固体电子学研究与进展
  • 创刊时间1981
  • 影响因子0.29
  • 发行周期双月刊
  • 审稿周期1-3个月

固体电子学研究与进展杂志 北大期刊 统计源期刊

主管单位:中国电子科技集团公司 主办单位:南京电子器件研究所

《固体电子学研究与进展》是一本由南京电子器件研究所主办的一本电子类杂志,该刊是北大期刊、统计源期刊,主要刊载电子相关领域研究成果与实践。该刊创刊于1981年,出版周期双月刊,影响因子为0.29。该期刊已被上海图书馆馆藏、北大期刊(中国人文社会科学期刊)、国家图书馆馆藏、知网收录(中)、维普收录(中)、CA 化学文摘(美)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、万方收录(中)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)收录。

出版信息:
期刊类别:电子
出版地区:江苏
出版语言:中文
纸张开本:A4
基本信息:
国内刊号:32-1110/TN
国际刊号:1000-3819
全年订价:¥220.00
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固体电子学研究与进展杂志介绍

办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文,论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

本刊主要资助项目有:国家自然科学基金、国家高技术研究发展计划、国家重点基础研究发展计划、江苏省自然科学基金、中央高校基本科研业务费专项资金、国家科技重大专项、国家教育部博士点基金、福建省自然科学基金、国家重点实验室开放基金、河北省自然科学基金。

本刊主要资助课题有:江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053)、国家自然科学基金(60371029)、国家自然科学基金(60506012)、国家自然科学基金(60776016)、中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B)、国家高技术研究发展计划(2009AA011605)、北京市人才强教计划项目(05002015200504)、国家自然科学基金(69736020)、国家自然科学基金(61106130)、国防科技重点实验室基金(9140C1402021102)。

固体电子学研究与进展杂志征稿要求

1.本刊力倡引用正式出版物。中文文献题名应使用书名号。

2.投稿请注明作者姓名、单位、电话、邮编和详细通讯地址。

3.稿件请附3-6个能反映论文主题的中英文对照的关键词。

4.文责自负。依照《著作权法》的有关规定,编辑部保留对来稿作文字修改、删节的权利,不同意改动者务请注明。

5.“作者简介”置于首页脚注处;基金项目请在文章首页脚注处写明项目来源和课题编号。

固体电子学研究与进展杂志数据统计

历年影响因子和发文量

主要机构发文分析

机构名称 发文量 主要研究主题
南京电子器件研究所 894 晶体管;电路;放大器;单片;GAAS
东南大学 314 电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路
复旦大学 230 电路;功耗;集成电路;低功耗;半导体
中国科学院 147 晶体管;半导体;分子束;分子束外延;异质结
西安电子科技大学 113 半导体;电路;金属氧化物半导体;晶体管;碳化硅
浙江大学 77 电路;半导体;芯片;金属氧化物半导体;低功耗
清华大学 70 电路;集成电路;计算机;半导体;GAAS
天津大学 68 隧穿;电路;晶体管;共振隧穿;负阻
电子科技大学 66 击穿电压;滤波器;放大器;氮化镓;振荡器
中国科学院微电子研究所 65 电路;低噪;低噪声;晶体管;CMOS

固体电子学研究与进展杂志文章选集

  • 一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC 项萍; 王维波; 陈忠飞; 郭方金; 潘晓枫; 徐志超
  • 一种3.5 GHz LTE 应用的30 W 40%效率 GaN Doherty 功放设计 陈志勇; 李昂; 曾瑞峰; 祝超; 张吕; 陈新宇
  • 二茂铼分子吸附Zigzag型石墨烯纳米带自旋输运性质的理论研究 刘小月; 李林峰; 葛桂贤
  • 一款0.6~4.2 GHz宽带低噪声放大器设计 汪宁欢; 郑远; 何旭; 陈新宇; 杨磊
  • 毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究 黄镇; 朱健; 郁元卫; 姜理利
  • 基于遗传算法的射频工艺容差电性能降维建模 张晏铭; 董乐; 李阳阳; 向伟玮
  • 新型四通带滤波器设计 张友俊; 李大伟
  • 一款圆-线极化变换天线罩的设计与应用 邵楠; 王身云; 文舸一
  • 基于左手材料的微带阵列天线设计 李晓丹; 李峰
  • 不同浓度Ti掺杂Ca2Si电子结构及光学性质的研究 邓永荣; 闫万珺; 张春红; 覃信茂; 周士芸
  • 基于ASL1000的Bandgap Trim 设计及其算法研究 付贤松; 马富民; 田会娟; 杜桥; 罗涛
  • Ge2Sb2Te5相变存储单元有源区对RESET电流影响的研究 王玉菡; 曾自强; 王玉婵; 王月青
  • 聚合物ESD抑制器测试方法与性能研究 徐晓英; 冯婉琳; 郭瑶; 叶宇辉; 甘瑛洁
  • 共晶锡铅焊料与薄金焊点可靠性研究 田飞飞; 田昊; 周明
  • 6.5 kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件 李士颜; 刘昊; 黄润华; 陈允峰; 李赟; 柏松; 杨立杰

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邮编:210016

主编:杨乃彬

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