的带负载能力。这样学生具备了基础知识之后就可以动手设计运算放大电路。在向学生讲解设计工程项目所需的基础知识之后，教师再引导学生学习设计模拟集成电路所用到的EDA(ElectronicDesignAutomation)软件，这里以在模拟集成电路设计行业被广泛使用的EDA软件Cadence和HSPICE为例。由于Cadence是在Linux操作环境下运行的，因此教师首先给学生讲授简单的Linux操作环境和基础指令，使学生能够初步掌握Cadence的运行方法，接着教师引导学生在Cadence中进行工程项目的原理图设计，最后使用Cadence把所设计的电路网表文件导入到HSPICE软件中进行参数仿真。使用HSPICE可以对所设计电路进行直流分析、交流分析、瞬态分析以及蒙特卡罗最坏情况分析等。2．2面向集成电路设计的模拟电子技术实验教学模式。面向集成电路设计的模拟电子技术实验教学采用“教师引导，学生开放设计”的教学模式。教师以“大作业”形式每学期给学生布置5～6道实验课题，制定好项目参数。学生课下搜集项目资料，自主设计电路架构并且进行仿真验证，最后提交项目结项报告。通过学生设计的电路参数是否达标以及结项报告的内容完整性给成合理的评判成绩。图5为指导学生设计的基于CMOS工艺库的运算放大器原理图，共分为三级:偏置电流产生电路、输入级差分放大电路、中间级放大电路。学生把原理图输入到Cadence中可以生成电路参数网表，再使用HSPICE仿真软件进行参数调试。最终可以仿真电路的开环增益、输入共模抑制比、电源抑制比等参数。

3结语

集成电路范文篇9

第一条为了加快*软件产业和集成电路产业发，根据国务院印发的《鼓励软件产业和集成电路产业发展干政策》(国发〔2*〕18号文，以下简称《若干政策》)，合本市实际情况，制定本规定。

第二条按照国务院及其有关部门规定，经认定的软企业和集成电路企业，除享受《若干政策》、国家及本市支新技术产业发展政策外，同时执行本政策规定。

第三条本市软件企业和集成电路企业的认定机构和程序，由市信息办会同市计委、市经委、市科委、市外经委、市教委、市财政局、市质量技监局等部门按照国家有规定确定。

第二章软件产业

第四条由市政府安排5亿元软件产业发展专项资金，支持软件产业基础设施建设、重点软件项目、软件技术果转化和产业化，并为相关国家项目提供匹配资金。在上述资金中专门设立风险种子资金，与国内外各类创业基金、投资公司、上市公司等建立风险投资机构，共同资软件产业。

第五条市经委、市科委、市信息办等有关部门和区县政府每年从其掌握的各类科技发展资金中安排不低于25％的资金，用于支持操作系统、大型数据库管理系统、网络平台、开发平台、信息安全、嵌入式系统、大型应用软件系统等基础软件和共性软件项目的研究、开发。

第六条市政府及其有关部门建立的各类科技风险投资机构要加大对软件产业的投资力度；鼓励其他科技风险投资机构对软件产业进行投资。由市重组办积极会同有关部门做好符合条件的软件企业在境内外上市。

第七条凡在沪注册并缴纳所得税的企业用2*年1月1日以后企业税后利润投资于经认定的本市软件企业，形成或增加企业资本金，且投资合同期超过5年的，与该投资额对应的已征企业所得税本市地方收入部分，由同级财政给予支持。

第八条浦东软件园、*软件园、国家信息安全(东部)基地和*集成电路设计产业化基地内的软件企业，当年企业所得税实际税负超过lO％的地方收入部分，由同级政府在专项资金中支持相关园区、基地，用于园区的建设和发展。

第九条工商行政管理部门要简化审批手续，对软件企业的设立，实行登记制。

第十条由政府投资的项目，软件系统价格在50万元以上(合50万元)的，采取招投标方式进行。政府机构和预算拨款的事业单位购买涉及国家安全的软件产品，采用政府采购的方式进行。软件安全产品经国家信息安全认定机构认定后，方可在本市销售。

第十一条有关部门要加大知识产权保护力度，严厉打击盗版行为，并配合司法机关维护知识产权所有权人的合法权益。各级政府机构和企事业单位必须使用正版软件。各级财政在每年预算中安排专项资金，专款专用，用于政府机构和预算拨款的事业单位购买正版软件。当年不购买正版软件的，予以调减相应预算。

第十二条本市建立软件产品出口的互联网专用通道。通过专用通道出口的软件产品，经海关确认后，可按有形贸易方式进行收付汇核销和享受有关优惠政策。

第十三条企业进口软件(合软件技术)再开发后出口的，经海关核准，对该进口软件(含软件技术)采取适当保税措施或按加工贸易办法办理。

第十四条经认定的软件企业，按有关规定，享有软件进出口经营权。市外经贸委、市经委等政府部门和*实业(集团)公司所属各海外公司要支持软件企业到境外开设分支机构，并在设立和办理手续等方面给予指导和协助。

第十五条对开发出具有自主知识产权的软件设计人员的奖励，经市信息办报市政府批准，免征个人所得税。企业以实物形式给予软件人员的奖励部分，准予计入企业工资总额。

第十六条软件企业拥有自主知识产权的成果，经评估验资后，可作为无形资产追加本企业的注册资本金。

第十七条软件企业人员出国，可实行一次审批、一年内多次有效的办法；需要经常派员往返香港的软件企业，可申请办理多次往返香港的手续；无行政主管部门的软件企业人员出国(境)，经市信息办确认，可以通过因公渠道办理出国(境)手续。

第十八条高等院校要加强计算机、软件等专业建设，允许在校学生转向软件专业，允许在校学生到企业从事软件开发，对其中成绩突出的，可给予学分。高等院校在与软件专业相关的课程教学中，实行“双语”教学。

第十九条鼓励境内外高等院校、教育机构、著名软件企业合作办学或建立软件职业培训机构，培养软件人员。软件人员的培训，纳入本市智力引进计划。在智力引进项目中，每年安排一定比例的软件人员参加培训。

第三章集成电路制造业

第二十条新建芯片、掩膜、封装、测试等集成电路制造及相关项目，经认定，属于技术先进、市场前景好的，由地方财税比照鼓励外商对能源、交通投资的税收优惠政策给扶持。

第二十一条将新建的集成电路芯片生产线项目，列为市政府重大工程项目，对其建设期内固定资产投资贷款人民币部分，提供1个百分点的贷款贴息。

第二十二条对新建的集成电路芯片生产项目，自认定之日起3年内，免收购置生产经营用房的交易手续费和产权登记费；免收该项目所需的自来水增容费、煤气增容费和供配电贴费。

第二十三条海关、出入境检验检疫、机场等单位建立全天候预约制度，为集成电路企业进出口货物设立特快专门报关窗口，提供lO小时内取、发货便利。

第二十四条由市重组办积极会同有关部门做好符合条件的集成电路企业在境内外上市的工作。鼓励集成电路企业参与上市公司资产重组。支持上市的集成电路企业通过兼并、收购、增发等方式，扩大规模。

第二十五条本政策规定第七条、第十四条、第十五条、第十七条、第十八条对软件产业的有关政策，亦适用于集成电路企业。

第四章集成电路设计业

第二十六条市科委制定专项资助计划，安排经费建IP库(集成电路设计构件库)，并构建集成电路设计技术台，为集成电路设计企业提供EDA(电子设计自动化)设服务和性能、质量的评测认证。励电子整机产品生产企业与集成电路设计企业联合开发新产品。

第二十七条境外企业向国内企业转让集成电路设计技术等使用权或所有权，其中技术先进，经同级财税部门核准，免征预提所得税。

集成电路范文篇10

一、研究专题和期限

专题一：FPGA器件、配套软件系统及其测试技术的研发

（一）研究目标与内容

研究目标：

研发基于自主知识产权的FPGA器件，实现器件与配套软件的产品化，并在通信、消费类电子、汽车电子、工业控制、互联网信息安全等领域得到应用。研制与国际主流芯片兼容的抗辐照百万门级FPGA，能够满足航空、航天等应用工程的需求。

研究内容：

1.高性能FPGA器件系统：FPGA器件结构研究，FPGA配套EDA软件研究，FPGA的封装测试技术研究。

2.百万门级FPGA关键技术：百万门级抗辐照FPGA器件及其配套EDA设计系统的研究，满足航空、航天等应用工程的需求；

3.多核平台化百万门级FPGA器件的开发及其配套EDA设计系统的研究；

4.FPGA产品化及产业化应用推广技术：完成高性能FPGA的产品化，实现其在通信、消费类电子、汽车电子、工业控制、互联网信息安全等领域的应用。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

专题二：便携式多媒体终端、数字电视中相关芯片及模块研发

（一）研究目标与内容

研究目标：

基于国内主流集成电路制造工艺，研发便携式多媒体终端和数字电视中的相关芯片、模块与解决方案，实现高性能、低功耗，并得到实际应用。

研究内容：

1.研究数字电视各类标准的低功耗、低成本和高性能编、解码算法及其IP核的实现，通过对各类IP的集成及其配套软件开发，形成移动数字电视和手持多媒体终端芯片开发的SoC平台及其应用。

2.研究无线信道解调关键技术，研发融合地面国标和手机电视功能的信道解调模块（芯片），并为终端厂商提供单模块解决方案。

3.研究高性能的参数可调图像缩放算法、接口技术、图像抖动处理、伽玛校正与过驱动处理等功能模块专有技术；开发图像控制、处理专用芯片以及将各种处理技术融合的SoC芯片及应用系统。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

专题三：模拟及接口电路产品与应用解决方案研发

（一）研究目标与内容

研究目标：

以通信，消费类电子，计算机及计算机接口设备的市场应用为目标，设计和研发基于国

内亚微米BCD等工艺技术的模拟及数字模拟混合集成电路产品。开发多系列绿色节能电源

管理芯片产品及整体电源管理解决方案。

研究内容：

1.平板显示器电源管理系统中AC/DC、DC/AC控制、大功率白光LED驱动集成电路和开关系列芯片开发及应用解决方案，实现较高的节能降耗水平。

2.适合于便携式电子产品应用的模拟及接口集成电路芯片及应用解决方案。

3.面向便携式设备的多模直流电压变换控制芯片的开发。

4.应用多媒体接口的多媒体数据矩阵电路以及相关的ESD+EMI保护电路。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

专题四：宽带通信领域核心IP和集成电路特种工艺设计技术的研究

（一）研究目标与内容

研究目标：

围绕国内超深亚微米工艺发展重点，开发宽带通信与接入系统用成套电路和关键IP核研究；研究纳米级工艺SoC设计所必需的关键技术、特种工艺设计技术和整体解决方案。

研究内容：

1.新型宽带无线通信与接入系统的射频收发机芯片和关键IP核研究，研发相应的模块、系统解决方案及终端产品；数字基带关键算法研究及其VLSI实现研究，完成相应关键IP核的嵌入式应用。

2.利用无线局域网实现有线电视网络数字视频信息传输（EoC）的芯片研发。

3.面向下一代有线电视网络的550MHz～1.2GHz的多载波宽带接入成套芯片及音视频宽带应用SoC芯片研究。

4.用于通讯、汽车电子、太阳能利用等领域的特种设计技术，专用控制芯片及应用系统的研发。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

专题五：超宽带无线通信关键射频集成电路、核心IP研究与实现

（一）研究目标与内容

研究目标：

基于CMOS工艺技术，研究应用于MB-OFDM超宽带（UWB）系统的射频收发集成电路，提出MB-OFDM-UWB系统的射频收发集成电路解决方案，以支持数据传输速率达到100Mbps以上，传输距离不小于10米的超宽带通信系统，实现超宽带技术在数字家庭无线互连、多媒体视频传输等短距离无线通信领域的应用。

研究内容：

1.研究针对OFDM超宽带体系（工作频段为3.1GHz～4.8GHz或更高）的CMOS射频收发器、快速跳频的频率综合器等关键射频及混合信号集成电路设计及实现技术。

2.开发相应的超宽带ASIC或SoC芯片，特别是超宽带射频芯片。

3.研制超宽带无线通信试验系统。

（二）研究期限：

*年9月30日前完成。

二、申请方式

1、本指南公开。凡符合课题制要求、有意承担研究任务的在*注册的法人、自然人均可以从“*科技”网站（）上进入“在线受理科研计划项目可行性方案”，并下载相关表格《*市科学技术委员会科研计划项目课题可行性方案（*版）》，按照要求认真填写。

2、申报单位应具备较强技术实力和基础，具备实施项目研究必备条件及匹配资金；鼓励产学研联合申请，多家单位联合申请时，应在申请材料中明确各自承担的工作和职责，并附上合作协议或合同。

3、课题责任人年龄不限，鼓励通过课题培养优秀的中青年学术骨干。课题责任人和主要科研人员，同期参与承担国家和地方科研项目数不得超过三项。

4、已申报今年市科委其它类别项目者应主动予以申明，未申明者按重复申报不予受理。

5、每一课题的申请人可以提出不超过2名的建议回避自己课题评审的同行专家名单（名单需随课题可行性方案一并提交）。

6、本课题申请起始日期为*年6月4日，截止日期为*年6月25日。课题申报时需提交书面可行性方案一式4份，并通过“*科技”网站在线递交电子文本1份。书面可行性方案集中受理时间为*年6月19日至25日，每个工作日上午9：00～下午4：30。所有书面文件请采用A4纸双面印刷，普通纸质材料作为封面，不采用胶圈、文件夹等带有突出棱边的装订方式。

7、网上填报备注：

（1）登陆“*科技”网，进入网上办事专栏；

（2）点击《科研计划项目课题可行性方案》受理并进入申报页面：

-【初次填写】转入申报指南页面，点击“专题名称”中相应的指南专题后开始申报项目（需要设置“项目名称”、“依托单位”、“登录密码”）；

-【继续填写】输入已申报的项目名称、依托单位、密码后继续该项目的填报。