半导体制造十篇
时间：2023-04-01 22:31:33
半导体制造篇1
关键词 半导体制造工艺 课程探索
中图分类号：G642 文献标识码：A 文章编号：1002-7661（2015）17-0001-02
《半导体制造工艺基础》以施敏所著教程为例，该课程在对基本原理介绍的基础上注重对工艺过程、工艺参数的描述以及工艺参数测量方法的介绍，并在半导体制造的几大工艺技术章节中加入了工艺模拟的内容，弥补了实践课程由于昂贵的设备及过高的实践费用而无法进行实践教学的缺憾。故熟练掌握《半导体制造工艺基础》将有助于我们加深对半导体制备的了解，为我们学习微电子专业打下坚实的基础。但目前《半导体制造工艺基础》在教学过程中还面临很多问题。在此背景下，我们将对《半导体制造工艺基础》课程进行教学探索。
一、教学内容的设置
《半导体制造工艺基础》的第一章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。《半导体制造工艺基础》最后三章集中讨论制版和综合。第九章通过介绍晶体工艺技术、集成器件和微机电系统加工等工艺流程，将各个独立的工艺步骤有机地整合在一起。第十章介绍集成电路制造流程中高层次的一些关键问题，包括电学测试、封装、工艺控制和成品率。第十一章探讨了半导体工业所面临的挑战，并展望了其未来的发展前景
二、教学中存在的问题
在教学过程中，从教学工作量来看，发现《半导体制造工艺基础》教学内容过多，根据学校安排的学时很难上完。从教学方法来看，传统的口述以及PPT展示教学方法很难达到预期的教学效果，原因在于这门课程实践性很强。书中的图片特别是工艺过程及工艺效果只是简单的图片展示。从教学深度来看，传统教学方法只是演示，学生对工艺的参数没有概念，故对书本上的内容理解的深度很是欠缺。
三、教学方法的改革
为了提高教学效果，故必须对传统的教学方法进行改革。将工艺仿真软件TSUPREM 4 进行同步仿真与书本相结合将是一个好的教学方法。工艺仿真不但能让学生更轻松的理解工艺内容，还能让学生体会到工艺参数的重要性。下面将结合书本对这种方法进行讲解。《半导体制造工艺基础》第一章介绍半导体工艺技术基本步骤，属于概论，为了节约课时对其内容有所了解即可。第2章介绍晶体生长从熔融硅中生长的区熔（float-zone）法单晶生长工艺，为了节约课时对其内容进行简单介绍即可。第3章介绍硅的氧化包括热氧化过程，由于氧化工艺是半导体工艺的重点内容，应详细阐述，并且教会学生应用工艺仿真软件TSUPREM 4 进行同步仿真，观察每一步氧化带来的硅片上结构的变化，对氧化的效果有直观的了解。第4章介绍光刻技术，采用工艺仿真软件TSUPREM 4 对硅片进行光刻，观察硅片上光刻图形的变化。第5章介绍了刻蚀包括湿法化学刻蚀和干法刻蚀，刻蚀技术是工艺的重要内容，要求学生采用工艺仿真软件TSUPREM 4 对刻蚀进行仿真，比较两种刻蚀方法的效果，并观察每步刻蚀带来的结构变化。第6章介绍了扩散包括非本征扩散，横向扩散。同样采用工艺仿真软件TSUPREM 4对扩散过程进行仿真验证，观察可扩散的温度，时间，离子的浓度等参数对扩散结构的影响，为重点教学内容。第7章介绍了离子注入。离子注入是半导体工艺的核心部分，也是常见的工艺步奏，通过采用工艺仿真软件TSUPREM 4离子注入进行模拟仿真，观察离子注入的浓度，能量，退火时间以及退火温度等参数对离子分布的影响，加深对工艺参数的理解。另外第8章介绍薄膜淀积。第9章介绍MOS工艺。第10章介绍集成电路制造，测试，封装等工艺技术。最后这三部分由于涉及到很多具体的器件和电路，内容较多故可以一个典型例子为例进行讲解，同样采用工艺仿真软件TSUPREM 4进行工艺仿真，学生能熟练掌握工艺仿真软件后面的内容可以自己进行仿真验证。
四、结束语
《半导体制造工艺基础》是一门实践性很强的课程，采用工艺仿真软件TSUPREM 4来模拟工艺过程将有助于加强学生对工艺的了解。让学生深入浅出的理解半导体制造流程还需从教学方法上进行进一步改革。c
参考文献：
[1]施敏.半导体制造工艺基础[M].合肥：安徽大学出版社，2007.
[2]刘秀琼，余学功.半导体制造技术课程教学改革实践[J].中国科教创新导刊，2014，（02）.
半导体制造篇2
GLOBALFOUNDRIES是由超威(AMD)和Advanced Technology Investment Company (ATIC) 合资成立的一家新的先进半导体制造公司。公司宣布正式开始营运，并阐述公司计划推展深入的变革和扩大在半导体产业中的机会。GLOBALFOUNDRIES由经验丰富的半导体管理团队领导，包括执行长Doug Grose（前超威制造营运资深副总裁）和董事长Hector Ruiz（前超威的执行主席兼董事长）。公司是唯一一家总部设在美国的全球半导体代工厂，营运初期全球约有2800名员工，总部在美国硅谷。
GLOBALFOUNDRIES将满足超威的生产需求，并透过其庞大的全球代工服务为第三方客户提供更强大的技术规划。这意味着首度不仅限于高端微处理器制造商，GLOBALFOUNDRIE亦能够运用先进技术及早实现大量生产芯片。
为了满足产业的长期需要，GLOBALFOUNDRIES正着手计划透过引进第二座300mm生产设备（块状硅制程（bulk silicon）将在2009年年底投产），以扩大其在德国德勒斯登（Dresden）的生产线。德勒斯登丛集（Dresden cluster）将易名为Fab 1，其中Module 1最初集中于生产高性能的45nm SOI技术，Module 2转为32nm块状硅技术。
除了Fab 1，公司还计划于2009年开始在纽约州Saratoga县的Luther Forest Technology Campus，耗资42亿美元建设新型先进的32nm和功能更精细的生产设备。这个新设备将命名为Fab 2，预计将为当地创造大约1400个新的直接工作职位和5000多个间接工作职位。一旦投入营运，Fab 2将是美国唯一独立管理的先进半导体制造代工厂，扭转制造业脱离美国的趋势。
GLOBALFOUNDRIES由制程解决方案的领导厂商AMD和着重先进技术机会的投资公司ATIC共同投资持有。
虽然经济衰退对半导体产业有负面影响，但这个产业的长期发展依旧强劲。面对不断增加的成本和复杂性，越来越多的芯片制造商正在退出制造，改为求助于独立代工厂以求获得安全和外来的产能。同时，他们还寻找更先进的生产技术以帮助提高其产品的性能、效率和成本。
半导体制造篇3
【关键词】电子化工材料 半导体材料 晶体生长技术
半导体材料的发展，是在器件需要的基础上进行的，但从另一个角度来看，随着半导体新材料的出现，也推动了半导体新器件的发展。近几年，电子器件发展的多朝向体积小、频率高、功率大、速度快等几个方面[1]。除了这些之外，还要求新材料能够耐辐射、耐高温。想要满足这些条件，就要对材料的物理性能加大要求，同时，也与材料的制备，也就是晶体生长技术有关。因此，在半导体材料的发展过程中，不仅要发展拥有特殊优越性能的品种，还要对晶体发展的新技术进行研究开发。
1 半导体电子器件需要的材料1.1 固体组件所需材料
目前，半导体电子所需要的材料依然是以锗、硅为主要的材料，但是所用材料的制备方法却不一样，有的器件需要使用拉制的材料，还有的器件需要外延的材料，采用外延硅单晶薄膜制造的固体组件，有对制造微电路有着十分重要的作用。
1.2 快速器件所需材料
利用硅外延单晶薄膜或者外延锗的同质结，可以制造快速开关管。外延薄膜单晶少数载流子只能存活几个微秒[2]，在制造快速开关管的时候，采用外延单晶薄膜来制造，就可以解决基区薄的问题。
1.3 超高频和大功率晶体管的材料
超高频晶体管对材料的载流子有一定的要求，材料载流子的迁移率要大，在当前看来，锗就是一种不错的材料，砷化镓也是一种较好的材料，不过要先将晶体管的设计以及制造工艺进行改变。大功率的晶体管就对材料的禁带宽度有了一定的要求，硅的禁带宽度就要大于锗的禁带宽度，碳化硅、磷化镓、砷化镓等材料，也都具有一定的发展前途。如果想要制造超高频的大功率晶体管，就会对材料的禁带宽度以及载流子迁移率都有一定的要求。但是，目前所常用的化合物半导体以及元素半导体，都不能完全满足要求，只有固溶体有一定的希望。例如，砷化镓-磷化镓固溶体中，磷化镓的含量为5%，最高可以抵抗500℃以上的高温，禁带宽度为1.7eV，当载流子的浓度到达大约1017/cm3的时候，载流子的迁移率可以达到5000cm3/ v.s[3]，能够满足超高频大功率晶体的需要。
1.4 耐热的半导体材料
目前比较常见的材料主要有：氧化物、Ⅱ-Ⅵ族化合物、碳化硅和磷化镓等。但是只有碳化硅的整流器、碳化硅的二极管以及磷化镓的二极管能够真正做出器件。因为材料本身的治疗就比较差，所以做出的器件性能也不尽人意。所以，需要对耐高温半导体材料的应用进行更进一步的研究，满足器件的要求。
1.5 耐辐射的半导体材料
在原子能方面以及星际航行方面所使用的半导体电子器件，要有很强的耐辐照性。想要使半导体电子器件具有耐辐照的性能，就要求半导体所用的材料是耐辐照的。近几年来，有许多国家都对半导体材料与辐照之间的关系进行了研究，研究的材料通常都是硅和锗，但是硅和锗的耐辐射性能并不理想。据研究表明，碳化硅具有较好的耐辐照性，不过材料的掺杂元素不同，晶体生长的方式也就不一样，耐辐照的性能也就不尽相同[4]，这个问题还需要进一步研究。
2 晶体生长技术
2.1 外延单晶薄膜生长的技术
近年来，固体组件发展非常迅速，材料外延的杂质控制是非常严格的，由于器件制造用光刻技术之后，对外延片的平整度要求也较高，在技术上还存在着许多不足。除了硅和锗的外延之外，单晶薄膜也逐渐开展起来。使用外延单晶制造的激光器，可以在室内的温度下相干，这对军用激光器的制造有着重要的意义。
2.2 片状晶体的制备
在1964年的国际半导体会议中，展出了锗的薄片单晶，这个单晶长为2米，宽为8至9毫米，厚为0.3至0.5毫米，每一米长内厚度的波动在100微米以内，单晶的表面非常光滑并且平整，位错的密度为零[5]。如果在制造晶体管的时候，使用这种单晶薄片，就可以免去切割、抛光等步骤，不仅能够减少材料的浪费，还可以提升晶体表面的完整程度，从而提高晶体管的性能，增加单晶的利用率。对费用的控制有重要的意义。
3 半导体材料的展望
3.1 元素半导体
到目前为止，硅、锗单晶制备都得到了很大程度的发展，晶体的均匀性和完整性也都达到了比较高的水平，在今后的发展过程中，要注意以下几点：①对晶体生长条件的控制要更加严格；②注重晶体生长的新形式；③对掺杂元素的种类进行扩展。晶体非常重要的一方面就是其完整性，晶体的完整性对器件有着较大的影响，切割、研磨等步骤会破坏晶体的完整度，经过腐蚀之后，平整度也会受到影响。片状单晶的完整度和平整度都要优于晶体，能够避免晶体的缺陷。使用片状单晶制造扩散器件，不仅能够改善器件的电学性能，还可以降低器件表面的漏电率，所以，要对片状单晶制备的研究进行加强。
3.2 化合物半导体
化合物半导体主要有砷化镓单晶和碳化硅单晶。通过几年的研究发展，砷化镓单晶在各个方面都得到了显著的提高，但是仍然与硅、锗有很大的差距，因此，在今后要将砷化镓质量的提升作为研究中重要的一点，主要的工作内容有：①改进单晶制备的技术，提高单晶的完整度和均匀度；②提高砷化镓的纯度；③提高晶体制备容器的纯度；④通过多种渠道对晶体生长和引入的缺陷进行研究；⑤分析杂质在砷化镓中的行为，对高阻砷化镓的来源进行研究[6]。对碳化硅单晶的研制则主要是在完整性、均匀性以及纯度等三个方面进行。
4 结论
半导体器件的性能直接受半导体材料的质量的影响，半导体材料也对半导体的研究工作有着重要的意义。想要提高半导体材料的质量，就要将工作的质量提高，提高超微量分析的水平，有利于元素纯度的提高，得到超纯的元素。要提高单晶制备所使用容器的纯度。还要对材料的性能以及制备方法加大研究，促进新材料的发展。半导体材料的发展也与材料的制备，也就是晶体生长技术有关。因此，在半导体材料的发展过程中，不仅要发展拥有特殊优越性能的品种，也要对晶体发展的新技术进行研究开发。
参考文献
[1] 李忠杰.中国化工新材料产业存在的问题分析与对策[J].中国新技术新产品. 2011（02）：15-16
[2] 张方，赵立群.“石油和化学工业‘十二五’规划思路报告会”特别报导（三） 我国化工新材料发展形势分析[J].化学工业.2011（07）：55-57
[3] 原磊，罗仲伟.中国化工新材料产业发展现状与对策[J].中国经贸导刊.2010（03）：32-33
[4] 孙倩.面向“十二五”专家谈新材料产业未来发展方向――第三届国际化工新材料（成都）峰会引业内热议[J].新材料产业.2010（06）：19-20
半导体制造篇4
关键词：自动化测试仪表 可靠性 人机对话
中图分类号：TP21 文献标识码：A 文章编号：1672-3791（2013）01（c）-0000-01
科学技术的飞速发展促使社会意识形态发生转变，使得人们对生活的追求更加富有人文主义特色，社会各领域对环境的要求更加严格，对产品的现代化程度要求更高，其中节能减排战略促使新型能源产业风靡全球，带动了全球半导体技术的进一步发展，比如太阳能行业逐渐成为新时期的朝阳产业，该行业中对仪器仪表提出了新的要求。作为现代化仪器仪表的制造商，间接地为现代化科技的发展创造了基础科研平台，通过提供先进的仪表，可以提高用户的生产效率，提升产品质量，监控排放，为低碳经济做出更大的贡献。
1 半导体行业对自动化仪器仪表需求分析
1.1 自动化仪器仪表现状
全球科技创新的日新月异带动了我国制造业的飞速发展，进入新世纪以来，我国半导体行业对自动化仪表的需求明显加强，无论从技术特点还是市场数量上都呈现递增趋势，从技术含量上分析，我国科研、量产中所使用的自动化仪表已经处于世界领先水平。
上世纪初，国内仪器仪表稳步发展，主要源于工业半导体行业的需求增加，从技术层面上拉动了整个行业技术水平的提升，尤其在新产品开发上取得了显著成效，比如说拥有自主知识产权的电磁流量计、智能化电动机执行系统等。
1.2 半导体行业对自动化仪器仪表的需求分析
目前，我国半导体行业使用较多的仪器仪表主要是小型检测单元，比如在集成电路、液晶显示、半导体薄膜、太阳能电池制备等领域的使用较为频繁。自动化仪器仪表的使用往往依赖于半导体设备的发展程度，现阶段该行业中使用较多的是各种薄膜沉积系统、成分检测系统等，涵盖面较广的是PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition）、HWCVD（Hot wire chemical vapor deposition）、MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）系统以及相关检测设备等。半导体设备中对压力计、传感器、流量计、温度计等元器件的使用较多，尤其在半导体行业制备薄膜材料的工艺中对以上元器件的要求相对较高。
（1）压力表
由于半导体技术具有相对较高的精密性，在半导体薄膜的制备工艺中，要求对工艺参数精确控制，反应腔室内部工艺气体的压力大小，成为该行业工艺技术中的核心参数。对工艺气体压力的检测通常采用压力计以及相关的各种真空检测设备。半导体设备的正常运行必须以厂务设施作为保证，包括水、电、气等条件，其中“水”主要用于设备冷却或者恒温加热，因此需要采用压力表对水压、CDA（condensed air）等进行严格控制方可保证工艺正常运行。
（2）流量计
流量计一般应用在化学沉积系统中，对气体流量起到监测、控制作用。对于半导体工艺来说，产品制备工艺参数是决定器件性能的关键因素，其中化学气相沉积系统中反应气体的流量对最终产品质量起到直接的决定性作用，对气体流量的控制不仅要体现动态时效性，更重要的是要在量的控制上具备较高的精确度，目前国内制备MFC的技术已相对成熟，为我国半导体行业的发展奠定了基础。
（3）传感器
传感器在现代工业时代的使用极为广泛，半导体设备中对传感器的使用大多体现在设备机械传动部分。在半导体产品制造中，要实现设备的流水线运行，离不开高可靠型的传感器元件，通过传感器协调不同工序、设备不同部位的联动，进而保证整个工艺的流水线运行。
（4）温度计
随着科学技术的发展和现代工业技术的进步，测温技术也不断地改进和提高，其中金属温度计是利用两种不同金属在温度改变时膨胀程度不同的原理工作的，在半导体紧密制造中通常用来检测液体、气体的温度，测试温度偏中低水平，适合工艺流程中在线、动态、实时监测。
半导体工艺中对金属温度及的使用大多是用来检测特殊反应气体的温度，由于普通加热器很难通过热电偶检测衬底温度，通常在反应腔室特殊部门安装金属温度计监测生长基元的温度，从测量精度和实际可操作性上提高了半导体工艺的可行性。
2 自动化仪器仪表在半导体行业的发展趋势
自动化测试仪表技术未来发展趋势主要体现在高智能化、高可靠性、高精密度、优良的响应性能等方面，半导体行业仪器仪表技术主要针对具体应用特性而体现出以下几个发展方向：
2.1 人机对话智能化发展
人机对话技术是自动化仪器仪表发展的核心方向，也是未来信息化社会的主流技术，半导体行业对仪器仪表的使用目的是为了便于更好的控制工艺流程，提高对设备的可控性，如果自动化测试仪表具有强大的人机对话特性，能够快速、准确的体现设备运行状态，在半导体制造工业中无疑起到了举足轻重的作用。自动化仪表的人机对话性能是通过设备控制端和仪器之间的对话界面实现，通过人类可以识别的界面端口，读取仪表对设备状态的检测数据，从而对工艺过程起到指导作用。
2.2 集成技术的标准化发展
自动化仪表的应用直接依赖于其能否与其他设备形成对话流畅的有机整体，随着人类科学技术的不断进步，半导体行业对自动化仪表的使用需求逐渐增多，不同设备具有不同的逻辑控制系统，如何将自动化测试仪表的接口、通信、软件控制单元和半导体设备逻辑控制语言相融合成为该行业技术发展的瓶颈，如果实现测试仪表在不同半导体设备上的集成标准化，将大幅度提升自动化测试技术的进步。
2.3 可靠性技术的提高
自动化仪表在工业生产中起到“中枢神经”的作用，对其可靠性不容忽视，尤其对于大型复杂的工业系统中，自动化仪器的可靠性关系到整个企业、乃至行业的发展命脉。对于半导体企业检测与过程控制仪表，大部分安装在工艺管道、工序过渡段，甚至多数环境存在有毒、易燃、易爆等特种气体，这些特殊环境对自动化仪表的维护增加了很多困难。因此，在使用特种气体的半导体行业中对自动化检测仪表的可靠性具有较高的要求，尽可能降低其维修频率，为工业安全生产提供必要保证。
3 结语
当今世界已经进入信息时代，自动化技术成为推动科学技术和国民经济高速发展的关键因素，其中自动化测试仪表作为科研、工业化生产的基础硬件设施而不断发展成熟，在半导体行业中的应用逐渐广泛深入。随着行业科研水平的提高，对自动化仪器仪表有了更好的要求，可靠性、集成技术、智能对话特性成为自动化测试技术发展的首要任务，对自动化测试技术以及测试仪表的使用起到举足轻重的作用。
参考文献
半导体制造篇5
在其中，政府干预的影子在世界各国的半导体产业发展中随处可见。不管是半导体产品的钻研开发、出产制造，或者是与他国半导体产品的贸易，>文秘站:
各发达国家的产业政策比较
一.美国 美国是半导体技术的起源地.半导体发展的原始目的主要在于支撑国防业以及宇航业，确保美国国防部能取得最早进的武器系统以及宇航局具有最精密的操作节制装备。因为这两个行业是半导体产品的主要需求者，从而抉择了半导体行业发展的最初方向以及性质。事实表明，美国国防部的采购对于美国半导体业的初期发展拥有抉择性的影响，为其后来长时间处于世界领先地位奠定了坚实基础。但二0世纪八0年代美国作为半导体的主要出产商在全世界的位次大幅度降落，这样的衰退被良多美国人认为是对于国家军事安全以及经济的严重要挟，不少人将其归咎于美国政府微电子产业的政策方向。
为了应答这类状态，除了美国政府继续以巨大的国防支出来资助半导体业的研发外，一九八七年美国半导体协会成立。美国政府亦在贸易领域出台了1系列政策以支撑其半导体产业的发展，如一九八六年美国政府与日本签定了《半导体协议》，缘由是美国声称日本出产商以超低价格向美国倾销芯片并限制美商进入日本国内市场。双方最初签定的公约于一九九一年到期后，美国政府又就该协议在下＿个5年中的施行问题与日本政府商量。而这次谈判的重点则是请求日本市场对于美国半导体出产商敞开大门。但是必需指出的是美国政府因从国防安全角度动身1直严格节制其尖端核心半导体装备的出口。但是跟着时期的发展，半导体技术的广泛渗入性所酿成的日趋扩展的国际市场不是由哪几家企业或者哪几个国家可以全体垄断的。美国政府较为严格的出口限制必将影响到美国半导体出产商在国际市场上的竞争力。
二.日本 在日本，半导体产业政策的重心是半导体在工业以及消费领域中的利用。在日本半导体业发展中，为全面改变最初其技术依附于欧美的弱势地位, 日本的MITI施展了强大的引导作用，为日本半导体企业的有序竞争构建了有效框架。分析其政策沿革，演化进程大体上阅历了下列几个阶段。﹁是《电子工业振兴临时措施法》（简称"电振法"）于一九五七年制订。其颁布施行有效地增进了日本企业在学习美国先进技术的基础上，踊跃发展本国的半导体产业。2是《特定电子工业及特定机械工业振兴临时措施法》于一九七一年制订。该法进1步秉持了"电振法"的主旨，强化了发展以半导体为代表的电子产业的力度。该法的施行胜利地匡助日本企业通过加强本身研发、出产能力，有效地抵抗了欧美半导体厂商的冲击，进而使日本半导体制品不断走向世界。3是《特定机械情报产业振兴临时措施法》在一九七八年制订（于一九八五年失效）。该法进1步加强了以半导体为核心的信息产业的发展。上述3部专业法规在整体上加强了日本企业的竞争力。尔后日本没有颁布针对于以半导体为基础的电子、信息产业的专门法规，而是改成通过综合性法规在总体上推进包括半导体在内的高新技术的发展，其中较为首要的是于一九九五年出台的《科学技术基本法》。
MITI还通过限制外商在日本半导体产业的投资以及请求通过直接购买方式来获取技术从而防止了日本在技术上遭到他国的节制以及安排。直到二0世纪七0年代末，日本政府1直奉行着严厉的产业维护政策，包含进行严格的进口管制。对于于外国企业在半导体领域的对于日投资，日本政府也1直采用严格的审批轨制，并附以制止设立独资企业、外国企业的所有专利技术需向合资公司公然等刻薄前提，而这些措施直到一九七五年才被放宽。以后，日本政府的政策略微有所放松，但日本在微电子竞争中拔患上头筹的雄心壮志涓滴没有减弱。无比显明的1个例子就是由MITI提议的大范围综合项目VLSI的施行。这个由日本政府出资四0%的项目使日本5大半导体公司在1起通过合作共同研发更繁杂先进的新1代技术产品。此外,日本外贸组织JETO通过其在全世界五五个以上国家所设有的分支机构为日本半导体出产商提供有关行业的最新资讯，有力的增进了科技信息的沟通与传布。同时在融资上，日本政府主要应用国家开发银行动半导体企业提供低利贷款，使企业借贷利率接近于零，这与美国同时代市场利率四%⑸%相比较，堪称是拥有极大优势。
三.韩国 韩国相比美、日，韩国政府对于半导体产业的介入力度似乎更大了1些。韩国政府通过量种渠道去培育以及促使韩国大企业进入半导体领域。一九七六年政府成立了韩国电子技术学院（KIET），其主要职责是“规划与调和半导体R&D、进口、吸收以及传布国外技术，为韩国企业提供技术支撑，进行市场调研”。一九八二年，“长时间半导体产业增进规划”宣布启动，韩国政府为4大主要半导体企业提供了大量的财政、税收优惠。一九八六年，韩国政府制定了半导体信息技术开发方向的投资规划，每一年向半导体产业投资近亿美元。“政策经济”的结果是韩国半导体市场的发展至关使人鼓舞。在欧、美地区双双衰退的情况下，韩国半导体产业二00二年产值反而从九五.八亿美元增至一一二亿美元，同比增长了一七％。尽人皆知，韩国半导体产业高度集中于记忆体领域，因为经营记忆体的财团违后有着政府气力的强力支持，因而尽管目前市场在供给多余的压力下利润已经渐趋淡薄，但3星、南亚科技等韩国企业凭仗其范围效益，仍成为全世界少数获利的记忆体厂商。
四.欧洲 欧洲继美国以及亚洲以后，第3大半导体出产基地当数欧洲。西欧的半导体产业政策的演化可大致分为3个阶段：第1阶段是一九六五年前，除了政府对于与国防相干的R&D进行投资以及在政府采购中倾向于本国出产商外，基本上不存在政府对于半导体业发展的干预行动；第2阶段，一九六五年至一九七五年，欧洲政府无比注重计算机行业，对于半导体的科研给予了1些鼓励措施，但政府的介入仍有至关的局限性；第3阶段，自一九七五年以后，欧洲各国政府逐步加大了对于半导体产业的支撑力度，政策重心更集中于信息技术包含微电子方面。进入八0年代后，欧洲各国政府踊跃推进半导体产业重点企业的合作与发展，例如ESPRIT以及JESSI项目。其中,后者耗资四亿美元，主要致力于开发先
进的微芯片技术。另外,西欧各国政府还联合向非欧洲的半导体制造商施压，请求他们不能仅仅是在欧洲进行加工组装业务，而是更多的设立设计与技术部门。其目标则是但愿通过1系列措施，能加速欧洲半导体的技术立异，激励欧洲内部各国半导体企业间的交换与联络，从而在必定程度上维护欧洲本土的半导体核心技术和出产竞争力。
欧盟委员会也进1步加强了维护其半导体工业的力度。一九九0年欧盟与日本政府签署了1个自愿协定，规定了日本出产的标准存储器片在欧洲共同市场上的最低售价。另外，欧盟委员会还向韩国半导体商采用了反倾销措施。缘由是韩国倾销的芯片价格大大低于欧盟的可接受价格。一九九七年，最低售价又被再次强加到日本以及韩国的一四个半导体芯片制造商身上。二00三年欧盟在断定韩国政府不公平地向芯片厂商现代半导体公司提供补贴后随即抉择向现代半导体公司的内存芯片征收三四.八%的进口关税。
对于我国的启示与我国的对于策措施
从上文中咱们可以看出,不管是美国、欧洲仍是日本、韩国，没有1个国家的政府对于半导体产业的发展采用放任政策，而是通过1系列政策手腕进行扶植。即便是同1国家，政府在半导体工业发展的各个时代都制定了不同的策略。我国的半导体产业整体水平与这些发达国家比较，在出产能力、装备水平、开发手腕、工艺水平、产品技术指标、市场开辟等方面均存在很大差距。中国本土芯片制造企业目前只能知足芯片市场大约二0%的需求量，而其他近八0%的需求都不能不通过进口产品来补充。与此同时，中国所有半导体企业的总销售额仅占世界半导体总销售的一.五%。因此我国应通过鉴戒美国、日本等发达国家和韩国、欧洲的发展经验，并结合中国半导体业现阶段发展示状，明确在半导体领域的定位以及战略，并相应的改良或者调剂该产业的政府管理模式以及政策体系，以更好的增进中国半导体产业的发展，晋升我国半导体产业的国际竞争力。为此，我国政府还应在政策层面长进行进1步的深化改革。
一．中国应采用更为优惠的政策，构成优良的投资环境吸引外资更多投入到中国半导体产业。
美国、日本及韩国都是依托优惠的政策引导投资方向，使大量的资金涌入到半导体高技术领域，以加快产业结构向知识经济转变的步伐。我国目前也采用了1系列优惠性措施，比如二000年国务院颁布的《激励软件产业以及集成电路产业发展的若干政策》中规定，如果投资树立1个半导体产业，国家要跟进投资，如果申请银行贷款，国家将补贴一%到五%的利率。我国应制定比其他国家更具吸引力的政策，从而吸引更多投资以及技术进入这1国家战略产业，例如要学习韩国充沛应用入世三到五年的缓冲期维护幼稚产业的公道办法，对于半导体集成电路产业以及半导体产品在WTO框架内给予更多的优惠激励政策。
二．在短时间内，可以鉴戒走引进、消化、吸收、赶超的门路，重点发展市场需求大的半导体合用技术以及产品，通过技术改造、资本累积以及市场开辟的互动实现半导体产业水平的转动发展。
在引进投资时，要注意选准市场主体产品，引导企业进入高附加值市场。但从长时间来看，咱们应鉴戒日本半导体企业奉行的自行设计、自行出产的原则，树立起设计与出产“1条龙”的行业体系，以官方为主导共同联合出产技术的发展战略，开发更多症结技术，增添具有自主知识产权半导体产品的比例。固然如果大企业技术合作的目标是开发商品，这样做因为利益冲突难获胜利。要学习美国、日本，先合作钻研开发技术，大企业自己再弄商品化，合作开发才可能胜利。除了了大公司间进行技术亲密合作外，还可以参考美国半导体工业主要由技术密集型中小企业形成的特色，踊跃激励国内的民营企业以及民营资本介入到半导体工业相干材料与装备钻研制造上来。这是由芯片制造进程对于装备、材料请求的多样性、繁杂性和产品快速更新的特色所抉择的。
三．良多半导体业内人士1谈及发展半导体的症结因素时，不谋而合的认为是人材。
目前我国发展半导体产业最缺少的就是人材，既包含技术人员，也包含半导体企业有经验的中高阶主管。咱们应学习马来西亚等东南亚国家的发展经验，制订高工资、低（零）个人所患上税的人材吸引政策，吸引海外半导体设计、制造、管理专家来华工作。对于少数高科技设计人员以及工艺技术人员采用高薪聘任，乃至给予更优惠的待遇，比如可持有企业股分等。同时决不可忽视对于技术人材的培育，为基层功课员、技工、工程师提供较好的专业素质培训，这对于1个以出产为导向的半导体企业来讲也是相当首要的。
半导体制造篇6
那是2002年的叫候，如影随形多年的老员工被无奈辞退，一个个相继离去，仓库里的产品堆积如山，迟迟不见减少的迹象，那些在公司兴岱时添置的昂贵机器一台台停止了转动，同曾经喧躁无比的半导体行业一起变得悄无声息……
让这位管理者庆幸的是，行业萧条像一阵飓风，让很多公司荡然无存，而自己的企业终于捱过寒冬，可以在2004年明媚的春光中露出笑容。
让这些半导体周期变迁中的幸存者感到无比温暖的数据是：2003年，全球半导体销售额达到1633亿美元，比2002年增长了15．8％，而在2002年增长率仅为1．6％，再往前一年的2001年，全球半导体销售额则足减少了32．1％。更鼓舞人心的是，2004年2月份，全球半导体销售额与去年同期相比增长了31％；2003年年初伞球半导体的库存为11亿美元，面到了2004年年初，这一数字不到4亿美元，达到三年来新低。
工厂里闲置的机器也纷纷开动起来，全球半导体产能利用率达到了90％左右；刘于2004年的资本支出，英特尔、台积电等各大公司开始做出乐观的预算，而中国内地，8英寸乃至12英寸生产线也纷纷破土开工。
资本币场上，由17家半导体公司细成的费城半导体指数率先作出反应。2003年，费城半导体指数上升67％。
环球同此凉热，内地的半导体行业也在这一波景气复苏中强劲反弹。以IC设计公司士兰微(600460)领衔的半导体板块大都超过了100%的涨幅，土兰微更是荣登两市第一高价股。另一家总部他于上海的芯片代工企业中芯国际(0981．HK)也是一路抢跑，成立不到四年，在尚未盈利的情况下就在香港、美国上市，以18亿美元的融资额成为今年全球第三大IPO。
芯片、从来都是一个让人心跳的行业，无论赚钱还是赔钱。是什么带动这次行业复苏，这样的好日子还能持续多久?
好日子有多长
内地・位半导体研究人员告诉《新则经》记者，红今年2月份上海召开的“2004年中国半导体市场年会”上，与会人士刘于本轮周期基本达成了一致的看法――由于缺乏重大技术创新，本轮周期是由换机需求和下游消费增长带动，属于景气循环中的弱周期。
所硝“缺乏重大技术创新”，是相对半导体行业过去几十年的发展历史言。上世纪80年代以前的工程专用计算机、电视机的发叫，1981年至1995年间个人电脑的广泛应用，以及1995年至2000年间的手机、互联网兴起等，都曾带动半导体行业飞速发展。而从2000年以后，全球范围内没有出现类似的重大技术创新。
赛迪顾问咨询部的经理韩毅荣接受《新财经》记者采访时表示，半导体行业本次复苏主要由手机、数码产品等下游产品的需求带动。在经历两年萧条之后，半导体上游产能严重不足。随着产品价格一路上升，那些在“非典”时期减少了库存的厂商都后悔不已。韩毅荣近期次地走访了许多半导体厂家，发现许多厂家的流片订单都已经排到几个月之后，产能利用率极高。
其实，上次袅退出现之前，全球半导体行业的产能已经增加很多。华夏证券研究员董志强认为上一轮全球半导体行业衰退的原因正在于投资过热。当产能过剩之后产品价格下跌，从而引起半导体公司利涧下降。董志强并不认为只有重大技术创新才会带来半导体行业的兴盛，他认为，“对于半导体公司来说，只要有市场，能够赚到钱就够了。”
被压抑的需求终于复苏了――尽管复苏来得比期要晚。台湾KGl中证券驻上海的研究员张海滨认为，其实，这轮复苏在2002年就应该到来，但是全球经济发展速度放缓、美伊战争以及SARS等因素使得行业衰退的周期拉长，不过，消费炎电子、电信运营商对无线设备的采购等因素最终还是让复苏来临。
迟到的复苏能够持续多久?黄志强认为，这要取决于目前产能的增长速度。虽然现在很多公司借行业复苏肝始扩大投资，但上一次的衰退给半导师体公司造成了很大的伤害，现征他们都显得比较谨慎，而且，从建设到投产还有一段时间，所以，这一轮周期应该至少持续到2005年底。
赛迪顾问的韩毅荣也认为，按照国际半导体行业的规律，下一轮衰退在2005年至2006年之间到来，不过，对内地半导体企业影响应该不会太大。韩指出，中国市场强大的内需保证了中国市场过去的发展，也会保证未来几年的增长空间。上一轮全球衰退时，2001年全球半导体行业的增长速度为一32%，但中国市场仍然保持了17．6％增K速度。所以，韩毅荣认为，当下一轮哀邀来临时，中国半导体企业仍然会像上一次一样保持正增长，仅是速度会有所减缓。
内地一家基金公司的半导体研究员持有不同的意见。这位研究员认为，全球半导体2004年的景气度应该高于2003年，这一轮复苏会持续到2005年上半年，因为中国企业所从事的以低端产品为主，所以，新的衰退来临时，中国企业受冲击的时间会相对滞后。至于上一轮全球衰退中中国市场还能保持正增长，主要原因还在于中国的基数太低，而到了下一轮衰退，情况会有不同。
KGI中信证券的张海滨也指出，尽管多数人都认为这一轮上升周期至少会延续到2005年上半年，但是如果届时移动通讯领域的3G技术能够大规模推行，景气周期还会延长。
日益重要的中国
上一次半导体行业的景气周期中，最大的赢家是中国台湾。尽管英特尔、德州仪器等美国半导体行业龙头依然威风不减，但以台积电为代表的台湾半导体企业却崭露头角，令台湾地区成了半导体生产的中心区域。
在新一轮复苏行情中，中国内地成了全球关注的焦点。2004年初，各专业机构在预测未来半导体行业发展时，都不能忽视中国内地在整个行业增长中日益重要的份额。IDC估计，2002年至2007年之间，中国内地对半导体需求的年复合增长率将达到27％，相比之下，远高于整个半导体行业12．5％的年复合增长率。这个时候，关于“中国经济是否过热”的争论正如火如荼，人们突然发现，在中国版图上再次掀起大炼钢铁、快造汽车、速建商品房的热潮同时，半导体领域的投资也是一个热点。
中国内地过快膨胀的投资让中国官方和经济界不无忧虑，随后一系列紧缩性政策出台，中国经济是否会因此“着陆”、或以何种方式“着陆”又成了新的问题。那些投资热点行业的未来前景也因此蒙上了阴影。
不过，半导体行业可能会是一个例外。
对2004年中国经济持谨慎担忧态度的瑞士信贷第一波士顿在年初一份聚集了该公司全球研究力量的报告中指出，尽管该公司策略及全球经济研究团队认为中国投资支出的放缓会对很多行业带来冲击，但是他们亦认为这对半导体行业影响甚微，甚至可以说“没有影响”。
瑞士信贷第一波士顿的科技行业分析师Michael Masdea解释了其中原因：中国经济和消费强劲的势头对半导体行业的推动作用，远远大于商品、建设和汽车领域投资放缓带来的消极影响。Masdea指出，经济指标显示，中国城市消费者大多不会受到投资收紧的影响，将推动消费持续增长，而这正是推动半导体行业增长的真正关键因素。中国对装配用半导体的需求，出口和内需基本上不受紧缩性政策的影响。
考虑到中国的竞争优势，Masdea预计，中国内地半导体领域的外商直接投资不会放缓。
产业链布局
就在内地对半导体的投资热情与目俱增，从IC设计、代工制造到封装测试各个环节均重金投入的情况下，如何有效平衡整个产业各个环节的发展问题被提上了议事日程。
不少专家认为，目前中国内地的IC设计能力严重不足。作为产业链的龙头，只有设计能力提高了，制造和封装才有可能拿到更多订单。2003年中国内地IC设计企业中，产值超过1亿元的仅有11家。据介绍，对于IC设计企业而言，首要的目标是要达到1亿美元的大关。
权威人士指出，其实，现在中国内地的半导体产业颇像30年前的台湾。当时的台湾也是出口导向政策，对各个环节征收增值税，但台湾地区从代工起家，在积累了足够的经验和人才之后，带动上游的IC设计和下游封装测试企业的发展，终于有了今日台湾半导体在世界范围内举足轻重的地位。相比之下，中国内地在各个产业链上同时发力，人才储备严重不足。
2003年，中国集成电路产值达到了352．5亿元，其中IC设计产值规模仅为44．9亿元，所占比重为12．7％，芯片制造领域的产伯为60．5亿元，所占比重为17．2％，封装测试为247．1亿元，所占比重达70．1％。不难看出，劳动力密集的封装测试业在整个中国内地半导体产业链中占据绝对比重。
相比之下，2003年台湾地区的整体集成电路产业产值(含设计、制造、封装、测试)达新台币8l88亿元，较2002年增长25．4％。其中设计业产值为1902亿元，所占比重为23．2％；制造业产值为4701亿元，所占比重为57．4％，成长率近24．2%；封装测试业为1585亿元，比重为19．4％。
不过，最近儿年中国内地芯片生产线的建设速度陡然加快，规格也逐渐提升。2000年底，中国内地共有25条4英寸至8英寸芯片生产线，其中以4英寸生产线为主，只有一条8英寸线。到了2003年底，芯片生产线达到了33条，其中新增5条8英寸生产线，而正在建设当中的还有l3条，其中包括1条12英寸生产线和3条8英寸生产线。
台积电董事长张忠谋曾预言中国在芯片生产线如此大幅的投入，将会造成产能过剩，可能成为下一波全球半导体不景气的元凶。
台湾KGI中信证券的张海滨不赞同这种说法。他认为现在世界上半导体制造的主要能量在台湾和日木等地区，以中国现在的发展速度，不可能造成全球的产能过剩。国内半导体权威、北京大学微电子研究所所长王阳元尽管一直不赞国全国各地不顾条件上芯片项目，但他同时认为内地目前的8英寸线并不算多，只有不加凋研大量上芯片项目才是盲目的行为，他认为“芯片产业存有泡沫”的说法并不可取。
政策双刃剑
在大多数人的印象中，内地的半导体行业始终受到国家政策高度保护，而前段时间美国和日本指责中国政府给予内地半导体公司增值税优惠，似乎更加印证了这一看法。但从内地的半导体公司传出的声音，多数在抱怨政府不仅扶持力度不够，甚至在一定程度上压制了公司的发展。
2004年3月18日，美旧商务部致函中国商务部，称中国政府对于本国半导体行业的税收优惠政策“与世界贸易组织要求的国民待遇原则相违背”，美方已向WT0提出了磋商请求。
争端来自2000年6月国务院的《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(简称“18号文件”)。该文件的第4l条规定：芯片生产企业2010年前按17％的法定税率征收增值税，对实际税负超过6％的部分即征即退。
2001年，时任国务院副总理的李岚清在一次工作会议上，对18号文件进行了补充，形成了后来的国务院的51号文件。5l号文件规定，对部分芯片企业实际
税负达到3％的增值税实行即征即退，并对集成电路的政策作了补充。当时鼓励产业发展的措施有：税收减免、投资优惠、进出口政策、支持研究开发、加强人才培养、鼓励设备本地化以及知识产权保护等，这些方面列集成电路实施了优惠政策。
参加过18号文件起草的中闰电子信息产业发展研究院高级顾问杨学明解释了“实际税负”的含义：“，实际税负”，指集成电路企业在中国内地直接销售产品所交纳的全部增值税额和同期该企业的全部销售额之比。但问题的关键在于分子，即企业在中国内地直接销售产品所交纳的全部增值税额――由于企业实际交纳的增值税要扣除进项税额(生产资料购入货款总额×适应税率)，并月是在内地销售，所以，实际税负超过6％乃至3％的企业并不多。
内地多数专家和企业的观点是，如果以实际税负超过3％的标标准来计算，内地半导师体企业从18号文件受惠极其有限。另外还有情况是，即使有些企业达到了18号文件的优惠条件，实际上并没有得到政府的退税。内地某知名半导体公司的负责人就曾向《新财经》记者抱怨，自己就职的公司应该享有几百万元退税，但一直没有返还。
另一方面，国家鼓励半导体出口的政策，使得半导体产业链被切割，甚至扭曲。由于中国一直实行以出口为导向的税收政策，产品内销将征收17％的增值税，而出口产品将被退还已征收的增值税，因此，企业的内销成本要高于出口。18号文件的本意是鼓励外资来华设厂并将产品内销，但是由于国家对于半导体产品的出口没有征收增值税，而对于内地从设计到制造乃至封装测试每一环节均增收增值税，使得很多公司不愿意接受内地的订单。
现在全球制造业向中国转移的趋势日渐明显，很多分析人士认为，与其说这是为了贴近需求巨大的中国市场，还不说是因为内地劳动力成本低廉和对外商的优惠政策。但事实上，中国半导体市场确有很大的市场，供需缺口在80%以上，可是目前中国所使用的集成电路产品至少有80%以上是从境外进口。
现在来看，制造业的转移并未给中国半导体上下游产业链带来多少实惠。以内地代工大厂中芯国际为例，其来自上游设计公司的订单90%来自境外，而产品制成之后，封装测试工作也并未就近选择内地公司，而是运往境外。内地一流的封装测试公司长电科技(600584)就自称未接到过来自中芯国际的订单。长电科技董事会秘书朱正义称，其实，以长电科技的技术实力，承接中芯国际的产品封装业务是不成问题的，但是如果中芯国际的产品交给长电科技封装，必须交纳l7％的增值税，而运往境外则可省下这笔税。
半导体制造篇7
9月6日，首尔半导体宣布，其最终成功研发的适用于汽车前灯的LED光源在韩国首次量产。根据该宣告，首尔半导体生产的适用于汽车前灯的LED光源，已经被全球第四的汽车制造商运用到了韩国最优秀的厢式轿车上。
去年5月，首尔半导体就已经成功研发并向市场供应了适用于汽车前灯的DRL（日间行车灯）LED光源。经由专业的汽车零件制造商SL公司的渠道，首尔半导体向市场提供了全新的Z Power LED产品。LED汽车前灯所要求的技术非常高，在这样的情况下，首尔半导体能自行研发并首次在韩国量产适用于汽车前灯的LED光源，可谓意义重大。
首尔半导体多年来专注于技术开发，最终获得了来自AEC（Automotive Electronics Council，汽车电子协会）颁发的AEC-Q101证书。同时，首尔半导体从去年就开始就为欧洲的制造商生产了一款适用于DRL汽车前灯的LED光源。与当下的HID灯相比，使用了全新LED光源的汽车前灯拥有高效能、高发光强度以及超高的可靠性，同时，该产品还具备了性能稳定和样式时髦的特点。
目前，市场对混合电动汽车的需求正与日俱增，这也带动了市场对LED汽车前灯的需求迅猛增长。去年，全球LED汽车前灯市场达到了9.86亿美元，该市场有望以年平均22%的高增长速度，在将来的2014年达到21.6亿美元。值得一提的是，LED汽车前灯市场有望以36%的年增长率高速增长，此增长速度远高于LED汽车照明领域的整体发展速度。首尔半导体现在的产品线覆盖了整个LED汽车照明领域，包括了室内和室外的LED汽车照明产品，而这正好与当下的市场趋势保持了一致。除了韩国市场，首尔半导体也以多样化的汽车LED产品线，向美国和欧洲市场上的汽车制造商提供相关产品。
首尔半导体的副总裁John S.Bae表示：“首尔半导体在汽车照明领域里能取得这样巨大的成功，要归功于SL公司的开发人员所做出的许多努力，是他们对首尔半导体的信任，把高科技运用到了首尔半导体的产品上。”他还补充道：“凭着首尔半导体这款适用于汽车前灯的LED光源在韩国首次量产的实现，我们完成了所有车用LED的产品组合。其结果就是，我们能在满足国内需求的同时，也将能够扩大全球市场。”
半导体制造篇8
一、电缆结构
任何电力电缆从它的结构上来分析，大致可分为三大部分，即导体、绝缘屏蔽层和保护层。
导体即电缆线芯，采用多股圆铝线或铜线紧压绞合而成。其表面光滑，避免引起电场集中，防止挤塑内半导屏蔽层的半导电材料进入导体，极大地阻止了水分沿纵向进入导体内部的可能性。
绝缘屏蔽层包括：内外屏蔽层、铜屏蔽层及主绝缘。由于在制造过程中，导体和绝缘体的表面不可能制造得足够光滑来均匀导体和绝缘体表面的电场强度，因此在导体和绝缘体表面都各有一层半导屏蔽层来实现这一目的，这是内外屏蔽层存在的原因。半导屏蔽层的存在减少了局部放电的可能性，也可有效抑制水电树枝的生长；半导屏蔽层的热阻可使线芯上的高温不能直接冲击绝缘层。另外，外屏蔽层与金属护套等电位，避免在绝缘层与护套之间发生局部放电。主绝缘所用材料是交联聚乙烯，电缆绝缘主要靠该层。铜屏蔽层的存在是因为没有金属护套的挤包绝缘电缆，除半导屏蔽层外，还要增加用铜带或铜丝绕包的金属屏蔽层。铜屏蔽带在安装时两端接地，使电缆的外半导屏蔽层始终处于零电位，从而保证了电场分布为径向均匀分布；在正常运行时铜屏蔽层导通电缆的对地电容电流，当系统发生短路或接地时，作为短路或接地电流的通道，同时也起到屏蔽电场的作用，以阻止电缆轴向沿面放电。
保护层包括：内衬层、钢铠、外护套。内衬层和外护套所用材料一般均是聚氯乙烯(PVC)，它们与钢铠配合能起到防止绝缘层受到外力损伤和水分的侵入。
二、电缆中间接头制作
电缆中间接头制作类型很多，下面以应用较普遍的热缩式电缆中间接头为例，进行简单描述。电力电缆中间接头与电缆一起构成电力输送网络。中间接头的制作过程实际上就是对电缆各结构层进行恢复的过程。电缆中间接头主要是依据电缆结构的特性，既能恢复电缆的性能，又保证电缆长度的延长。制作电缆中间接头的目的是通过恢复电缆各结构层来恢复电缆的基本性能。
电缆中间头制作时用导体连接金具将电缆两端线芯连接使电缆线芯导通；在连接管表面缠绕半导带，并与两端内半导屏蔽层搭接，保证内半导屏蔽层的导通性，用填充胶填充该半导带层，厚度不小于3毫米以恢复主绝缘的绝缘特性。将复合管在两段应力管之间，由中间向两端加热固定，并在复合管两端台阶处包绕防水胶后在防水胶上包绕半导电带，两端分别与铜屏蔽层及复合管半导层搭接来恢复外半导屏蔽层。将铜丝网与接头两端铜屏蔽层绑扎焊牢使两端铜屏蔽层连通，并用地线旋绕扎紧芯线，两端在铠装上扎紧焊牢，并在两侧屏蔽层上焊牢以恢复电缆接地(如果要求将电缆屏蔽铜带与钢带分开接地，则地线在两侧屏蔽层上扎紧焊牢后再用内护套管将电缆内护套恢复，再用钢带跨接线将两端铠装连接，然后安装热缩外护套管或金属护套管)。金属护套及密封套管安装好后，电缆的保护层就得到恢复。
三、电缆中间接头制作注意事项
电缆绝缘是组合绝缘的一个典型实例，它是由多种不同介质组合而成的，在不同介质的交界处和层与层、带与带的交接等处容易留有细微的气隙，成为局部放电的发源地。电缆绝缘结构复杂，不仅要注意垂直于介质层的切线场强分量的配合，还应注意平行于介质层的切线场强分量的配合。电极边缘处的沿面放电往往比介质层的击穿更容易发生。所以现场电缆中间头制作过程中应重点注意以下几个问题。
1、电缆剥切
要注意剥切一结构层时不能伤及其它结构层，以免对日后安全运行造成隐患。剥切时要注意：剥内衬层时不可伤及铜屏蔽；剥铜屏蔽时不可伤及外半导屏蔽层，铜屏蔽不可松带，切断处不可翘起尖角；剥外半导屏蔽层时不可伤及主绝缘；剥主绝缘时不可伤及线芯。外半导屏蔽层要倒45度角，且用细砂纸打磨；主绝缘要削铅笔头并使内半导屏蔽层外露适当长度，以便线芯连接管两端内半导屏蔽层搭接。
2、线芯连接
中低压电缆中间接头的连接一般采用压接法。如果压接管内径与导线线芯配合不当，空隙过大会使接头电阻值过大，正常运行时产生高温高热易造成主绝缘老化击穿。连接管、线芯表面的棱角、毛刺若不打磨光滑易造成电场集中引起尖端放电击穿。
资料显示，连接芯线的接触电阻必须小于或等于回路中同一长度线芯电阻的1.2倍，抗拉强度一般不低于线芯强度的70%。必须满足电缆在各种运行状态下安全运行。其绝缘强度要留有一定裕度，密封性好，水分及导电不能侵入接头内。
3、清洁
交联聚乙烯电缆头制作对清洁工作有严格要求。电缆头制作过程中往往是露天作业，空气中的有害尘埃极易沾染到热缩附件及电缆的半导体及绝缘层上。在焊接地线、剥切半导屏蔽层或使用喷灯时留下的积炭等，如果制作过程中不注意清洁工作，会造成尘埃和积炭与热缩件结合在一起，从而造成电缆附件界面爬行放电，导致纵向电缆绝缘击穿。
因此制作时要尽量选用环境较好的场地，同时在制作过程中的每一道工序完成后都要用专用清洁剂清洁，尤其是在焊接地线后的三叉口处，更应认真地清洁余留的焊渣及使用喷灯后留下的积炭，另外也要注意操作，不要戴有杂质的不干净手套，如天热流汗更要注意，以免手及脸上的汗水沾染到电缆附件上，确保制作过程的每道工序都保持清洁。制作过程中使用清洁工具对清洁工作也很重要。
剥好的电缆头进行清洗时讲究一定的顺序，可沿主绝缘表面向半导屏蔽层方向进行清洗，连接管打磨后单独清洁；也可主绝缘、半导屏蔽层、连接管分别进行单独清洁，千万不能用接触过半导屏蔽层或连接管的清洁纸或白布去清洗主绝缘表面。剥除外半导屏蔽层后，应认真检查剥除刀口主绝缘层上有无粘连的黑色半导体，如有应用刀片或玻璃片清除，并打磨光滑。
尘埃、杂质一般我们很难用肉眼直观的去评价需清洁部位的洁净程度。现场工作人员有时想当然的认为需清洁部位已很干净，无需再清洁或清洁不彻底。这种疏忽大意、不负责任的态度为日后安全运行留下极大隐患，是千万要不得的。
4、应力处理
电应力控制是中高压电缆附件设计中的极为重要的部分。电应力控制是对电缆附件内部的电场分布和电场强度实行控制，也就是采取适当的措施，使得电场分布和电场强度处于最佳状态，从而提高电缆附件运行的可靠性和使用寿命。
对于电缆中间接头，因为电缆外半导屏蔽层及电缆末端绝缘被切断所以引起电场畸变，若处理不好，电场分布不均匀，就极易造成电缆中间接头击穿。为了改善电缆绝缘屏蔽层切断处的电应力分布，现场中常用的方法是利用电缆附件中的应力管来缓解电场分布，从而降低了电晕产生的可能性，减少了绝缘的破坏，保证了电缆的运行寿命。
应力管使绝缘屏蔽层切断处的电场分布加以改善，电场强度分布相对均匀，避免了电场集中。交联电缆因内应力处理不良时在运行中会发生较大收缩，因而在安装附件时注意应力管与绝缘屏蔽搭盖不少于20毫米，以防收缩时应力管与绝缘屏蔽脱离。
制作热缩型中间接头时，绝缘端部必须削成锥体，即制成反应力锥，同时必须将锥面用砂带抛光，这也是应力控制的措施。因为锥面的长度远大于绝缘端部直角边的长度，故而沿着锥面的切向场强远小于绝缘直角边的切向场强，沿锥面击穿的可能性大大降低，从而提高了接头的性能。
5、台阶处理
电缆剥切后，外半导屏蔽层与主绝缘表面会存在一台阶，要将外半导屏蔽层切断处倒45度角并用细砂纸打磨光滑，这是应力控制的重要措施之一。应力管与主绝缘表面的台阶处应用防水胶缠绕出一平滑过渡面，复合管两端台阶处亦要包绕防水胶使台阶成平滑过渡，这是密封防潮，防止局部放电等事故发生的有效措施。
6、密封
密封包括两层含义：一要防潮，二要尽量避免气隙的存在。
(1)交联聚乙烯绝缘电缆含水是近几年来国际国内比较重视的一个课题。绝缘中含水会引发绝缘体中形成水树枝，造成绝缘破坏。水树枝是直径小于几个微米的许多微观充水空隙所组成的放电通路，电场和水的共同作用形成水树。所以电力电缆在安装、运行过程中，不允许在导体、绝缘层中存在水分、空气或其他杂质。这些杂质在高强度的电场作用下容易发生电离，带电粒子在交变电场的作用下，使得电缆绝缘层在运行过程中逐渐老化导致击穿，从而引发电缆故障,所以密封工作—定要做好。每相复合管两端及内、外护套管两端都要密封填充密封胶，达到有效防潮。热缩管件包敷密封金属部位如连接管、金属护套时，金属部位应予加热至60-70摄氏度，才能获得良好的密封效果。
(2)为减少气隙的存在，我们可以做以下工作：①将绝缘端部削成锥体，以保证包绕的填充胶与绝缘端能很好的粘合；②在主绝缘表面均匀涂一层硅脂膏增强密封的作用；③复合管两端要包绕密封胶；④在安装内外护套前要回填填充物，将凹陷处填平，使整个接头呈现一个整齐的外观，用PVC胶带缠绕扎紧；⑤内外护套安装时要在两端缠绕密封胶。
半导体制造篇9
移动装置IC一向是高通（Qualcomm）和联发科的天下，但华为旗下的海思半导体2014年领先全球在台积电投片全球第一颗FinFET制程的手机IC产品，轰动半导体业界，海思更是出面力挺台积电和ARM的16纳米FinFET+制程。
ARM是盟主角色，在生态系统环境下有其强劲优势，海思借由其架构设计效能最强大的产品。同时ARM也表示，海思在各种产品线上分别与不同的晶圆代工合作伙伴配合，但在最先进制程技术上，台积电绝对是最佳盟友。
半导体业者分析，台积电第一版的16纳米FinFET制程的效能并非最佳，但海思当时坚持往前冲，拿下全球FinFET制程产品头香，充分展现其雄心。
编辑点评：在智能手机、平板市场上，国内半导体业获得了很大的发展。海思华为智能型手机的心脏，而这颗心脏越来越强大，甚至在全球FinFET制程的手机IC产品上抢下头香，给我国半导体业带来了新希望。
水比金子贵中国台湾半导体业受缺水影响
中国台湾半导体业，对于全球高科技产业影响重大。其中TSMC台积电、UMC电更是占据了全球过半的晶圆代工，客户中不乏苹果、高通这样的知名企业。半导体制造不光需要高技术，同时也需要耗费大量的资源，特别是对水资源尤其依赖。
典型的8英寸晶圆制造每小时耗水量超过250立方米，12英寸晶圆制造更是可以达到500立方米，而一家晶圆厂每月的产能在数万片至数十万片，用水量的需求将会相当巨大。
根据中国台湾水利署公布的最新数据，2014年中国台湾降雨量水平是自1947年来的新低。从去年11月份开始，中国台湾就在岛内南北两部分启动限水措施，对工业用水的限制尤其严格。那么，台积电、电这样的半导体厂商是否会受到影响呢？全球的芯片价格又是否会因此产生波动呢？
EEtimes报道称，斯坦伯恩斯公司的高级分析师Mark Li认为，缺水问题对台积电和电影响有限。毕竟这些公司很早就关注风险管理，水资源就是其中之一，这两家公司都已经提高了用水的再循环比例。目前TSMC台积电晶圆厂的循环用水比例已经达到了90%，电公司发言人也声称他们的循环用水比例达到了85-87%。
编辑点评：宝岛台湾都缺水，那深处祖国内陆的半导体企业岂不是都该自己挖井了。半导体行业的光鲜背后，是对资源的大量占用。所以，不要光对外喊什么绿色节能，先把自己的能耗降下来，才是最要紧的。
12寸晶圆产能排行榜：三星第一台积电排第五
根据研调机构IC Insights最新统计，去年三星仍是全球12寸产能最多厂商。而在全球12寸产能名列前茅的厂商中，前四大仍都是存储器大厂，台积电则名列第五。
半导体制造篇10
改革开放以来，经过大规模引进消化和90年代的重点建设，目前我国半导体产业已具备了一定的规模和基础，包括已稳定生产的7个芯片生产骨干厂、20多个封装企业，几十家具有规模的设计企业以及若干个关键材料及专用设备仪器制造厂组成的产业群体，大体集中于京津、沪苏浙、粤闽三地。
我国历年对半导体产业的总投入约260亿元人民币（含126亿元外资）。现有集成电路生产技术主要来源于国外技术转让，其中相当部分集成电路前道工序和封装厂是与美、日、韩公司合资设立。其中三资企业的销售额约占总销售额的88%（1998年）。民营的集成电路企业开始萌芽。
设计：集成电路的设计汇集电路、器件、物理、工艺、算法、系统等不同技术领域的背景，是最尖端的技术之一。我国目前以各种形态存在的集成电路设计公司、设计中心等约80个，工程师队伍还不足3000人。2000年，集成电路设计业销售额超过300万元的企业有20多家，其中超过1000万的约10家。超过1亿的4家（华大、矽科、大唐微电子和士兰公司）。总销售额10亿元左右。年平均设计300种左右（其中不到200种形成批量）。
现主要利用外商提供的EDA工具，运用门阵列、标准单元，全定制等多种方法进行设计。并开始采用基于机构级的高层次设计技术、VHDL，和可测性设计技术等先进设计方法。设计最高水平为0.25微米，700万元件，3层金属布线，主线设计线宽0.8-1.5微米，双层布线。[1]目前，我国在通信类集成电路设计有一定的突破。自行设计开发的熊猫2000系列CAD软件系统已开发成功并正在推广。这个系统的开发成功，使我国继美国、欧共体、日本之后，第四个成为能够开发大型的集成电路设计软件系统的国家。目前逻辑电路、数字电路100万门左右的产品已可以用此设计。
前工序制造：1990年代以来，国家通过投资实施“908”、“909”工程，形成了国家控股的骨干生产企业。其中，中日合资、中方控股的华虹NEC（8英寸硅片，0.35-0.25微米，月投片2万片），总投资10亿美元，以18个月的国际标准速度建成，99年9月试投片，现已达产。该工程使我国芯片制造进入世界主流技术水平，增强了国内外产业界对我国半导体产业能力的信心。
在前8家生产企业中，三资企业占6家，总投资7.15亿美元，外方4.69亿美元，占66%.目前芯片生产技术多为6英寸硅片、0.8-1.5微米特征尺寸。7个主干企业生产线的月投片量已超过17万片，其中6～8英寸圆片的产量占33％以上。
目前这些企业生产经营情况良好。2000年，七个骨干企业总销售额达到56亿元人民币，利润7.5亿元，利润率达到13%.同年全国电子信息产业总销售额5800亿元人民币，利润380亿，利润率6.5%.
封装：由于中国是目前集成电路消费大国，同时国内劳动力、土地资源价格相对便宜，许多国外大型集成电路生产企业在中国建立了合资或独资集成电路封装厂。
国内现有封装企业规模都不大，而且所用芯片、框架、模塑料等也主要靠进口，因此大量的集成电路封装产品也只是简单加工，技术上与国际封装水平相差较远。主要以DIP为主，SOP、SOT、BGA、PPGA等封装方式国内基本属于空白。
集成电路封装业在整个产业链中技术含量最低，投入也相对较少（与芯片制造之比一般为10：1）。我国目前集成电路年封装量，仅占世界当年产量的1.8%～2.5%，封装的集成电路仅占年进口或消耗量的13%～14.4%，即中国所用85%以上的集成电路都是成品进口。
2000年，我国集成电路封装业的销售收入超过130亿元，其中销售收入超过1亿元的14家，全年封装电路近45亿块，其中年封装量超过5亿块的5家。
材料、设备、仪器：围绕6英寸芯片生产线使用的主要材料（硅单晶、塑封料、金丝、化学试剂、特种气体等）、部分设备（单晶炉、外延炉、扩散炉、CVD、蒸发台、匀胶显影设备、注塑机等）、仪器（40MHz以下的数字测试设备、模拟测试设备及数模混合测试设备）、部分仪器（40MHz以下的数字测试设备、模拟测试设备及数模混合测试设备）国内已能提供。
芯片制造设备，我国只具备部分浅层次设计制造能力，如电子45所已有能力制造0.5微米光刻机等。
半导体分立器件：2000年，全年分立器件的销售额60亿，产量341亿只。
供需情况和近期发展形势
20世纪90年代，我国集成电路产业呈加速发展趋势，年均增长率在30%以上。2000年，我国集成电路产量达到58.8亿块，总产值约200亿人民币（其中设计业10亿，芯片制造56亿，封装130亿）。如果加上半导体分立器件，总产值达到260亿元。预计2001年，集成电路产量可达70亿块。
2000年，全球半导体销售额达到1950亿美元，我国半导体生产从价值量上看，占世界半导体生产的1.6%（含封装、设计产值），从加工数量看占全世界份额不足1%（美国占32%，日本占23%）。
从需求方面看，据信息产业部有关人员介绍，2000年，国内集成电路总销售量240亿块，1200亿人民币。业内普遍估计，今后10年，半导体的国内需求仍将以20%的速率递增，估计2005年，我国集成电路国内市场的需求约为300亿块、800亿元人民币；2010年，达到700亿块、2100亿元人民币。
从近几年统计数字分析看，国内生产芯片（包括外商独资企业的生产和在国内封装的进口芯片）占国内需求量的20%～25%，但国内生产部分的80%为出口，按此计算，我国集成电路产业的自给率仅4%～5%.但是，有两个因素影响了对芯片生产自给率的准确估计。首先是我国集成电路的产品销售有很大一部分通过外贸渠道出口转内销，据信息产业部估计，出口转内销约占出口量的一半。如此推算，国内半导体生产满足国内市场的实际比重在12%～15%.实际上，国内生产的芯片质量已过关，主要是缺乏市场信任度，而销售渠道又往往掌握在三资企业外方手中。
但芯片走私的因素，可能又使自给率12%～15%的估计过分夸大。台湾合晶科技公司蔡南雄指出：官方统计，1997年中国大陆进口集成电路和分立器件约50亿美元，但当年集成电路进口实际用汇达95.5亿美元。[2]近几年大力打击走私，这一因素的作用可能有所减弱。但无论如何，我国现有半导体产业远远落后于国内需求的迅速增长则是不争的事实。
由于核心部件自给能力低，我国的电子信息产业成了高级组装业。著名的联想集团，计算机国内市场占有率是老大，利润率仅3%.我国电子信息制造业连年高速增长，真正发财的却是外国芯片厂商。
由此，进入1990年代以来，我国集成电路进口迅速增长。1994～1997年，集成电路进口金额年均递增22.6%；97年进口金额为36.48亿美元，96.06亿块。[3]1999年，我国集成电路进口75.34亿美元，出口（含进料、来料加工）18.89亿美元。
2000年6月，国家《软件产业和集成电路产业的发展的若干政策》（国发18号文件）。在国家发展规划和产业政策的鼓舞下，各地政府纷纷出台微电子产业规划，其中上海和北京为中心的两个半导体产业集中区，优惠力度较大，投资形势也最令人鼓舞。目前累计已开工建设待投产的项目，投资总额达50亿美元，超过我国累计投资额的1.5倍，未来2-3年这几条线都将投入量产。
·天津摩托罗拉：外商独资企业，总投资18亿美元，在建。2001年5月试投产，计划11月量产。
·上海中芯：1/3国内资金，2/3台资（第三国注册）。投资14亿美元。2001年11月将在上海试投产。
·上海宏立：预计2002年一季度投入试运行，16亿美元。
·北京讯创：6寸线，投资2亿美元。
·友旺：在杭州投资一条6寸线，10亿人民币左右，已打桩。
目前我国半导体产业和国际水平的差距
总体上说，我国微电子技术力量薄弱，创新能力差，半导体产业规模小，市场占有率低，处于国际产业体系的中下端。
从芯片制造技术看，和国际先进水平的差距至少是2代。[4]尽管华虹现已能生产0.25微米SDRAM，接近国际先进水平（技术的主导权目前基本上还在外方手中），国内主流产品仍以0.8-1.5微米中低端低价值产品为主。其中80%～90%为专用集成电路，其余为中小规模通用电路。占IC市场总份额66%的CPU和存储器芯片，我国无力自给。
我国微电子科技水平与国外的差距，至少是10年。[5]现有科技力量分散，科技与产业界联系不紧密。产业内各重要环节（基础行业、设计、制造工艺、封装），尚未掌握足以跨国公司对等合作的关键技术专利。
半导体基础（支撑）行业落后：目前硅材料已有能力自给，各项原料在不同程度上可以满足国内要求（材料半数国产化，关键材料仍需进口）。
但如上所述，几乎所有尖端设备，我们自己都不能设计制造，基本依赖进口。业内认为我国半导体基础行业和国际水平差距约20年。
一般地说，西方对我引进设备放松的程度和时机，取决于我国自身的技术进展，所以我国半导体设备技术的进步，成为争取引进先进设备的筹码（尽管代价高昂）。如没有这方面的工作，设备引进受到限制，连参与设备工艺的国际联合研制的资格也没有（韩台可以参与）。
已引进的先进生产线，经营控制权不在我手中，妨碍电路设计和工艺自主研发现有较先进的集成电路生产线（包括华虹NEC、首钢NEC），其技术、市场和管理尚未掌握在中国人手中。其原因是“自己人”管理，亏损面太大。现有骨干企业不是合资就是将生产线承包给外人，技术和经营的重大决策权多在外方代表手中。经营模式还没有跳出“两头在外”模式。
这也说明，我国现有国有企业经济管理机制，尽管有了很大进步，但还没有真正适应高科技产业对管理的苛刻要求，高级技术人才和营销人才更是缺乏。
“某厂…最赔钱的×号厂房，包出去了。这也怪了。台湾人也没有带多少资金技术，还是原来的设备和技术，就赢利。
“我问承包人，人还是我们的人，厂房技术还是我们的，为什么你们一来就行了？他说”体制改变了“。我问体制改了什么，是工资高了？也不是。他们几个人就是搞市场。咱们中国市场之大，是虚的。让人家占领的。
“10多年前我在美国参观，他们的工厂成品率是90%多，我们研究室4K最高时成品率50%多，当时这个成绩，全国轰动。我参观时问，你们有什么诀窍做到90%多？美国人说没有什么诀窍，就是经常换主管，新主管要超过上一任，又提高一步。主管到了线里，就是general，…说炒就炒。咱们国家行吗？我们这些领导都是孙子…半导体的生产求非常严格的纪律。没有这个东西绝对不行。你想100多道工艺，每一道差1%，成品率就是零。所以这个体制，说了半天没有说出来，一是市场，一是管理。”[6]但无论如何，我们半导体产业的“管理”和“市场”这两大门坎，是必须跨过去的。深化国企改革、发挥非国有经济的竞争优势，在半导体领域同样适用。
由于没有技术和经营控制权，导致我们的半导体产业遇到两方面困难。首先，国内单位自行设计的专用电路上线生产，必须取得生产厂家的外方同意，有的被迫转向海外代工，又多一道海关的麻烦；关系国家机密的芯片更无法在现有先进生产线加工（或者是外方以“军品”为名拒绝加工，或者是我方不放心）。
其次，妨碍了产学研结合、自主设计和研发工艺设备。例如中国科学院微电子中心已达到0.25微米工艺的中试水平，但因先进工厂的经营权不在自己手中，无法将自有工艺研究成果应用于大线试生产。
工艺技术是集成电路制造的关键技术。如果我方没有自主设计工艺的技术能力，即使买了先进生产线也无法控制。目前合资企业中，中方职工可以掌握在线的若干产品的工艺技术，但无法自主开展工艺技术研究。5年后我方将接管华虹NEC，也面临自己的工艺技术能否顶上去的问题。工艺科研领域目前所处的困境如不能及时摆脱，则仅有的研究力量也会逐渐萎缩，如果不重视工艺技术能力的成长，我们就无法掌握芯片自主设计生产能力。
设计行业处于幼稚阶段由于专业电路市场广阔，目前国内各种类型的设计公司逐渐增加。但企业普遍规模偏小、技术水平较低，缺乏自主开发能力。转贴于
由于缺乏技术的积累，我国还远没有形成具有自主知识产权的IP库，与国外超大规模IC的模块化设计和S0C技术差距甚远。设计软件基本用外国软件，即使设计出来，也往往因加工企业IP库的不兼容而遭拒绝。
集成电路的设计与加工技术是相互依存的。因为我国微细加工工艺水平落后，人才缺乏，目前不具备设计先进电路的水平，更没有具备设计CPU及大容量存储器的水平。也有的客户眼睛向外，不愿意在国内加工，但到国外加工还要受欺负。尽管我们花了100%的制版费，板图也拿不回来。
超大规模集成电路的设计，难度最大的是系统设计和系统集成的能力，最需要的人才是系统设计的领头人，这是我国最缺的人力资源。国内现有人才多数是设计后道的能力，做系统的能力差。国内现有环境，培养这样的人才比较难。
国内的设计制造行业，就单个企业来说很难开发需要高技术含量的超前性、引导性产品。多数民营中小企业只能跟在别人后面走仿制道路（所谓反向设计）。反向设计只能适应万门以下电路的设计开发。故目前还无法与国外先进设计公司竞争。
缺乏市场信任度由于总体技术水平低，市场多年被外国产品占领，自己的供给能力还没有赢得国内市场的信任，以致出现外商一手向国内IC厂定货，再转手卖给国内用户的现象。这是当前外（台）商大举在国内投资集成电路生产线的客观背景。
国内设计、制造的产品往往受到比国外产品更严格的挑剔，要打开市场需要更多的时间和精力，这就难免被国外同行抢先。半导体市场瞬息万变，竞争十分残酷，而我国对自己的半导体产业，似取过分自由放任态度，几乎完全暴露在国际竞争中。有必要对有关政策上给以重新评估。
我国电子整机厂多为组装厂，自己设计开发芯片的极少，由于多头引进，整机品种繁多，规格不一，批量较小，成本高。另外，象汽车电子、新一代“信息家电”等产品市场很大，但需要高水平且配套的芯片产品，而我国单个电路设计企业无力完成，设计和生产能力还尚待磨合。如欲进军这方面的市场，需要高层有明确的市场战略和行业级的协调。我国微电子行业目前因技术能力所限，可适应市场领域还比较狭窄，又面临着国际市场的巨大压力。要争得技术和资本的积累期和机会，必须有政府的组织作用。
还没有形成完整的产业体系从整体看，我国半导体产业还没有形成有机联系的生态群，或刚刚处于萌芽状态，产业内各环节上下游间互补性薄弱。目前少数先进生产能力，置于跨国公司的全球制造～营销体系内，外（台）商做OEM接单，来大陆工厂生产，国内芯片厂商被动打工。国家体制内的科研力量和现有生产体系的结合渠道不顺畅，国内科技型中小型民营（设计）企业和大型制造企业的互补关系正在建立中。
“集成电路设计与生产都需要有很强的队伍，能够根据国内整机的需要设计出产品，按照我们的工艺规则来生产。他的设计拿过来我们能做，做好了能够测试，测试以后能够用到整机单位去应用。这条路要把它走通。另外还有一批人能够打开市场。其他的暂时可以慢一点。”[7]所以，目前我国微电子领域与国际水平的差距，并非单项技术的差距，而是包括各环节在内的系统性的差距。单从技术和资金要素来看，“908”“909”工程的实践，可以说是试图以类似韩国的大规模投资来实现生产技术的“跨越”。但实践证明，单项发展，不足以带动一个科技-产业系统的整体进步。不仅要克服资金、人才、市场的瓶颈，也要克服体制、政策的瓶颈，非此不能吸引人才，不能调动各方面的积极性。
我国半导体产业发展的现有条件
经过20年的发展和积累，特别是近年来我国电子信息产业的高速发展，半导体产业在我国经济、国防建设中的重要地位，以及加快发展的必要性，已基本形成共识。应该说，我国已经在多方面具备了微电子大发展所必须的条件。转贴于
首先是经过多年的引进和国家大规模投资，已形成一定产业基础，初步形成从设计、前工序到后封装的产业轮廓。广义电子产业布局呈现向京津地区、华东地区和深穗地区集中的态势，已经形成了几个区域性半导体产业群落。这对信息知识的交流，技术的扩散，新机会的创造，以及吸引海外高级人才、都十分重要。
技术引进和国内科研工作的长期积累，也具备了自主研发的基础。“909”工程初步成功，说明投资机制有了巨大进步，直接鼓励了外商投资中国大陆的热情。尤其在通讯领域，国内以企业为主导的研发机制取得了可喜发展。
其次，国内投资环境大幅度改善。尤其是沿海经济发达地区，市场经济初见轮廓，法制和政策环境日益改善，人才和资金集中，信息基础设施完备，各种类型的民营企业已开始显现其经营管理能力，已有问鼎高效益高风险的微电子领域的苗头，各种类型的设计公司正在兴起。
近两年来，海外半导体产业界已经对我国大陆的半导体业投资环境表示了极大兴趣。外（台）商对大陆的半导体投资热，虽然并不能使我们在短期内掌握技术市场控制权（甚至可能对我人才产生逆向吸附作用），但有助于形成、壮大产业群，有助于冲破西方设备、技术封锁。长远看是利大于弊。
人才优势。国内软件人才潜力巨大，而软件设计和芯片设计是相通的。这是集成电路设计业的有力后盾。
再次是随着国内电子产品制造业的飞速发展，半导体产业市场潜力巨大。1990年代，我国电子产品制造业产值年均增长速度约27％，1999年为4300亿元人民币，2000年达5800亿（总产值1万亿）。其中，PC机和外部设备年增率平均40％以上，某些产品的产量已名列世界前茅；互联网用户和网络业务的年增率超过300％；公用固定通讯交换设备平均每年新增2000万线，预计2005年总量将超过3亿线；手机用户数每年增长1500-2000万户，2001年已突破1亿户。各类IC卡的需求量也猛增。据信息产业部预计，我国电子产品制造业未来5年平均增长率将超过15%（一般电子工业增长率比GDP增长率高1倍）。预计2005年，信息制造业的市场总规模达到2万亿。
最后是国家对半导体产业十分重视。官方人士多次表示：要想根本改变我国的电子信息产业目前落后状况，需要“十五”计划中，把推进超大规模集成电路的产业化作为加速发展信息产业的第一位的重点领域。并相应制定了产业优惠政策。这些政策将随着产业的发展逐步落实并进一步完善。[8]
注释：
[1]陈文华，1998年。
[2]《产业论坛》1998年第18期。
[3]陈文华，1998年。
[4]《关于加快我国微电子产业发展的建议》，工程科技与发展战略报告集，2000年。
[5]叶甜春，2000年。
[6]吴德馨院士访谈录，2001年3月。