集成电路十篇

集成电路篇1

集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

（来源：文章屋网 http://www.wzu.com）

集成电路篇2

AT E C C 1 0 8解决方案具有先进的安全功能，支持来自美国国家标准与技术研究院的最新安全标准，包括P 2 5 6、B 2 8 3和K2 8 3椭圆曲线，以及FI PS 1 8 6 -3椭圆曲线数字签名算法。这款易于使用的解决方案带有高达8 . 5 Kb E E P R O M，允许存储最多1 6个密匙、一个独特的7 2位序号和一个基于F I P S标准的随机数产生器。

通过认证，仅仅允许O E M认证授权附件与其设备共用，制造商能够确保其收益流和产品质量获得保护。该器件还提供了较低的总体B O M成本，这是因为主机仅需存储公开密钥，附件端仅仅需要一个安全芯片，而无须保护存储在主机系统端的密匙。这款器件易于设计使用，在许多情况下只需在主机系统进行软件升级。

CS 5 3 L 3 0功耗极低，每通道不超过2 . 5 mW，其高性能的四通道麦克风模数转换器可帮助提升语音处理功能，如噪声抑制、回声消除及多通道波束形成，并可提高语音控制和识别的语音捕获处理功能。

CS 5 3 L 3 0的4个麦克风通道都拥有专门的麦克风偏置电压，可以实现更好的通道至通道分隔，这有助于改进波束形成算法的性能。其拥有灵活的输入前端，实现了数字和模拟麦克风输入组合的不同配置，包括全差分、伪差分和单端配置。单个CS 5 3 L 3 0可以通过两个I2S端口，或者通过单个TDM端口的主从模式，以4 8 k Hz的采样率输出四通道音频数据。对于需要额外麦克风输入的应用，可以使用四个CS 5 3 L 3 0模数转换器，并通过可实现无缝系统集成的单一T D M线输出1 6通道的数据。

C i r r u s L o g i c

电话：0 7 5 5 - 8 3 7 9 - 7 5 6 1

http：//

这一序号为CY7 C6 5 2 1 x的系列产品提供用于UART / S P I / I2C通信的双路可配置串行通道，同时还集成了Ca p S e n s e触摸感应技术，可用于能够设计灵活的人机界面解决方案的灵活设计。

这一新的系列包括3个器件，均已通过US B - I F的认证。CY7 C 6 5 2 1 1和CY7 C 6 5 2 1 5分别提供可配置单、双串行通道，并且两者均可进行UART ， I2C和S P I通信。CY 7 C 6 5 2 1 3是一款低功耗US B - UART桥接控制器。这些新器件可为众多产品所采用，如医疗设备、工业设备、P OS终端、US B转UART和 RS 2 3 2线缆、游戏系统、测试测量设备等。

L TC 5 5 1 0是具有可扩展至6 GHz之非常宽频率范围的高性能混频器。该器件在3 0 MHz～6 GHz的频率范围内提供了一个连续的5 0Ω匹配输入，同时还提供了优异的线性度和增益平坦度。L TC 5 5 1 0的输出能达到4 . 5 GHz，并允许将此器件用作一个上变频或下变频混频器，因而使其拥有了高度的通用性。在2 GHz频率下，该混频器具有2 7 . 8 d Bm OI P 3 （用作上变频器时）和2 4 . 9 d B m I I P 3 （用作下变频器时）的优异线性性能。

LTC 5 5 1 0采用了一个有源混频器内核和一个片内L O缓冲器。其L O输入仅需0 d Bm的驱动电平。此外，这款器件还具备绝佳的输入和输出隔离性能。这种低水平的泄漏可最大限度地减少或者免除外部滤波器。同样，对于上变频混频器应用，此器件的L O至RF输出泄漏为- 3 5 d Bm，优于其他混频器1 0～3 0 d B，特别是与具有非常高L O泄漏的无源混频器相比时。

MHL 8 7 0 1和MHL 8 7 0 5调节器是其中的首批器件，带有一个集成式单粒子效应（ S E E ）过滤器，防止通常出现在航空和航天应用中的重离子引起的软错误。

MHL 8 7 0 1和MHL 8 7 0 5器件经优化后可在+ 5 V或+ 3 . 3 V输入电压下运作，分别具有3 A和5 A额定电流，并且在2 A下提供4 0 0 mV超低压降，使用一个集成式S E E过滤器来防止通常发生在地面水平和空降应用中可能由于亚原子辐射粒子造成的软数据错误。

全新调节器非常适合与航天额定耐辐射RT AX - S / S L / DS P、RT S X - S U和R T - P r o AS I C 3 F P G A共用，新型调节器通常可以提供F P GA所需的全部内核和I / O电压。而且这些F P GA器件专为航天应用而设计，使用高度可靠的非易失性反熔丝和闪存技术，它们通常具有高达4 0 0万等价系统门和8 4 0个用户I / O密度，为设计人员提供了灵活的可编程平台。

F 8 5 x / 6 x MC U通过在小封装中集成先进的模拟和数字外设使得功能密度达到了一个新的水平。该MCU包括1 2位多通道模数转换器（ADC）、两路具有可编程迟滞和响应时间的模拟比较器、高精度电压参考。该MCU也具有高精确度的2 4 . 5 MHz低功耗振荡器和低频率8 0 k Hz振荡器，从而消除了通常所需的外部时钟或晶体。片上温度传感器简化了系统校准过程，不需要添加额外的片外传感器。多种通信外设（I2C、S P I和UART）也为开发人员带来基于应用需求而选择外设的灵活性。

S i l i c o n L a b s

http：//

单通道THS 4 5 3 1 A与双通道THS 4 5 3 2可在将功耗降低8 0 %的同时，支持1 / 4输入参考噪声与7倍带宽。这两款器件可充分满足功耗至关重要的低功耗数据采集系统与高密度应用需求，如测量测试设备、数字与超声波水流量表等。

主要特性：每通道0 . 2 5 mA的低静态电流、3 6 MHz的增益带宽、仅为2 5 0μA的低功耗、1 0 n V / r o o t Hz的噪声、0 . 4 mV的最大失调电压以及2 0 0 V /μs的压摆率；支持0 . 4 mV最大失调的1 1 4 d B开环电压增益以及9μV / C的失调电压漂移可在过去高速放大器一直受限制的应用中实现精确的传感与缓冲；可驱动高性能ADC：精确的输出共模控制以及低于负电轨及轨至轨输出的输入共模范围可提供一个便捷的接口，仅使用一个2 . 5～5 V单电源就可驱动逐次逼近寄存器（ S A R ）与Δ∑型模数转换器（ A D C ）。

mXT 3 3 6 S控制器针对7英寸触摸屏而优化，而mXT 2 2 4 S则瞄准更小的触摸屏和触控板。mXT 3 3 6 S / mXT 2 2 4 S器件支持触摸检测、多达1 0点的同时触摸、触摸尺寸报告、单和双触摸手势计算，X / Y位置通信、手势支持，以及消除无意触摸的能力。用户可以实现多点触摸手势（收缩、拉伸等），同时拒绝无意触摸，比如放置在屏幕上的手。所有这些关键特性将智能手机体验带入了现代汽车中。

专用固件和高信噪比（ s i g n a l - t o -n o i s e ）使得新器件成为适用于非常嘈杂环境的理想选择。由于高信噪比才能实现“戴手套”手指触摸的检测，故这些器件完全支持戴手套手指在汽车触摸屏上的操作。新的触摸器件符合AEC-Q1 0 0标准，并且完全符合汽车品质要求，可满足在汽车中控台（ a u t o mo t i v e c e n t e r s t a c k ）、导航系统、无线接口或后座娱乐系统中实现单层（ s i n g l e - l a y e r ）无屏蔽设计。

S p a n s i o n投产新闪存，即1 6 Mb、3 2 Mb与6 4 Mb S p a n s i o n F L - 1 K串行闪存。这一系列产品支持单、双、四输入/输出，最高可达1 0 8 MHz时钟频率、具有更为灵活高效的4 KB扇区分配与更加安全等特点，能够满足包括机顶盒、数字电视、打印机、家庭网络、汽车、智能仪表、平板电脑以及下一代电脑等在内的诸多电子设备的需求。

整个S p a n s i o n F L串行闪存产品系列的容量从4 Mb～1 Gb具有多种规格，能够满足嵌入式应用的广泛需求。这些应用涵盖单、双、四口读取操作的输入/输出选择，以及能够将系统读取吞吐量加倍的双数据速率（D D R）模式。

S p a n s i o n

电话：0 1 0 - 8 5 7 1 - 2 1 2 2

http：//

在变化多端的应用中，T e mp - F l e x同轴电缆具有极其稳定的电气性能，以及极小的阻抗和插入损耗变化。高度一致的制作工艺确保了极小的机械公差：0 . 0 4 7英寸、0 . 0 8 6英寸， 0 . 1 4 1英寸屏蔽OD结构。柔性微波同轴电缆提供了1 0 0 d B或更大的屏蔽效能并保护信号免受内部和外部干扰。

该电缆可满足高频航天、国防和商业应用中的雷达、军用车辆、卫星、航天、导弹、射频（ r a d i o f r e q u e n c y，R F ）消融、测试和测量设备中。

S RDA3 . 3系列瞬态抑制二极管将低电容控向二极管与附加的齐纳二极管相结合，以保护数据线路免受静电放电（ES D）和高浪涌事故的危害。S R D A 3 . 3系列器件的保护能力比其他可用解决方案高4 0 %，且性能毫不逊色。这些器件的瞬变功耗最高为6 0 0 W，电源处理能力比同类解决方案高出2 0 %。S RDA 3 . 3系列的低负载电容为1 0 p F （最大值），比其他解决方案低5 0 %，这使得该产品成为保护电信接口的理想选择，且无须牺牲信号的完整性。应用包括T 1 / E 1 / T 3 / E 3高速电信数据线、x DS L接口、RS - 2 3 2 / RS - 4 8 5接口、1 0 / 1 0 0以太网接口和视频线的第三级（I C侧）保护。

P L E Dx S W系列L E D保护器兼容1、2和3瓦的L E D灯。其小尺寸、超小型的封装可高效散热，因此是密集型电路板应用的理想选择。与硅控整流器（S CR）和齐纳二极管等之前的L E D开路保护解决方案相比，此产品具有更高的可靠性和更低的维护要求。例如，S CR通常体积较大，并需要电阻器等额外的元件来设置触发电压或接通电压，而且其触发电压随着温度的变化会有较大的起伏。在被保护的L E D出现开路故障时，齐纳二极管会造成额外的功率耗损。这类产品也不适合用于较高的直流电流，否则会缩短其寿命或导致灾难性故障。

这款全新的单路输出电源可提供2 4 V的额定输出，输出电压可在额定值的±1 0 %范围内上下调整。此外，L CM1 5 0 0系列的这款最新产品还配备先进的数字控制环路，确保在极宽范围内无论负载大小也可发挥最高的效率，以满载时为例，其转换效率便高达9 1 %以上，功率因数达0 . 9 9（典型值），功率密度则达1 2 W/ c u i n。这款L CM1 5 0 0 Q - T - 4电源另外还配备5 V的待机电压，因此即使设备名义上已关闭，O E M厂商预设的待机功能仍可获得支持。

新款2 5 V I RFH4 2 5 1 D和I RF H4 2 5 3 D采用I R的新一代硅技术和崭新的5 mm×6 mm P QF N封装，提供功率密度的新标准。全新电源模块组件配有高度集成的单片式F E TKY，其创新的封装采用顶尖的翻模（ f l i p p e d - d i e ）技术，可以将同步MOS F E T源直接连接到电路板的地线层以实现有效散热。由于具有更强的散热性能和功率密度，任何一个采用5 mm×6 mm封装的新组件都可以替换采用5 mm×6 mm封装的两个标准独立组件。全新封装还采用已在P o wI R S t a g e和S u p I R B u c k中广泛使

L TC 3 6 7 6的4个恒定频率电流模式降压型开关稳压器在内部进行补偿，并提供了高达2 . 5 A、2 . 5 A、1 . 5 A和1 . 5 A的输出电流，而且具有完整的I2C控制，包括可选的开关频率（ 2 . 2 5 MHz或1 . 1 2 5 MHz ）和定相。该器件的上电默认频率为2 . 2 5 MHz，并拥有用于降低E MI的开关边缘速率调节功能。每个降压转换器具有一个基于D AC的动态受控输出基准和一个外部反馈引脚，以设定标称输出电压范围。

F AN2 3 x x系列可极大地提升终端用户应用在非常宽的负载范围内的效率。该系列由集成式P OL调节器组成，包含恒定导通时间的P WM控制器，以及带有高端和低端MO S F E T的驱动器。

T i n y B u c k调节器可在高达1 . 5 MHz的开关频率下运行，使客户获得高效率，同时减少所需的电感和电容（ LC ）数。该系列的器件可获得与等效分立式解决方案相同的效率，而那些分立式解决方案的开关频率仅为这些器件的一半。

主要特点：带P F M模式的恒定导通时间控制器；带P F M模式的恒定导通时间控制器；最大程度减少外部元器件数目，降低B O M成本并增加系统可靠性。

F a i r c h i l d S e m i c o n d u c t o r

电话：0 7 5 5 - 8 2 4 6 - 3 0 8 8

http：//

该DRV 3 2 x x - Q 1系列目前包含4款支持内建诊断功能的三相位无刷前置F E T电机驱动器。D RV 3 2 0 2 - Q 1可为汽车系统设计人员提供集成型电源管理与CAN接口，能够帮助他们在安全关键性应用中缩小板级空间，降低设计复杂性。D R V 3 2 0 3 - Q 1与D R V 3 2 0 4 - Q 1可帮助TI客户设计符合AS I L - B标准的安全关键性应用。

DRV 3 2 x x - Q 1系列的特点：集成稳压器与C A N接口，可减少组件数量，最大限度降低系统成本和缩小板级空间；集成前置F E T驱动器短路、过/欠压以及过温等硬连线诊断电路；具有集成型升压稳压器，无须大型电容器保持电池电压。

该系列新增的3款最新电机驱动器可为设计人员提供节省空间的高可靠性选项，帮助他们应对空间限制以及如高温、低电压启停与冷启动等恶劣条件的挑战。

RI G OL M3 0 0数据采集/开关系统普遍应用于生产线，科研院所和高校实验室。针对研发阶段的产品性能测试、生产过程中的自动化测试等多测试点、多种信号测量应用，M3 0 0系列将精密的测量性能与灵活的信号连接功能相结合，可提供高效便捷的解决方案。

RI GOL M3 0 0数据采集/开关系统可以脱离P C，独立作为一台设备运行；提供5个模块槽位，单卡最多6 4通道，整机支持多达3 2 0个切换通道，提高测试速度的同时，大大降低了单通道测试成本。M3 0 0系列有高达1 0 0 K的带时间戳完整的数据缓存，可以通过US B接口直接进行数据存储。M3 0 0系列提供了US B D e v i c e、US B Ho s t、G P I B、L A N （ L X I C o r e D e v i c e 2 0 1 1 ）、R S 2 3 2等多种接口。

RI GOL M3 0 0数据采集/开关系统提供1 0种可以选择的模块，包括：DMM模块，3 2通道多路复用器，6 4通道单端多路复用器，干簧3 2通道多路复用器，干簧6 4通道单端多路复用器，2 0个电压通道+ 4个电流通道混合多路复用器，1 6通道执行器，多功能模块，4×8双线矩阵开关，双4通道射频多路复用器。可以全面满足多通道、大数据量的各种测试测量需要。

泰克推出针对四通道SFP接口（ QS F P + ）兼容产品的一致性测试和调试解决方案。该Q S F P +解决方案基于泰克D P O / D S A / MS O 7 0 0 0 0示波器，包括用于设计、测试和验证Q S F P +设计需要的所有组件、HC B夹具以及测试自动化和调试软件工具。

MS O 7 0 0 0 0 D X系列的数字通道相连的1 6个信号中任意一个信号的模拟特征，而无须改变探头或连接。这些MS O和D P O机型在最大电压设置值下具有6 0 0 mV / d i v（6 V满量程）的更宽动态范围，记录长度为1 G样点/通道（共2个通道）。处理器速度也得到提高，支持对更长记录的更快解码。此外，这些示波器还支持大于3 0 0 0 0 0 wf ms / s的采样速率。

La bVI EW推出2 0 1 3新版本，L a b V I E W 2 0 1 3的新特性包括：经简化的程序框图注释导航和布局；更新的模板、范例和在线培训课程；访问庞大的第三方附加组件网络——L a b VI E W工具网络。

L a b V I E W 2 0 1 3拥有更新、更为强大的技术，它不仅支持N I L i n u x实时操作系统，方便开发人员访问动态、社区数据库，还是全新c RI O - 9 0 6 8软件定制的控制器的基础。

N I

电话：8 0 0 - 8 2 0 - 3 6 2 2

集成电路篇3

NJM2367只需7个外接元件，散热板的安装也相当简单，外壳封装为塑料TO-220（5个引脚）型。它是新日本无线公司的新产品。附表为它的主要电气特性。图1所示为它的引脚排列，图2为输入12V、使用NJM2367实现输出5V/5A的DC-DC变换器电路，图3所示为在实验板上实测的NJM2367主要输出特性。

电路与印制版的设计

1.电感L1

图2中的L1是这样设定的，即在L1中流过的脉动电流峰值应小于最大电流的10%，也就是要小于0.5A。如果脉动电流超过上述值，则NJM2367内部的过电流保护电路动作，输出截止。电感的铁芯宜采用允许大电流工作的环形铁芯。

将NJM2367内部的功率晶体管饱和压降记作Vset[V]，接通时间记作ton[s]，在L1中流过的脉动电流记作ΔIL[A]，输入电压记作Vin[V]，输出电压记作Vout[V]，则L1[H]可由下式求得：

L1=(Vin-Vset-Vout)ton/IL

图2中Vin=12V，Vset=1.8V，Vout=5V，ton=11.1μs，ΔIL≤0.5A，求得L1≈115μH，为留有余量，选定L1为180μH。

2.输出电容Cout

作为Cout电容，若选用等效串联电阻（ESR）低的器件，则可以有效地降低输出脉动噪声。通常，电容量越大，ESR也越大。因此比起使用单个大容量电容来说，还不如采用数个电容并联连接的结构形式更为有效。但由于在各电容中流过的脉动电流大小是不相等的，因此，如果使用不同特性的电容，则电流将集中于某个特定的电容中，从而有可能缩短该电容的使用寿命。

把脉动电压记作VRP-P，ESR与输出脉动电压的关系如下式所示：

ESR=VRP-P/IL

实际上，在大多数情况下，根据留有余量的原则，设定ESR为不大于上式计算值的1/2。

3.印制版电路的布线

图2中用粗黑线画的部分为较大的开关电流流经的电路，所以在电路连接时必须采用粗而短的线路来降低电路的阻抗。如果用细的线路连接，电路将产生很大的发射噪声，或者有可能使电路不能稳定地工作。开关电流的流动路径如下：

开关接通时，输入电容功率晶体管电感输出电容。

开关断开时，电感输出电容地二极管电感。

当随意地连接线路时，在输出端将会产生800mVp-p左右的尖峰脉冲噪声。因此采用单点接地的配线方法，使电路不形成公共阻抗，并使必要的线路尽可能地粗和短，这将使脉动电压得到明显的改善，达到小于100mVp-p的水平。

在图2电路中，当需要设定的输出电压高于5V时，可以追加虚线部分的电阻R1，并对R1进行调整。虚线电路中加接D1的作用，是当负载急剧变动时，为了防止IC遭到破坏而加入的保护性肖特基二极管。

内部电路工作状态

如图2所示，NJM2367内部含有基准电源、振荡电路、误差放大器、PWM电路和功率晶体管等，开关频率固定为72kHz。

为了使NJM2367在5个引脚、单片封装情况下输出5A的大电流，在IC电路中采取了下述措施：

1.低损耗和节省空间的过流保护电路

我们知道，对于使用电流取样电阻的过电流检出电路来说，由于在电阻上需要消耗一个恒定的较大的功率，因而它的电路效率很低。特别是在输出电流超过5A的DC-DC变换电路中，我们几乎无法忽视这种损耗。而在NJM2367中，采用将一个小功率晶体管同开关晶体管相并联连接的方法，通过检出该晶体管中流过的电流比值大小来使保护电路动作。

集成电路篇4

建设集成电路设计相关课程的视频教学资源，包括集成电路设计基础理论课程讲授视频、典型案例设计讲解视频、集成电路制造工艺视频等；构建集教师、博士研究生、硕士研究生和本科生于一体的设计数据共享平台。集成电路设计是一项知识密集的复杂工作，随着该行业技术的不断进步，传统教学模式在内容上没法完全展示集成电路的设计过程和设计方法，尤其不能展示基于EDA软件进行的设计仿真分析，这势必会严重影响教学效果。另外，由于课时量有限，学生在课堂上只能形成对集成电路的初步了解，若在其业余时间能够通过视频教程系统地学习集成电路设计的相关知识，在进行设计时能够借鉴共享平台中的相关方案，将能很好地激发学生学习的积极性，显著提高教学效果。

二、优化课程教学方式方法

以多媒体教学为主，辅以必要的板书，力求给学生创造生动的课堂氛围；以充分调动学生学习积极性和提升学生设计能力的目标为导向[3]，重点探索启发式、探究式、讨论式、参与式、翻转课堂等教学模式，激励学生自主学习；在教学讲义的各章节中添加最新知识，期末开展前沿专题讨论，帮助学生掌握学科前沿动态。传统教学模式以板书为主，不能满足集成电路设计课程信息量大的需求，借助多媒体手段可将大量前沿资讯和设计实例等信息展现给学生。由于集成电路设计理论基础课程较为枯燥乏味，传统的“老师讲、学生听”的教学模式容易激起学生的厌学情绪，课堂教学中应注意结合生产和生活实际进行讲解，多列举一些生动的实例，充分调动学生的积极性。另外，关于集成电路设计的书籍虽然很多，但是在深度和广度方面都较适合作为本科生教材的却很少，即便有也是出版时间较为久远，跟不上集成电路行业的快速发展节奏，选择一些较新的设计作为案例讲解、鼓励学生浏览一些行业资讯网站和论坛、开展前沿专题讲座等可弥补教材和行业情况的脱节。

三、改革课程考核方式

改革课程考核、评价模式，一方面通过习题考核学生对基础知识和基本理论的掌握情况；另一方面，通过项目实践考核学生的基本技能，加大对学生的学习过程考核，突出对学生分析问题和解决问题能力、动手能力的考察；再者，在项目实践中鼓励学生勇于打破常规，充分发挥自己的主观能动性，培养学生的创新意识。传统“一张试卷”的考核方式太过死板、内容局限，不能充分体现学生的学习水平。集成电路设计牵涉到物理、数学、计算机、工程技术等多个学科的知识，要求学生既要有扎实的基础知识和理论基础，又要有很好的灵活性。因此，集成电路设计课程的考核应该是理论考试和项目实践考核相结合，另外，考核是评价学生学习情况的一种手段，也应该是帮助学生总结和完善课程学习内容的一个途径，课程考核不仅要看学生的学习成果，也要看学生应用所学知识的发散思维和创新能力。

四、加强实践教学

在理论课程讲解到集成电路的最小单元电路时就要求学生首先进行模拟仿真实验，然后随着课程的推进进行设计性实验，倡导自选性、协作性实验。理论课程讲授完后，在暑期学期集中进行综合性、更深层次的设计性实验。集成电路设计是一门实践性很强的课程，必须通过大量的项目实践夯实学生的基础知识水平、锻炼学生分析和解决问题的能力。另外，“设计”要求具备自主创新意识和团队协作能力，应在实践教学中鼓励学生打破常规、灵活运用基础知识、充分发挥自身特点并和团队成员形成优势互补，锻炼和提升创新能力和团队协作能力。

五、总结

集成电路篇5

由于时钟树工作在高频状态,随着芯片规模增大,时钟树规模也迅速增大,通过集成clockgating电路降低时钟树功耗是目前时序数字电路系统设计时节省功耗最有效的处理方法。Clockgating的集成可以在RTL设计阶段实现,也可以在综合阶段用工具进行自动插入。由于利用综合工具在RTL转换成门级网表时自动插入clockgating的方法简单高效,对RTL无需进行改动,是目前广为采用的clockgating集成方法。

本文将详细介绍clockgating的基本原理以及适用的各种clockgating策略,在实际设计中,应根据设计的特点来选择合适的clockgating,从而实现面积和功耗的优化。综合工具在对design自动插入clockgating是需要满足一定条件的:寄存器组(registerbank)使用相同的clock信号以及相同的同步使能信号,这里所说的同步使能信号包括同步set/reset或者同步loadenable等。图1即为没有应用clockgating技术的一组registerbank门级电路,这组registerbank有相同的CLK作为clock信号,EN作为同步使能信号,当EN为0时,register的输出通过选择器反馈给其输入端保持数据有效,只有当EN为1时,register才会输入新的DATAIN。可以看出,即使在EN为0时,registerbank的数据处于保持状态,但由于clk一直存在,clktree上的buffer以及register一直在耗电,同时选择电路也会产生功耗。

综合工具如果使用clockgating技术,那么对应的RTL综合所得的门级网表电路将如图2所示。图中增加了由LATCH和AND所组成的clockgatingcell,LATCH的LD输入端为registerbank的使能信号,LG端(即为LATCH的时钟电平端)为CLK的反,LATCH的输出ENL和CLK信号相与(ENCLK)作为registerbank的时钟信号。如果使能信号EN为高电平,当CLK为低时,LATCH将输出EN的高电平,并在CLK为高时,锁定高电平输出,得到ENCLK,显然ENCLK的togglerate要低于CLK,registerbank只在ENCLK的上升沿进行新的数据输出,在其他时候保持原先的DATAOUT。从电路结构进行对比,对于一组registerbank(n个registercell)而言只需增加一个clockgatingcell,可以减少n个二路选择器,节省了面积和功耗。从时序分析而言,插入clockgatingcell之后的registerbankENCLK的togglerate明显减少,同时LATCHcell的引入抑制了EN信号对registerbank的干扰,防止误触发。所以从面积/功耗/噪声干扰方面而言,clockgating技术都具有明显优势。

对于日益复杂的时序集成电路,可以根据design的结构特点,以前面所述的基本clockgating技术为基础实现多种复杂有效的clockgating技术,包括模块级别(modulelevel)clockgating,增强型(enhanced)clockgating以及多级型和层次型clockgating技术。模块级别的clockgating技术是在design中搜寻具备clockgat-ing条件的各个模块,当模块有同步控制使能信号和共同CLK时,将这些模块分别进行clockgating,而模块内部的registerbank仍可以再进行独立的clockgating,也就是说模块级别clockgating技术是可以和基本的registerbankclockgating同时使用。如果reg-isterbank只有2bit的register,常规基本的clockgating技术是不适用的,增强型和多级型clockgating都是通过提取各组registerbank的共同使能信号,而每组registerbank有各自的使能信号来实现降低togglerate。而层次型clockgating技术是在不同模块间搜寻具备可以clockgating的register,也即提取不同模块之间的共同使能信号和相关的CLK。

集成电路篇6

第一条　标的物：委托芯片名称_________（icno._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。

第二条　功能规格确认

一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。

二、甲方的布图（layout）资料，概以甲方填写之tapeoutform为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（layout）作任何计算机软件辅助验证。

三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（wat）值为准，甲方不得作特殊要求。

四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。

第三条　样品试制进度

一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。

二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。

第四条　样品之确认

一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（layout）与tapeoutform不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。

二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及tapeoutform中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向乙方提出异议。如甲方未于此肆拾伍日之期限内向乙方提出异议，则视为样品已为甲方所确认。

三、乙方应于收到甲方所提之异议书拾伍个工作日内，将该异议交由第三公正单位评定。若甲方所提出之异议经评定，其系可归责予乙方时，乙方应要求代工厂重新制作样品。新样品之测试与确认，仍依本合约第二条第二、三及四款规定行之。除本项规定重新制作之外，甲方对乙方不得为任何其它赔偿之请求。

四、如新样品仍与甲方指定之规格不符，则甲方得要求终止合约。惟甲方不得向乙方索回已付予乙方之费用，且不得就本合约对乙方为任何损害赔偿请求，乙方亦不得向甲方请求任何除已付费用外之补偿。

第五条　试制费用试制费用依乙方订定之计费标准为准。

第六条　付款方式

一、甲方填送委托制作申请单、委托制作集成电路合约书及tapeoutform电子文件，连同拟下线的布局档案资料传送至乙方，并由乙方寄送芯片制作缴款通知函予甲方。

二、甲方收到芯片制作缴款通知函一个月内应以即期支票支付费用予乙方，乙方于收到费用后始制寄发票寄予甲方。甲方需于付款后始能领取该标的物。

第七条　专利权或著作权甲方保证所委托之设计案布图（layout）资料绝无任何违反专利权或著作权法之相关规定，或侵害他人智能财产权之情事，若有涉及侵害他人权利之情形，概由甲方负责，如造成乙方损害，并应赔偿之。

第八条　所有权与使用权与本设计案有关之光罩及制程资料之所有权与使用权均归属乙方。甲方为制作光罩需要、同意乙方将布局图资料交由乙方委托之代工厂，但乙方应责成代工厂严守保密责任。

第九条　保密甲方所提供本设计案之布局图（layout）及光罩均为甲方机密资料，非经甲方书面同意，乙方及其所委托之代工厂不得将该资料泄漏予任何第三者，亦不得将相关之资料、文件，挪作与履行本合约义务无关之其它用途，或提供给任何第三者使用。

第十条　不可抗力本合约因天灾、战争或其它非可归责于双方当事人之事由，致无法履行时，一方应于事由发生时通知他方，并本诚实信用原则，协助他方将损害减到最低。

第十一条　合约有效期限

一、本合约自签约日起生效，至签约日起满二年自动失效，期满后经双方同意得另以书面续约。

二、本合约于合约期限届至前可因下列事由终止之：

（一）双方书面同意

（二）甲方依第四条第四款规定终止合约

（三）如甲方有受破产宣告、清算、重整等事由，或其负责人犯法定刑为三年以上有期徒刑之罪，乙方得不经预告终止之

（四）甲方所交付之布局图有侵害他人智能财产权之情事时，乙方得不经预告终止之。

第十二条　合意管辖因本合约所生争议，双方合意以_________法院为第一审管辖法院。

第十三条　本合约若有未尽事宜，悉依_________有关法令规定定之。

第十四条　本合约附件为合约之一部，与本合约有同一效力。

第十五条　本合约之修订、变更或增删，非经双方书面同意不得为之。

第十六条　本合约壹式贰份，甲乙双方各执壹份为凭，印花税各自负担。

甲方（盖章）：_______乙方（盖章）：_______

负责人（签字）：_____人（签字）：_____

地址：_______________地址：_______________

_______年____月____日_______年____月____日

附件：

委托芯片制作申请表（94年度）

委

托

机

构

资

料

收据抬头：____________________________________

统一编号：__________________传真：_____________

负 责 人：__________________电话：_____________

联 络 人：__________________电话：_____________

联络地址：____________________________________

e-mail　：____________________________________

工 程 师：__________________电话：_____________

e-mail　：____________________________________

委托机构签章：

订

单

：

委

托

内

容

请注意

1.申请者填写委托内容前，请详阅「产研界芯片制作申请须知与说明(＿＿年度)。

2.委托芯片制作案数超过8个时，请再填一张「产研界委托制作芯片申请表。

3.包装：请列出包装材料及数量，例：28s/b x 8。不需包装者免填。

4.追加晶粒：以单位计算。

申请梯次：__________________使用制程：__________________

欲申请芯片制作(请依下线优先级)：

1. 芯片名称：________，面积：____x____mm2，包装：____，追加晶粒：____

2. 芯片名称：________，面积：____x____mm2，包装：____，追加晶粒：____

3. 芯片名称：________，面积：____x____mm2，包装：____，追加晶粒：____

4. 芯片名称：________，面积：____x____mm2，包装：____，追加晶粒：____

缴

交

资

料

1.产研界委托芯片制作申请表：本页

2.产研界委托制作集成电路合约书：一式二页

3.布局文件资料：缴送方式(　)磁带，(　)磁盘，(　)光盘片，(　)ftp，

ftp no. : ____

请注意：产研界/学校自费下线布局文件及缴交注意事项

网址： ____

4.接脚图(请使用____提供之接脚图，不需包装者免交。)

领

取

晶

片

领取方式：

自取　代领　邮寄

签名：________________

付款

此栏由本中心填写：

ic编号：

报价单及缴款通知函

集成电路篇7

在非微电子专业如计算机、通信、信号处理、自动化、机械等专业开设集成电路设计技术相关课程，一方面，这些专业的学生有电子电路基础知识，又有自己本专业的知识，可以从本专业的系统角度来理解和设计集成电路芯片，非常适合进行各种应用的集成电路芯片设计阶段的工作，这些专业也是目前芯片设计需求最旺盛的领域；另一方面，对于这些专业学生的应用特点，不宜也不可能开设微电子专业的所有课程，也不宜将集成电路设计阶段的许多技术（如低功耗设计、可测性设计等）开设为单独课程，而是要将相应课程整合，开设一到二门集成电路设计的综合课程，使学生既能够掌握集成电路设计基本技术流程，也能够了解集成电路设计方面更深层的技术和发展趋势。因此，在课程的具体设置上，应该把握以下原则。理论讲授与实践操作并重集成电路设计技术是一门实践性非常强的课程。随着电子信息技术的飞速发展，采用EDA工具进行电路辅助设计，已经成为集成电路芯片主流的设计方法。因此，在理解电路和芯片设计的基本原理和流程的基础上，了解和掌握相关设计工具，是掌握集成电路设计技术的重要环节。技能培训与前瞻理论皆有在课程的内容设置中，既要有使学生掌握集成电路芯片设计能力和技术的讲授和实践，又有对集成电路芯片设计新技术和更高层技术的介绍。这样通过本门课程的学习，一方面，学员掌握了一项实实在在有用的技术；另一方面，学员了解了该项技术的更深和更新的知识，有利于在硕、博士阶段或者在工作岗位上，对集成电路芯片设计技术的继续研究和学习。基础理论和技术流程隔离由于是针对非微电子专业开设的课程，因此在课程讲授中不涉及电路设计的一些原理性知识，如半导体物理及器件、集成电路的工艺原理等，而是将主要精力放在集成电路芯片的设计与实现技术上，这样非微电子专业的学生能够很容易入门，提高其学习兴趣和热情。

2非微电子专业集成电路设计课程实践

根据以上原则，信息工程大学根据具体实际，在计算机、通信、信号处理、密码等相关专业开设集成电路芯片设计技术课程，根据近两年的教学情况来看，取得良好的效果。该课程的主要特点如下。优化的理论授课内容

1）集成电路芯片设计概论：介绍IC设计的基本概念、IC设计的关键技术、IC技术的发展和趋势等内容。使学员对IC设计技术有一个大概而全面的了解，了解IC设计技术的发展历程及基本情况，理解IC设计技术的基本概念；了解IC设计发展趋势和新技术，包括软硬件协同设计技术、IC低功耗设计技术、IC可重用设计技术等。

2）IC产业链及设计流程：介绍集成电路产业的历史变革、目前形成的“四业分工”，以及数字IC设计流程等内容。使学员了解集成电路产业的变革和分工，了解设计、制造、封装、测试等环节的一些基本情况，了解数字IC的整个设计流程，包括代码编写与仿真、逻辑综合与布局布线、时序验证与物理验证及芯片面积优化、时钟树综合、扫描链插入等内容。

3）RTL硬件描述语言基础：主要讲授Verilog硬件描述语言的基本语法、描述方式、设计方法等内容。使学员能够初步掌握使用硬件描述语言进行数字逻辑电路设计的基本语法，了解大型电路芯片的基本设计规则和设计方法，并通过设计实践学习和巩固硬件电路代码编写和调试能力。

4）系统集成设计基础：主要讲授更高层次的集成电路芯片如片上系统（SoC）、片上网络（NoC）的基本概念和集成设计方法。使学员初步了解大规模系统级芯片架构设计的基础方法及主要片内嵌入式处理器核。丰富的实践操作内容

1）Verilog代码设计实践：学习通过课下编码、上机调试等方式，初步掌握使用Verilog硬件描述语言进行基本数字逻辑电路设计的能力，并通过给定的IP核或代码模块的集成，掌握大型芯片电路的集成设计能力。

2）IC前端设计基础实践：依托Synopsys公司数字集成电路前端设计平台DesignCompiler，使学员通过上机演练，初步掌握使用DesignCompiler进行集成电路前端设计的流程和方法，主要包括RTL综合、时序约束、时序优化、可测性设计等内容。

3）IC后端设计基础实践：依托Synopsys公司数字集成电路后端设计平台ICCompiler，使学员通过上机演练，初步掌握使用ICCompiler进行集成电路后端设计的流程和方法，主要包括后端设计准备、版图规划与电源规划、物理综合与全局优化、时钟树综合、布线操作、物理验证与最终优化等内容。灵活的考核评价机制

1）IC设计基本知识笔试：通过闭卷考试的方式，考查学员队IC设计的一些基本知识，如基本概念、基本设计流程、简单的代码编写等。

2）IC设计上机实践操作：通过上机操作的形式，给定一个具体并相对简单的芯片设计代码，要求学员使用Synopsys公司数字集成电路设计前后端平台，完成整个芯片的前后端设计和验证流程。

3）IC设计相关领域报告：通过撰写报告的形式，要求学员查阅IC设计领域的相关技术文献，包括该领域的前沿研究技术、设计流程中相关技术点的深入研究、集成电路设计领域的发展历程和趋势等，撰写相应的专题报告。

3结语

集成电路篇8

【关键词】布局 电阻精度 集成电路版图

1 引言

随着集成电路的发展，半导体器件的特征尺寸不断减小，器件的工作速度越来越快，且工作电压越来越低，同时互连线宽也不断减小，使得芯片面积大大减小，降低了芯片设计的成本。同时版图设计过程中产生的一些寄生参数对芯片的影响会越来越大，版图质量的好坏，不仅关系到集成电路的功能是否正确，而且它也会极大程度地影响集成电路的性能、成本与功耗。本文在相同电路设计的前提下，改变版图布局方式，研究了不同版图布局对电阻精度的影响。文章第2节主要讲述目前电路常用的电阻版图实现方式，第3节以具体公式推导为依据，计算研究了不同版图布局对电阻精度的影响。第4节给出结论。

2 目前芯片内电阻常用的版图实现方式

电路中用到电阻时一般是比值要求，如各种电阻分压电路，R1：R2=7：4等，因此电阻的版图设计时首要考虑的是匹配的要求。电阻一般会遵循三个匹配的原则：电阻应该被放置相同的方向、相同的器件类型以及相互靠近。这些原则对于减少工艺误差对模拟器件功能的影响是非常有效的。具体来讲，首先我们要保证电阻使用相同的类型、相同的宽度、相同的长度以及相同的间距。

画匹配电阻时，应该先找最大公约数作为电阻的基本单元。首选大电阻，因为其匹配特性要比小电阻的匹配特性好。比如电阻串中存在2R，R，1/2R等阻值，选用R作为单位电阻，1/2R阻值由两个R电阻并联而得。而且，匹配电阻的两端必须加dummy电阻，保证尽可能精确地得到匹配电阻的宽度和长度。并且将dummy电阻两端短接到地。如图1所示。对于高精度的电阻，建议电阻的宽度为工艺最小宽度的5倍，这样能够有效降低工艺误差。对于阵列中有大量电阻的情况，使用交叉阵列电阻，把电阻放置成多层的结构，形成二维阵列。对于一些阻值小于20欧的电阻，使用金属层来做电阻，会得到更准确的阻值。

3 版图布局对电阻精度的影响

虽然多数电路用到电阻时常是比值要求，然而还有些电路中需要用到的是电阻的绝对值。比如带隙基准电压源中的自启动电路，需要用固定电压来得到电流值，或者电流镜电路，需要从固定电流得到电压值。此时，版图设计要以阻值的精确度为考虑的主要因素。而芯片的实际生产过程中因为环境原因会产生各种各样的偏差，比如光照衍射会导致电阻器件的宽度W和长度L偏差。本文对比了几种电阻布局方法，将单位电阻按照不同的方式和方向布局摆放，降低因为生产过程中尺寸偏差而造成的电阻绝对值偏差，提高电阻精度，使系统性能更稳定。

如图2所示，本文提出对电阻采用一字形布局方式，其中一半单元横向放置另一半单元竖向放置的布局方式，假设同一个电阻需要2N个单位电阻R组成，取其中N个单位电阻R竖向放置，另外N个单位电阻R旋转90度横向放置。总阻值不变，仍然为2N*R。使得电阻阻值变化率与电阻长度以及宽度偏差关联性降低，在不增加原有面积的基础上，提高了电阻的实际精度。

对于理想电阻，总电阻值Rt，其中Rsq是方块电阻，L是电阻的长度，W是电阻的宽度。

假设在生产过程中，L方向变化了a倍，W方向变化了b倍，对于现有的电阻布局方式，总电阻Rt'，

参见表1，是如图1所示常用电阻布局方式的电阻变化率，随着电阻宽度和长度偏移量的不同而不同，假设长度变化幅度ΔL和宽度变化幅度ΔW都为-30%～30%，电阻变化率为-41%～85%。

对于本文中的电阻布局方式，旋转90度横向放置的N个单位电阻的宽度和长度与竖向放置的N个单位电阻趋势相反，即竖向电阻单元L变化a倍，但横向电阻单元W变化a倍。因此总电阻Rt''为：

参见表2，是本文提出的如图2所示一字型电阻布局方式的电阻变化率，随着电阻宽度和长度偏移量的不同而不同，假设长度变化幅度ΔL和宽度变化幅度ΔW都为-30%～30%，电阻变化率为0%～19.78%。变化范围远远小于常用电阻布局方式的变化率。

同时，在一字型布局的基础上，路的版图布局也可灵活修改，对于不同长度的电阻，可采用回字形布局方式，或者人字形布局方式。使横向电阻和纵向电阻总数为N个，或者使横向电阻的总长度和纵向电阻的总长度一致，则尺寸偏差对电阻值的影响与一字型布局方式中尺寸偏差对电阻值的影响相同。

如图3所示，电阻可采用回字形布局方式，2N个单位电阻平均分成四组，每组有N/2个单位电阻，第一组和第三组竖向放置，第二组和第四组中的N/2个单位电阻横向放置，四组依次连接形成一个回字。

如图4所示，还可以对电阻采用人字形布局方式，2N个单位电阻平均分成六组，每组有N/3个单位电阻，第一组中的位于首位的单位电阻的一端为输入端；第六组中位于末位的单位电阻的另一端为输出端；六组依次连接形成一个人字。

4 结论

本文通过改变版图布局的方式，尽可能的减小工艺对电阻精度的影响。电阻可采用一字形布局方式，即其中一半单元横向放置另一半单元竖向放置的布局方式。对于不同长度的电阻，也可选用回字形或者人字形布局方式，使横向电阻的总长度和纵向电阻的总长度一致，从而会使电阻阻值变化率与电阻长度以及宽度偏差关联性降低，在不增加原有版图面积的基础上，大大提高了电阻的实际精度。

参考文献

[1]Alan Hastings，”The art of Analog Layout”P253-P256[J].电子工业出版社，2007.

作者简介

刘静（1982-），女，河北省沧州市人。硕士学位。高级工程师，从事DRAM/Flash 芯片中版图设计工作。

集成电路篇9

「关键词SLE4520SPWM变频电路应用

一、SLE4520的引脚排列及功能

SLE4520为双列直插式28脚大规模集成电路，如图1所示。它有13个输入端、5个控制端、8个输出端、2个电源端。

1．输入端

(1) XTAL1 （引脚2）、XTAL2（引脚3）：外接晶振输入端。可外接12MHz晶振，为SLE4520内部各单元电路提供一个外接参考时钟。

(2) P7～P0（引脚4～11）：8位数据输入端，其功能是将单片机输出的指令或数据送入SLE4520，实际接线与单片机CPU的8位数据总线相连。

(3) SYNC（引脚27）：来自微机的触发脉冲信号输入端。该引脚控制着SLE4520内部的3个可预置8位计数器是否开始进行递减运算，应用中接单片机的输出。

(4) （引脚24）：来自微机的脉冲信号输入端，与单片机的线相连。当该端为低电平时，将单片机输出的地址数据信号写入SLE4520内部的锁存器中。

(5) ALE（引脚25）：地址锁存允许输出端，与单片机的ALE线相连。其功能是与来自单片机的WR信号一起决定SLE4520内部的三个8位数据寄存器与两个4位控制寄存器根据程序中设定的地址信号进行选择，当ALE为高电平时，端写入的是地址信号，否则写入的为数据信号。

2．控制端

(1) CLEAR STATUS（引脚21）、SET、STATUS（引脚22）：通断状态触发器的两个输入端，即清零端与置位端，可接保护电路的输出或接微机的输出。清零端有效则开通SLE4520的SPWM信号输出端；置位端有效则关断SPWM信号输出端。

(2) RES（引脚23）：SLE4520的复位端，可与微机复位电路的输出相连。该引脚为高电平时，使SLE4520内部各状态锁存器、计数器等复位，保证开机时从相同的状态开始工作。

(3) CS（引脚26）：SLE4520的片选信号输入端，可与微机系统的译码电路输出端相连。该端为高电平时，SLE4520芯片被选通工作；为低电平时，该芯片不工作。

(4) INHI BIT（引脚19）：脉冲封锁端，接保护电路的输出。该端为高电平时，SLE4520的输出全被封锁，可用作变频器各种故障保护的封锁脉冲端。

3．输出端

(1) PHl/1（引脚18）、PHl/2（引脚17）、PH2/1（引脚16）、PH2/2（引脚14），PH3/1（引脚13）、PH3/2（引脚12）：分别为变频器A、B、C三相上、下桥臂开关器件的控制信号输入端，接三相变频器驱动电路的输入端，提供驱动三相变频器的SPWM信号。

(2) STATUS（引脚20）：通断状态触发器的输出端，可接一个指示器，用以指示SLFA520的状态是在输出驱动变频器状态还是在封锁输出状态。

(3) CLK OUT、（引脚28）：晶振频率输出端，接微机的时钟信号输入端，使微机系统的时钟与SLE4520的时钟保持同步。

4．电源端

(1) （引脚1）：电源正端，接+5V电源。

(2) （脚15）：电源负端，接地。

二、SLE4520电路结构及工作原理

1．电路结构

SLE4520的内部结构如图2所示。它的内部有一个死区时间形成及封锁单元，一个四位死区（互锁）时间寄存器，三个过零检测器，三个可预置计数器，三个8位数据寄存器，一个4分频锁存器和一个1n预置分频器，一个14地址译码锁存器及一个通断控制触发器等共17个单元线路。这些单元线路分别与SLE4520的内部数据或控制总线相连。

2．工作原理

当STATUS和INHIBIT信号无效时，在信号为有效低电平时，单片机输出的地址数据经数据总线P0～P7写入 SLE4520内部的地址译码寄存器，接着单片机分别输出对应SPWM脉冲宽度的数据给A、B、C相的8位数据寄存器。当ALE和单片机的有效时，再令A、B、C相中的某个8位寄存器将SPWM脉宽数据装入对应的可预置计数器。进而由死区时间生成及输出寄存器根据死区寄存器设置的互锁时间输出该相主开关元件的SPWM脉冲控制信号。在实际应用的初始化设置中，INHIBIT端应置高电平，使六路输出脉冲全被封锁（置1），SLE4520的SPWM信号有效电平为低电平，最大可提供20mA的输出电流。下面列出SLE4520部分应用数据，SLE4520各内部寄存器的地址见表1；死区寄存器取值及产生的死区时间见表2；外接晶振为12MHz时，分频控制寄存器的取值见表3。

表1SLE4520内部寄存器地址表

表2SLE4520死区寄存器取值及产生的死区时间

表3分频控制寄存器的取值表

三、SLE4520应用举例

如上所述，SLE4520是一个可编程三相PWM集成电路，与微机配合使用能把三路8位数字量转换成三路脉宽调制信号，形成三相SPWM波，驱动三相功率开关器件。下面介绍SLE4520与8031微机系统配合使用形成SPWM波，驱动IGB'I、变频器的例子。系统框图如图3所示，电路结构分析如下。

(1) 将SLE4520的引脚1接+5 V，引脚15接地，引脚2与引脚3间接12 MHz晶振。将SLE4520的引脚23与8031的供电复位电路的输出相连，保证开机时以相同的状态开始工作。

(2) 8031的P0 8个I/O口与SLE4520的P0～P7相连，为数据总线。SLE4520的六路输出口（引脚18、17，引脚1 6、14，引脚13、12）接到驱动模块的输入端（接光耦合器发光二极管的阴极），以输出SPWM脉冲。

(3) SLE4520的SYNC端接至8031的P1．0口，由9031的CPU控制SLE4520内部的三个可预置的计数器同时启动。

(4) SLE4520的SET、STATUS接至外部故障电路的输出端，一旦故障出现时，该端口将对SLE4520的六路输出进行封锁。

(5) 将SLE4520的STATUS（20脚）与8031的相连，当保护电路中有任一故障出现，SLE4520被封锁时，将进行8031的中断服务程序，进行软件封锁和故障显示及报警。

(6) 给定频率由电位器RP设定，经积分电路和ADC0809模数转换器读入8031中。

集成电路篇10

目前我国已成为全球电子产品的主要制造和出口加工基地。

我们把国内集成电路市场定义为在大陆直接

>> 2004年中国集成电路应用市场剖析 2009年中国集成电路市场回顾与展望 2008年中国集成电路市场回顾与展望 2015年中国集成电路产业发展形势展望 2009年中国集成电路产业回顾与2010年发展展望 集成电路2016年下半年中国走势分析与判断 2004年中国证券市场展望 2004～2005年中国软件与IT服务市场回顾与展望 中国集成电路行业 进入攻坚年 浅谈集成电路应用 2009中国集成电路产业促进大会盛大召开 《2012中国集成电路设计业发展报告》的统计及结论 2010中国集成电路产业促进大会召开 2004年中国连锁百强 2004年中国反腐热点综述 中国集成电路企业在合作中多赢 2004年中国最具市场潜力的十大消费品类 集成电路产业图谱及市场 中国集成电路业人物地图 集成电路“中国芯” 常见问题解答 当前所在位置：中国 > 科技 > 2004年中国集成电路应用市场剖析 2004年中国集成电路应用市场剖析 杂志之家、写作服务和杂志订阅支持对公帐户付款！安全又可靠！ document.write("作者：未知 如您是作者，请告知我们")

申明:本网站内容仅用于学术交流，如有侵犯您的权益，请及时告知我们，本站将立即删除有关内容。 前言