Solid-state Electronics
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  • 数据库收录SCI/SCIE
  • 创刊年份1960年
  • 年发文量198
  • H-index87

Solid-state Electronics

期刊中文名:固态电子ISSN:0038-1101E-ISSN:1879-2405

该杂志国际简称:SOLID STATE ELECTRON,是由出版商Elsevier Ltd出版的一本致力于发布物理与天体物理研究新成果的的专业学术期刊。该杂志以工程电子与电气研究为重点,主要发表刊登有创见的学术论文文章、行业最新科研成果,扼要报道阶段性研究成果和重要研究工作的最新进展,选载对学科发展起指导作用的综述与专论,促进学术发展,为广大读者服务。该刊是一本国际优秀杂志,在国际上有很高的学术影响力。

基本信息:
期刊简称:SOLID STATE ELECTRON
是否OA:未开放
是否预警:
Gold OA文章占比:18.85%
出版信息:
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Monthly
出版语言:English
出版商:Elsevier Ltd
评价信息:
中科院分区:4区
JCR分区:Q4
影响因子:1.4
CiteScore:3.1
杂志介绍 中科院JCR分区 JCR分区 CiteScore 投稿经验

杂志介绍

Solid-state Electronics杂志介绍

《Solid-state Electronics》是一本以English为主的未开放获取国际优秀期刊,中文名称固态电子,本刊主要出版、报道物理与天体物理-工程电子与电气领域的研究动态以及在该领域取得的各方面的经验和科研成果,介绍该领域有关本专业的最新进展,探讨行业发展的思路和方法,以促进学术信息交流,提高行业发展。该刊已被国际权威数据库SCI、SCIE收录,为该领域相关学科的发展起到了良好的推动作用,也得到了本专业人员的广泛认可。该刊最新影响因子为1.4,最新CiteScore 指数为3.1。

本刊近期中国学者发表的论文主要有:

  • A method for series resistance extraction in advanced MOSFET

    Author: Yan, Yu; Dou, Cunhua; Zhang, Xuan; Song, Weijia; Tang, Zhiyu; Li, Binhong; Wan, Jing; Sun, Huabin; Zhao, Xing; Wang, Yun; Xu, Yong; Cristoloveanu, Sorin

  • Investigation on pulse repetition frequency characteristics of 4H-Silicon carbide drift step recovery diod

    Author: Liu, Tong; Liang, Lin; Wen, Kaijun

  • Investigation of cap layer effects on low-contact-resistance vanadium-based Au-free low-temperature ohmic contacts for AlGaN/GaN HEM

    Author: Xie, Zijing; Ma, Xiao; Li, Xinghuan; Tang, Jun; Wang, Hong

  • Bonding of micro LEDs using wet reflow process of indium bumps based on SU-8 solder mas

    Author: Bai, Shuangjia; Lang, Taifu; Lin, Xin; Wang, Shuaishuai; Wang, Zhihua; Lin, Chang; Yan, Qun; Sun, Jie

英文介绍

Solid-state Electronics杂志英文介绍

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

中科院SCI分区

Solid-state Electronics杂志中科院分区信息

《新锐期刊分区表》
2026年3月发布
综述:
TOP期刊:
大类:物理与天体物理 4区
小类:

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气 4区

PHYSICS, APPLIED
物理:应用 4区

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理 4区

中科院SCI分区:是中国科学院文献情报中心科学计量中心的科学研究成果。期刊分区表自2004年开始发布,延续至今;2019年推出升级版,实现基础版、升级版并存过渡,2022年只发布升级版,期刊分区表数据每年底发布。 中科院分区为4个区。中科院分区采用刊物前3年影响因子平均值进行分区,即前5%为该类1区,6%~20%为2区、21%~50%为3区,其余的为4区。1区和2区杂志很少,杂志质量相对也高,基本都是本领域的顶级期刊。

JCR分区

Solid-state Electronics杂志 JCR分区信息

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
收录子集:SCIE
分区:Q4
排名:294 / 369
百分位:

20.5

学科:PHYSICS, APPLIED
收录子集:SCIE
分区:Q4
排名:155 / 191
百分位:

19.1

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER
收录子集:SCIE
分区:Q4
排名:64 / 81
百分位:

21.6

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
收录子集:SCIE
分区:Q4
排名:299 / 371
百分位:

19.54

学科:PHYSICS, APPLIED
收录子集:SCIE
分区:Q4
排名:154 / 191
百分位:

19.63

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER
收录子集:SCIE
分区:Q3
排名:60 / 81
百分位:

26.54

JCR分区:JCR分区来自科睿唯安公司,JCR是一个独特的多学科期刊评价工具,为唯一提供基于引文数据的统计信息的期刊评价资源。每年发布的JCR分区,设置了254个具体学科。JCR分区根据每个学科分类按照期刊当年的影响因子高低将期刊平均分为4个区,分别为Q1、Q2、Q3和Q4,各占25%。JCR分区中期刊的数量是均匀分为四个部分的。

CiteScore 评价数据(2026年6月最新版)

Solid-state Electronics杂志CiteScore 评价数据

  • CiteScore 值:3.1
  • SJR:0.335
  • SNIP:0.685
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 474 / 1030

54%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 183 / 318

42%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 267 / 446

40%

大类:Engineering 小类:Materials Chemistry Q3 204 / 327

37%

历年影响因子和期刊自引率

投稿经验

Solid-state Electronics杂志投稿经验

该杂志是一本国际优秀杂志,在国际上有较高的学术影响力,行业关注度很高,已被国际权威数据库SCI、SCIE收录,该杂志在工程电子与电气综合专业领域专业度认可很高,对稿件内容的创新性和学术性要求很高,作为一本国际优秀杂志,一般投稿过审时间都较长,投稿过审时间平均一般,3-6周,如果想投稿该刊要做好时间安排。版面费不祥。该杂志近两年未被列入预警名单,建议您投稿。如您想了解更多投稿政策及投稿方案,请咨询客服。

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